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公开(公告)号：CN112886545B
公开(公告)日：2022-02-22
申请号：CN202110141765.7
申请日：2021-02-02
Applicant: 北京市科通电子继电器总厂有限公司 , 哈尔滨工业大学
IPC: H02H7/20
Abstract: 本发明公开了一种适用于高压固态功率控制器具有短路保护功能的驱动电路，所述驱动电路包括接通后短路保护模块和短路后接通保护模块，所述接通后短路保护模块包括驱动芯片W2、电容C16、电容C24、电阻GR1；所述短路后接通模块包括驱动芯片W1、电阻GR2。本发明通过控制驱动芯片输入端的逻辑信号，控制其输出端的电压变化，配合与之相连的电容、电阻、二极管组合电路，实现对SiC MOSFET栅极电荷放电过程的控制，从而实现接通后短路以及短路后接通的短路保护功能。本发明通过较低成本实现了高压固态功率控制器的短路保护功能设计，对高可靠性、高集成度的固态功率控制器的产品生产有着重大的意义。
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公开(公告)号：CN113361123A
公开(公告)日：2021-09-07
申请号：CN202110687975.6
申请日：2021-06-21
Applicant: 哈尔滨工业大学 , 北京市科通电子继电器总厂有限公司
IPC: G06F30/20 , G06F119/08
Abstract: 一种基于批量自动化热仿真的产品降额设计方法，所述方法首先通过SolidWorks建立产品模型并导入Ansys SpaceClaim中，简化后导入Icepak。进行通用参数的设置后，在指标规定的环境温度范围里，通过.model文件、.cas文件分别修改组件功率及环境温度，并运行.bat文件进行热仿真，读取.out文件中的各器件监控点稳态温度值。若有器件温度过高，则降额重新进行仿真。直至所有器件符合条件，将对应温度下的负载电流值写入表格文件。在计算全部环境温度节点后，便可以调用表格文件绘制降额曲线。本发明提供一种更加贴近产品实际情况的降额设计曲线，比传统降额设计方法具有更高的准确性，对更好的发挥产品性能，保持产品的可靠性有着重要意义。
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公开(公告)号：CN112886545A
公开(公告)日：2021-06-01
申请号：CN202110141765.7
申请日：2021-02-02
Applicant: 北京市科通电子继电器总厂有限公司 , 哈尔滨工业大学
IPC: H02H7/20
Abstract: 本发明公开了一种适用于高压固态功率控制器具有短路保护功能的驱动电路，所述驱动电路包括接通后短路保护模块和短路后接通保护模块，所述接通后短路保护模块包括驱动芯片W2、电容C16、电容C24、电阻GR1；所述短路后接通模块包括驱动芯片W1、电阻GR2。本发明通过控制驱动芯片输入端的逻辑信号，控制其输出端的电压变化，配合与之相连的电容、电阻、二极管组合电路，实现对SiC MOSFET栅极电荷放电过程的控制，从而实现接通后短路以及短路后接通的短路保护功能。本发明通过较低成本实现了高压固态功率控制器的短路保护功能设计，对高可靠性、高集成度的固态功率控制器的产品生产有着重大的意义。
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公开(公告)号：CN111948751A
公开(公告)日：2020-11-17
申请号：CN202010766939.4
申请日：2020-08-03
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 本发明是一种基于650nm波段的光纤电流互感器光纤传感环的设计方法。本发明属于全光纤电流传感设计技术技术领域，本方法设置光纤的截面结构有多层空气孔；根据折射率导引型手性光子晶体光纤中PMMA中灰黄霉素的浓度，确定光纤的手性参数；确定光纤的空气填充比的取值范围，并任取满足要求的数值作为光纤最终的空气填充比大小；根据得到的光纤的手性参数和空气填充比，确定光纤的晶格常数的取值范围，并任取满足要求的数值作为光纤最终的晶格常数大小。本发明采用性光子晶体光纤传感环方案的光纤电流互感器系统的比差为0.235％，证明了设计的手性光子晶体光纤参数设计的合理性，并表明了光纤电流互感器系统电流测量准确度提升程度。
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公开(公告)号：CN112668265B
公开(公告)日：2022-02-08
申请号：CN202110007279.6
申请日：2021-01-05
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: G06F30/3308
Abstract: 一种基于Saber软件的SiC MOSFET SPICE模型图形化修正方法，属于新型器件的建模与仿真领域。所述方法通过Saber仿真软件的Model Architect工具中Scanned Data Utility功能、Optimizer Utility自动拟合功能建立初步模型。通过选取Saber软件中Model Architect工具提供的Toggle Anchor Objects锚点工具对所建模型进行图形化修正，并通过理论分析和实测数据指导并检验所建模型的准确性。本发明建立的模型经过理论验证和与实际测试数据的对比，显示出比较好的准确性和严谨性，可以为包含SiC MOSFET的复杂电路仿真方法提供依据。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN112668265A
