公开(公告)号：CN101467498A

公开(公告)日：2009-06-24

申请号：CN200780021712.X

申请日：2007-06-13

Applicant: 东京毅力科创株式会社 ,  国立大学法人东北大学

Inventor： 桶作正广 ,  后藤哲也 ,  大见忠弘 ,  石桥清隆

IPC: H05H1/46 ,  H01L21/205 ,  C23C16/455 ,  H01L21/3065

Abstract: 本发明提供一种喷淋板及其制造方法、和使用了它的等离子体处理装置、处理方法及电子装置的制造方法。该喷淋板能够更完全地防止等离子体发生逆流、或在纵孔部分的等离子体激励用气体发生着火，从而可以高效地激励等离子体。喷淋板(105)配置在等离子体处理装置的处理室(102)中，为了在处理室(102)中产生等离子体而排出等离子体激励用气体，其中，在形成为等离子体激励用气体的排出路径的纵孔(112)中安装有具有在气体流通方向上连通的气孔的多孔质气体流通体(114)。将由多孔质气体流通体(114)的连通的气孔形成的气体流通路径中的狭路的气孔直径设在10μm以下。

公开(公告)号：CN101461038A

公开(公告)日：2009-06-17

申请号：CN200780020248.2

申请日：2007-06-13

Applicant: 东京毅力科创株式会社 ,  国立大学法人东北大学

Inventor： 桶作正广 ,  后藤哲也 ,  大见忠弘 ,  石桥清隆

IPC: H01L21/205 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/316 ,  H01L21/318

CPC classification number: H01J37/32449 ,  C23C16/455 ,  C23C16/45565 ,  C23C16/45572 ,  C23C16/511 ,  H01J37/3244

Abstract: 本发明提供一种喷淋板、和使用它的等离子体处理装置及处理方法及电子装置的制造方法。该喷淋板不需要盖板。该喷淋板(105)配置在等离子体处理装置的处理室(102)中，为了在处理室(102)中产生等离子体而排出等离子体激励用气体，其中，将喷淋板(105)设为一体物，在该喷淋板(105)上设置用于导入来自等离子体处理装置的气体导入口(110)的等离子体激励用气体的横孔(111)、和与该横孔(111)相连通的纵孔(112)。

公开(公告)号：CN101194345A

公开(公告)日：2008-06-04

申请号：CN200680020281.0

申请日：2006-06-07

Applicant: 国立大学法人东北大学 ,  东京毅力科创株式会社

Inventor： 大见忠弘 ,  寺本章伸 ,  本多稔 ,  中西敏雄

IPC: H01L21/318

CPC classification number: H01L21/3185

Abstract: 本发明的等离子体氮化处理方法，由具有多个缝隙的平面天线将微波导入处理容器内，形成含氮气体的微波激发高密度等离子体，在等离子体处理装置的处理容器内，使该高密度等离子体作用于被处理体表面的硅，在500℃以上的处理温度下进行氮化处理。

公开(公告)号：CN101032020A

公开(公告)日：2007-09-05

申请号：CN200580033312.1

申请日：2005-09-30

Applicant: 东京毅力科创株式会社 ,  国立大学法人东北大学

Inventor： 北川淳一 ,  尾崎成则 ,  寺本章伸 ,  大见忠弘

IPC: H01L21/8247 ,  H01L27/115 ,  H01L29/788 ,  H01L29/792 ,  H01L21/318

CPC classification number: H01L29/792 ,  H01L21/28202 ,  H01L21/28273 ,  H01L29/513

Abstract: 提供利用栅绝缘膜中良好的氮浓度分布，得到优异电气特性(写入、消去特性)的半导体存储装置及其制造方法。本发明中第一实施方式的半导体装置的制造方法，是通过经由半导体基板与栅电极之间形成的绝缘膜进行电荷交接而动作的半导体存储装置的制造方法，包括将预先使用等离子体激励用气体稀释的氧氮化种导入等离子体处理装置内，由等离子体生成氧氮化种，在所述半导体基板上形成作为栅绝缘膜的氧氮化膜的工序，所述氧氮化种含有相对于导入所述等离子体处理装置内的全部气体量为0.00001～0.01％的NO气体。

公开(公告)号：CN1856211A

公开(公告)日：2006-11-01

申请号：CN200610066914.3

申请日：2006-03-30

Applicant: 东京毅力科创株式会社 ,  国立大学法人东北大学

Inventor： 北村昌幸 ,  平山昌树 ,  大见忠弘

IPC: H05H1/46 ,  H01J37/32 ,  H01L21/00

Abstract: 一种等离子体处理装置，使得导入波导管的微波通过槽传播到介电体上，使供给到处理容器内的规定气体等离子体化，对基板进行等离子体处理，并列配置有多根波导管，在每一根波导管上分别设置有多个介电体，且在每个介电体上设置有1个或2个以上的槽。可以显著减小各介电体的面积，可靠地使微波传播到介电体的整个表面。此外，由于支承介电体的支承部件足够细，可在基板的整个上方形成均匀的电磁场，在处理室内发生均匀的等离子体。

公开(公告)号：CN103339733A

公开(公告)日：2013-10-02

申请号：CN201280006501.X

申请日：2012-01-23

Applicant: 国立大学法人东北大学 ,  先进动力设备技术研究协会 ,  东京毅力科创株式会社

Inventor： 寺本章伸 ,  神林宏 ,  上田博一 ,  两角友一朗 ,  原田豪繁 ,  长谷部一秀 ,  大见忠弘

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/31 ,  H01L21/316 ,  H01L21/336 ,  H01L21/338 ,  H01L29/778 ,  H01L29/786 ,  H01L29/812

