公开(公告)号：CN1134060C

公开(公告)日：2004-01-07

申请号：CN99104442.8

申请日：1999-03-29

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： S·A·科恩 ,  K·P·罗德贝尔 ,  F·R·麦菲利 ,  J·J·尤卡斯 ,  C·I·诺延 ,  R·罗森伯格

IPC: H01L21/768 ,  H01L21/28 ,  H01L21/3205

CPC classification number: H01L21/7687 ,  H01L21/76843 ,  H01L23/53223 ,  H01L23/53238 ,  H01L23/5329 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明旨在提供α-W层，用于如沟槽电容器或镶嵌布线级等互连结构中作为扩散阻挡层。该α-W层是单相材料，是利以用六羰基钨W(CO)6作源材料的低温/低压化学汽相淀积形成的。

公开(公告)号：CN1233852A

公开(公告)日：1999-11-03

申请号：CN99104442.8

申请日：1999-03-29

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： S·A·科恩 ,  K·P·罗德贝尔 ,  F·R·麦菲利 ,  J·J·尤卡斯 ,  C·I·诺延 ,  R·罗森伯格

IPC: H01L21/768 ,  H01L21/28 ,  H01L21/3205

CPC classification number: H01L21/7687 ,  H01L21/76843 ,  H01L23/53223 ,  H01L23/53238 ,  H01L23/5329 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明旨在提供α－W层,用于如沟槽电容器或镶嵌布线级等互连结构中作为扩散阻挡层。该α－W层是单相材料,是利以用六羰基钨W(CO)6作源材料的低温/低压化学汽相淀积形成的。