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公开(公告)号：CN119595965A
公开(公告)日：2025-03-11
申请号：CN202411608095.5
申请日：2024-11-12
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 本发明属于光学电流传感器技术领域，具体涉及一种基于磁光晶体的高灵敏度互易式光学电流传感器及其工作方法。所述宽谱光源(1)、起偏器(2)、环形器(3)、45°熔接点(4)、λ/4波片(5)和传感头(6)依次连接，所述环形器(3)与分束器(7)相连接，所述分束器(7)分别与第一光电探测器(8)和第二光电探测器(9)相连接。本发明用以解决现有技术中的传感器长期使用稳定性差的问题。
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公开(公告)号：CN114912265B
公开(公告)日：2022-11-01
申请号：CN202210489673.2
申请日：2022-05-06
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: G06F30/20 , G06F111/08 , G06F119/02 , G06F119/04 , G06F119/08 , G06F119/14
Abstract: 本发明公开了一种定量结合多退化机理的金属化薄膜电容器可靠性建模方法，所述方法包括如下步骤：一：建立温度应力作用下，薄膜老化过程模型；二：建立金属化薄膜电容器随机自愈过程模型；三：建立定量结合多退化机理的退化模型；四：根据金属化薄膜电容器的实际使用需求，给定容值的失效阈值D，推导得到定量结合多退化机理的金属化薄膜电容器的可靠性模型；五：利用极大似然估计得到未知参数的估计值；将各未知参数估计值代入可靠性模型中，即可实现金属化薄膜电容器的可靠性建模与评估。本发明解决了在金属化薄膜电容器可靠性建模与评估的相关研究中，未曾定量结合多退化机理，进而导致其可靠性建模与评估结果缺乏准确性的问题。
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公开(公告)号：CN114912265A
公开(公告)日：2022-08-16
申请号：CN202210489673.2
申请日：2022-05-06
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: G06F30/20 , G06F111/08 , G06F119/02 , G06F119/04 , G06F119/08 , G06F119/14
Abstract: 本发明公开了一种定量结合多退化机理的金属化薄膜电容器可靠性建模方法，所述方法包括如下步骤：一：建立温度应力作用下，薄膜老化过程模型；二：建立金属化薄膜电容器随机自愈过程模型；三：建立定量结合多退化机理的的退化模型；四：根据金属化薄膜电容器的实际使用需求，给定容值的失效阈值D，推导得到定量结合多退化机理的金属化薄膜电容器的可靠性模型；五：利用极大似然估计得到未知参数的估计值；将各未知参数估计值代入可靠性模型中，即可实现金属化薄膜电容器的可靠性建模与评估。本发明解决了在金属化薄膜电容器可靠性建模与评估的相关研究中，未曾定量结合多退化机理，进而导致其可靠性建模与评估结果缺乏准确性的问题。
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公开(公告)号：CN111948751A
公开(公告)日：2020-11-17
申请号：CN202010766939.4
申请日：2020-08-03
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 本发明是一种基于650nm波段的光纤电流互感器光纤传感环的设计方法。本发明属于全光纤电流传感设计技术技术领域，本方法设置光纤的截面结构有多层空气孔；根据折射率导引型手性光子晶体光纤中PMMA中灰黄霉素的浓度，确定光纤的手性参数；确定光纤的空气填充比的取值范围，并任取满足要求的数值作为光纤最终的空气填充比大小；根据得到的光纤的手性参数和空气填充比，确定光纤的晶格常数的取值范围，并任取满足要求的数值作为光纤最终的晶格常数大小。本发明采用性光子晶体光纤传感环方案的光纤电流互感器系统的比差为0.235％，证明了设计的手性光子晶体光纤参数设计的合理性，并表明了光纤电流互感器系统电流测量准确度提升程度。
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公开(公告)号：CN112668265B
公开(公告)日：2022-02-08
申请号：CN202110007279.6
申请日：2021-01-05
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: G06F30/3308
Abstract: 一种基于Saber软件的SiC MOSFET SPICE模型图形化修正方法，属于新型器件的建模与仿真领域。所述方法通过Saber仿真软件的Model Architect工具中Scanned Data Utility功能、Optimizer Utility自动拟合功能建立初步模型。通过选取Saber软件中Model Architect工具提供的Toggle Anchor Objects锚点工具对所建模型进行图形化修正，并通过理论分析和实测数据指导并检验所建模型的准确性。本发明建立的模型经过理论验证和与实际测试数据的对比，显示出比较好的准确性和严谨性，可以为包含SiC MOSFET的复杂电路仿真方法提供依据。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN112668265A
公开(公告)日：2021-04-16
申请号：CN202110007279.6