CPC classification number: H01L21/02274 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/02178 ,  H01L21/022 ,  H01L21/0228 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/28264 ,  H01L23/564 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/205 ,  H01L29/42364 ,  H01L29/51 ,  H01L29/513 ,  H01L29/517 ,  H01L29/66462 ,  H01L29/778 ,  H01L29/7787 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明的半导体器件的制造方法是具有构成半导体层的GaN（氮化镓）的半导体器件的制造方法，其包括栅极绝缘膜形成工序（F），在具有GaN的氮化物层上，使用微波等离子体，形成由SiO2膜和Al2O3膜构成的组之中的至少一种膜，使所形成的膜成为栅极绝缘膜的至少一部分。

公开(公告)号：CN101155944B

公开(公告)日：2013-04-03

申请号：CN200680011225.0

申请日：2006-03-28

Applicant: 国立大学法人东北大学 ,  东京毅力科创株式会社

Inventor： 大见忠弘 ,  松冈孝明 ,  中山尚三 ,  伊藤日艺

IPC: C23C14/24 ,  C23C14/12 ,  H01L51/50 ,  H05B33/10

CPC classification number: C23C14/564 ,  C23C14/12 ,  C23C14/228 ,  C23C14/24 ,  H01L51/0008 ,  H01L51/0081 ,  H01L51/56

Abstract: 一种成膜装置及成膜方法。成膜装置具有向喷出容器内喷出有机EL分子气体的结构，具有多个有机EL原料容器、连接多个有机EL原料容器和喷出容器的配管系，多个有机EL原料容器有选择地成为有机EL分子供给状态，该配管系供给输送气体，使得在各有机EL原料容器内，在成膜时和非成膜时成为相同的压力。在非成膜时，输送气体从有机EL原料容器之一流向其它原料容器。

公开(公告)号：CN101305451B

公开(公告)日：2012-07-04

申请号：CN200680041735.2

申请日：2006-11-07

Applicant: 国立大学法人东北大学 ,  东京毅力科创株式会社

Inventor： 大见忠弘 ,  松冈孝明

IPC: H01L21/31 ,  H01L21/3065 ,  C23C16/455

CPC classification number: C23C16/45565 ,  C23C16/45568 ,  C23C16/45572 ,  C23C16/45574 ,  C23C16/511 ,  H01J37/3244 ,  H01J37/32449

Abstract: 本发明提供一种等离子体处理用簇射极板，是由多个配管形成的等离子体处理用簇射极板(31)，配管(31A3)由多孔质材料构件(44)和金属构件(41)构成，该多孔质材料构件(44)被沿着配管配置，对于原料气体具有规定的气孔率，朝向外侧呈凸状；该金属构件(41)与多孔质材料构件(44)对向配置，与多孔质材料构件(44)一起形成原料气体流路(43)。可以实现一种喷嘴构造，使原料气体呈扩散状喷出。

公开(公告)号：CN101661871B

公开(公告)日：2012-06-13

申请号：CN200910129116.4

申请日：2009-03-25

Applicant: 东京毅力科创株式会社 ,  国立大学法人东北大学

Inventor： 小林聪树 ,  杉山正树 ,  加藤充男 ,  广江昭彦 ,  大见忠弘 ,  平山昌树

IPC: H01L21/00 ,  H05H1/24 ,  H01J37/32

Abstract: 本发明提供一种等离子体处理装置及其反馈控制方法、高频电力供给方法。微波等离子体处理装置(10)包括：处理容器(100)；在处理容器内设置的、载置基板(G)的基座(105)；在设置在基座(105)的同一圆周上的3个位置(P1～P3)处与基座接触的3根供电棒(B1～B3)；和与3根供电棒(B1～B3)连接，且经3根供电棒(B1～B3)从3个以上的位置(P1～P3)向基座(105)供给高频电力的高频电源(130)。在基座(105)的同一圆周上的3个位置(P)处3根供电棒(B1～B3)与基座(105)接触。高频电源(130)与3根供电棒(B1～B3)连接，将从高频电源(130)输出的高频电力经3根供电棒(B)从3个位置(P1～P3)供给到基座(105)。

公开(公告)号：CN101283114B

公开(公告)日：2012-04-18

申请号：CN200680037196.5

申请日：2006-10-06

Applicant: 国立大学法人东北大学 ,  东京毅力科创株式会社

Inventor： 大见忠弘 ,  后藤哲也 ,  松冈孝明

IPC: C23C14/35

CPC classification number: C23C14/35 ,  H01J37/3408 ,  H01J37/3455

Abstract: 提供一种磁控溅射装置，通过提高靶上的瞬时的腐蚀密度，使成膜速度提高，并且使腐蚀区域时间性移动，防止靶的局部性损耗，使靶实现均匀损耗，从而延长靶的使用寿命。在柱状旋转轴(2)的周围设置多个板磁体(3)，通过使柱状旋转轴(2)旋转，在靶(1)上形成高密度的腐蚀区域，使成膜速度提高，同时随着柱状旋转轴(2)旋转，腐蚀区域产生运动，使靶(1)均匀消耗。