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公开(公告)号：CN109264678A
公开(公告)日：2019-01-25
申请号：CN201811240967.1
申请日：2018-10-24
Applicant: 哈尔滨工业大学(威海) , 威海云山科技有限公司
IPC: C01B21/072
Abstract: 本发明提出一种AlN纳米线的制备方法，包括步骤1、混料：将Ti粉、Al粉和C粉进行混合；步骤2、研磨：在球磨罐中加入研磨球，将步骤1所得原料放入球磨罐中，在球磨罐中倒入酒精直至将原料完全盖住，把球磨罐放入球磨机中固定，湿磨8h~12h；步骤3、烘干：将研磨后的物质在水浴环境下进行烘干，烘干温度为50℃~60℃；步骤4、过筛：将烘干后的物质进行过筛，以将研磨球与原料进行分离；步骤5、烧结与取料：将步骤4所得的原料在氮气环境下进行烧结，烧结温度达到1300℃或以上时，保持该温度0.5h~4h，通过气相沉积法制备AlN纳米线，当温度下降后，即可取出烧结产物，即AlN纳米线。通过上述制备方法制备的纳米线为AlN单晶，其直径范围在100-200nm，长度范围以5-10μm居多。
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公开(公告)号：CN108643386A
公开(公告)日：2018-10-12
申请号：CN201810476413.5
申请日：2018-05-17
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种双温控相变储能建筑墙体，属于建筑领域，解决了控制室内温度存在的问题，它包含外保温层、中间相变储能层和内相变储能层，外保温层采用现有苯板等保温材料并按现有技术施工即可，中间相变储能层和内相变储能层均由含有混合石蜡相变储能材料的砌块砌成，砌块间按现有技术以水泥沙浆固化连接即可，中间相变储能层所含的混合石蜡的相变温度为25-28℃，内相变储能层所含的混合石蜡的相变温度为18-22℃；本发明用于建筑节能保温。
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公开(公告)号：CN105218076A
公开(公告)日：2016-01-06
申请号：CN201510560733.5
申请日：2015-09-06
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: C04B35/01 , C04B35/624
Abstract: 一种利用溶胶凝胶法制备SrMnO3陶瓷粉体的方法，它涉及单相磁电陶瓷材料领域。本发明的目的是为了解决现有方法制备纯相SrMnO3陶瓷粉体存在晶化温度高，颗粒分布不均匀，需要高温高压的复杂反应条件和成本高等问题。方法：一、制备溶液A；二、制备溶液B；三、制备SrMnO3溶胶；四、制备干凝胶；五、研磨、煅烧，再随炉自然冷却至室温，得到SrMnO3陶瓷粉体。优点：本发明制备的SrMnO3陶瓷粉体杂质较少、纯度高；SrMnO3陶瓷粉体的产量为90％～95％；本发明制备的SrMnO3陶瓷粉体与现有技术相比，成本降低了40％～50％。本发明可获得一种利用溶胶凝胶法制备SrMnO3陶瓷粉体的方法。
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公开(公告)号：CN101235542B
公开(公告)日：2010-06-02
申请号：CN200710144599.6
申请日：2007-11-14
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 磷化锗锌单晶生长的方法，它涉及磷化锗锌晶体生长的方法。本发明解决了目前磷化锗锌单晶的生长方法存在不易排出杂质的问题。本发明磷化锗锌单晶原核生长按如下步骤进行：一、定量；二、升温；三、坩埚下降、降温；即得磷化锗锌单晶。本发明磷化锗锌单晶有籽晶生长按如下步骤进行：一、定量；二、升温；三、坩埚下降、降温；即得磷化锗锌单晶。本发明单晶的生长具有易于排杂、晶体方向一致的优点。
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公开(公告)号：CN101555626A
公开(公告)日：2009-10-14
申请号：CN200910071890.4
申请日：2009-04-27
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 本发明提供了一种高近红外发光强度的Mg/Er－LiNbO3晶体及其制备方法。Mg/Er－LiNbO3晶体以99.99wt％MgO、99.99wt％Er2O3、99.99wt％Nb2O5、99.99wt％LiCO3为基础原料，MgO掺杂量为0～2mol％，Er2O3掺杂量为0.5～1mol％，Li/Nb摩尔比＝1.381。本发明综合运用抗光损伤元素掺杂与化学计量比生长两种手段，同时实现有源光波导器件基质材料－铌酸锂晶体的Er离子低簇位浓度、强抗光损伤能力，获得明显增强的1.5μm波段光发射性能，推动有源LN光波导器件向实用化阶段迈进。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101235542A