申请日：2021-01-05
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: G06F30/3308
Abstract: 一种基于Saber软件的SiC MOSFET SPICE模型图形化修正方法，属于新型器件的建模与仿真领域。所述方法通过Saber仿真软件的Model Architect工具中Scanned Data Utility功能、Optimizer Utility自动拟合功能建立初步模型。通过选取Saber软件中Model Architect工具提供的Toggle Anchor Objects锚点工具对所建模型进行图形化修正，并通过理论分析和实测数据指导并检验所建模型的准确性。本发明建立的模型经过理论验证和与实际测试数据的对比，显示出比较好的准确性和严谨性，可以为包含SiC MOSFET的复杂电路仿真方法提供依据。
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公开(公告)号：CN108845174B
公开(公告)日：2021-03-30
申请号：CN201810305160.5
申请日：2018-04-08
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: G01R15/24
Abstract: 本发明公开了一种差分式全光纤电流互感器。该全光纤电流互感器包括SLED光源(1)、耦合器(2)、测量臂(3A)、测量臂(3B)、光电探测单元(4)和电信号控制单元(5)。两条测量臂均由耦合器、光纤起偏器、相位调制器、延迟环、λ/4波片和敏感环组成，且两条测量臂器件型号参数、连接顺序及连接方式完全相同，但敏感环的缠绕方向相反，载流导线穿过两个敏感环的中心，使两测量臂测量同一电流，共同组成差分结构。光电探测单元由两个型号参数完全相同的PIN光电探测器组成，电信号控制处理单元接收来自光电探测单元的电信号，并输出电压信号控制相位调制器(3A3)和相位调制器(3B3)的输出相位，形成闭环控制回路。本发明的差分式全光纤电流互感器利用差分结构减小了振动和温度变化等环境因素对输出信号的影响，提高了全光纤电流互感器的测量精度。
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公开(公告)号：CN108845174A
公开(公告)日：2018-11-20
申请号：CN201810305160.5
申请日：2018-04-08
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: G01R15/24
Abstract: 本发明公开了一种差分式全光纤电流互感器。该全光纤电流互感器包括SLED光源(1)、耦合器(2)、测量臂(3A)、测量臂(3B)、光电探测单元(4)和电信号控制单元(5)。两条测量臂均由耦合器、光纤起偏器、相位调制器、延迟环、λ/4波片和敏感环组成，且两条测量臂器件型号参数、连接顺序及连接方式完全相同，但敏感环的缠绕方向相反，载流导线穿过两个敏感环的中心，使两测量臂测量同一电流，共同组成差分结构。光电探测单元由两个型号参数完全相同的PIN光电探测器组成，电信号控制处理单元接收来自光电探测单元的电信号，并输出电压信号控制相位调制器(3A3)和相位调制器(3B3)的输出相位，形成闭环控制回路。本发明的差分式全光纤电流互感器利用差分结构减小了振动和温度变化等环境因素对输出信号的影响，提高了全光纤电流互感器的测量精度。
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公开(公告)号：CN119397762A
公开(公告)日：2025-02-07
申请号：CN202411445991.4
申请日：2024-10-16
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: G06F30/20 , G06F119/02 , G06F119/04
Abstract: 本发明公开了一种交变栅极驱动下SiC MOSFET的加速退化模型，所述模型以栅极负偏置电压、结温、栅极电压上升时间多个应力以及开关次数为输入，以阈值电压变化量为输出，解决了SiC MOSFET在交流BTI下的阈值电压漂移预测不准确的问题，可用于描述交变栅极驱动模式下SiC MOSFET阈值电压退化规律。本发明能够反映SiC MOSFET器件长期使用过程中的关键性能参数变化规律，对于准确评价、优化提升器件使用可靠性具有重要意义。
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公开(公告)号：CN115203859A
公开(公告)日：2022-10-18
申请号：CN202210929175.5
申请日：2022-08-03
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: G06F30/17 , G06F30/23 , G06N3/12 , G06F111/06 , G06F119/02 , G06F119/04 , G06F119/14
Abstract: 一种磁保持极化继电器全寿命周期稳健参数寻优方法，涉及一种继电器稳健参数寻优方法。分析非线性各向异性永磁体的实际工作点，计算得到磁偶极子的矢量化信息和永磁体局部磁滞回线模型；建立虚拟样机模型；以吸反力配合特征和分断动能为内核，分析性能特征和质量一致性的形成机制，建立多目标稳健参数设计模型；改进差分进化算法；对多目标稳健参数设计模型进行迭代寻优，生产批次虚拟样机模型进行验证。充分考虑非线性各向异性永磁体充退磁过程中的局部磁滞效应，通过建立综合考虑磁保持极化继电器全寿命周期的多目标稳健参数设计模型，并通过改进的多目标差分进化算法进行寻优，提升综合性能，改善质量一致性。
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