公开(公告)日：2008-08-06
申请号：CN200710144599.6
申请日：2007-11-14
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 磷化锗锌的多晶合成与单晶生长的方法，它涉及磷化锗锌晶体的合成与生长的方法。本发明解决了目前磷化锗锌多晶的合成方法存在合成速率低的问题，磷化锗锌单晶的生长方法存在不易排出杂质的问题。本发明磷化锗锌多晶合成按如下步骤进行：1.定量；2.升温；即得到磷化锗锌多晶料。本发明磷化锗锌单晶原核生长按如下步骤进行：1.定量；2.升温；3.坩埚下降、降温；即得磷化锗锌单晶。本发明磷化锗锌单晶有籽晶生长按如下步骤进行：1.定量；2.升温；3.坩埚下降、降温；即得磷化锗锌单晶。本发明多晶的合成具有合成速率高的优点，单晶的生长具有易于排杂、晶体方向一致的优点。
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公开(公告)号：CN101092753A
公开(公告)日：2007-12-26
申请号：CN200710072455.4
申请日：2007-07-04
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 多温区防爆式多晶体合成装置及其方法。它涉及多晶体合成装置及其方法。它解决了温场精细调节，蒸气压过大，造成炉体受损的问题。外壁内有保温层，耐高温不锈钢管贯穿炉体，其两端固定保护帽，监测热电偶插固于保护帽上，监测热电偶参比端连显示装置输入端，炉体轴向上分布有控温组件，石英管放耐高温不锈钢管内。方法步骤如下：一、原料放入石英管两端；二、组装设备；三、一次加温，一温区一设定值＜二温区一设定值；二次加温，二温区二设定值＝二温区一设定值，一温区二设定值≥二温区一设定值，直至反应充分；四、冷却。所述装置温场可精细调节，稳定性好，纯度高。合成为两个阶段，产生高压气体的原料在阶段一已大量反应消耗，避免石英管爆裂。
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公开(公告)号：CN118210055A
公开(公告)日：2024-06-18
申请号：CN202410253370.X
申请日：2024-03-06
Applicant: 哈尔滨工业大学人工智能研究院有限公司
IPC: G01V1/36 , G01V1/28 , G06N3/0464 , G06N3/084
Abstract: 本发明是一种基于二次残差网络的地震数据去噪方法。本发明涉及地震数据处理技术领域，本发明建立一种具有二次表达形式的神经元，作为嵌入神经网络的基本单元；基于二次神经元，构建具有跳跃连接的残差网络模型；对残差网络进行训练并采用反向传播算法更新网络参数，利用训练完的模型进行地震数据去噪。本发明将二次神经元引入地震数据随机噪声压制中，由于二次神经元具有更强大的表达能力，使得基于二次神经元构建的神经网络具有相较于传统线性神经网络具备更强大的表达能力，进而提高了地震数据随机噪声的压制效果。
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公开(公告)号：CN109320247B
公开(公告)日：2022-02-25
申请号：CN201811425888.8
申请日：2018-11-27
Applicant: 哈尔滨工业大学(威海) , 威海云山科技有限公司
IPC: C04B35/52 , C04B35/583 , C04B35/622 , C04B35/626 , C09K3/00
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公开(公告)号：CN110734048A
公开(公告)日：2020-01-31
申请号：CN201911124547.1
申请日：2019-11-18
Applicant: 哈尔滨工业大学(威海) , 威海云山科技有限公司
Abstract: 本发明提出一种基于原生木材的三维有序碳基多孔吸波材料的制备方法，包括S1、首先将原生木材切割成为预定尺寸的长方体，然后将木块浸泡1~2天，再用去离子水反复洗涤木块数次，最后将木块在50~70℃的条件下干燥；S2、将S1中干燥完成后的木块放入管式炉中，升温至350~450℃并保温0.5~1小时，即可得到预碳化的木炭块；S3、将预碳化后的木炭块与浓度为0.05~0.2mol/L的Fe(NO3)3混合并在50~70℃的条件下干燥；S4、将S3中干燥后得到的产物放入管式炉中并升温至预先设定好的温度保温0.5~1小时，当温度下降至室温后，即可取出烧结产物，所得产物即为三维有序碳基多孔吸波材料。通过上述方法获得的三维有序碳基多孔吸波材料可以被作为具有轻质、薄厚度、宽吸收频带和强吸收特性的优异吸波材料。
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