公开(公告)日：2021-04-16
申请号：CN202110007279.6
申请日：2021-01-05
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: G06F30/3308
Abstract: 一种基于Saber软件的SiC MOSFET SPICE模型图形化修正方法，属于新型器件的建模与仿真领域。所述方法通过Saber仿真软件的Model Architect工具中Scanned Data Utility功能、Optimizer Utility自动拟合功能建立初步模型。通过选取Saber软件中Model Architect工具提供的Toggle Anchor Objects锚点工具对所建模型进行图形化修正，并通过理论分析和实测数据指导并检验所建模型的准确性。本发明建立的模型经过理论验证和与实际测试数据的对比，显示出比较好的准确性和严谨性，可以为包含SiC MOSFET的复杂电路仿真方法提供依据。
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公开(公告)号：CN108845174B
公开(公告)日：2021-03-30
申请号：CN201810305160.5
申请日：2018-04-08
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: G01R15/24
Abstract: 本发明公开了一种差分式全光纤电流互感器。该全光纤电流互感器包括SLED光源(1)、耦合器(2)、测量臂(3A)、测量臂(3B)、光电探测单元(4)和电信号控制单元(5)。两条测量臂均由耦合器、光纤起偏器、相位调制器、延迟环、λ/4波片和敏感环组成，且两条测量臂器件型号参数、连接顺序及连接方式完全相同，但敏感环的缠绕方向相反，载流导线穿过两个敏感环的中心，使两测量臂测量同一电流，共同组成差分结构。光电探测单元由两个型号参数完全相同的PIN光电探测器组成，电信号控制处理单元接收来自光电探测单元的电信号，并输出电压信号控制相位调制器(3A3)和相位调制器(3B3)的输出相位，形成闭环控制回路。本发明的差分式全光纤电流互感器利用差分结构减小了振动和温度变化等环境因素对输出信号的影响，提高了全光纤电流互感器的测量精度。
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公开(公告)号：CN108845174A
公开(公告)日：2018-11-20
申请号：CN201810305160.5
申请日：2018-04-08
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: G01R15/24
Abstract: 本发明公开了一种差分式全光纤电流互感器。该全光纤电流互感器包括SLED光源(1)、耦合器(2)、测量臂(3A)、测量臂(3B)、光电探测单元(4)和电信号控制单元(5)。两条测量臂均由耦合器、光纤起偏器、相位调制器、延迟环、λ/4波片和敏感环组成，且两条测量臂器件型号参数、连接顺序及连接方式完全相同，但敏感环的缠绕方向相反，载流导线穿过两个敏感环的中心，使两测量臂测量同一电流，共同组成差分结构。光电探测单元由两个型号参数完全相同的PIN光电探测器组成，电信号控制处理单元接收来自光电探测单元的电信号，并输出电压信号控制相位调制器(3A3)和相位调制器(3B3)的输出相位，形成闭环控制回路。本发明的差分式全光纤电流互感器利用差分结构减小了振动和温度变化等环境因素对输出信号的影响，提高了全光纤电流互感器的测量精度。
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公开(公告)号：CN119397762A
公开(公告)日：2025-02-07
申请号：CN202411445991.4
申请日：2024-10-16
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: G06F30/20 , G06F119/02 , G06F119/04
Abstract: 本发明公开了一种交变栅极驱动下SiC MOSFET的加速退化模型，所述模型以栅极负偏置电压、结温、栅极电压上升时间多个应力以及开关次数为输入，以阈值电压变化量为输出，解决了SiC MOSFET在交流BTI下的阈值电压漂移预测不准确的问题，可用于描述交变栅极驱动模式下SiC MOSFET阈值电压退化规律。本发明能够反映SiC MOSFET器件长期使用过程中的关键性能参数变化规律，对于准确评价、优化提升器件使用可靠性具有重要意义。
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公开(公告)号：CN115203859A
公开(公告)日：2022-10-18
申请号：CN202210929175.5
申请日：2022-08-03
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: G06F30/17 , G06F30/23 , G06N3/12 , G06F111/06 , G06F119/02 , G06F119/04 , G06F119/14
Abstract: 一种磁保持极化继电器全寿命周期稳健参数寻优方法，涉及一种继电器稳健参数寻优方法。分析非线性各向异性永磁体的实际工作点，计算得到磁偶极子的矢量化信息和永磁体局部磁滞回线模型；建立虚拟样机模型；以吸反力配合特征和分断动能为内核，分析性能特征和质量一致性的形成机制，建立多目标稳健参数设计模型；改进差分进化算法；对多目标稳健参数设计模型进行迭代寻优，生产批次虚拟样机模型进行验证。充分考虑非线性各向异性永磁体充退磁过程中的局部磁滞效应，通过建立综合考虑磁保持极化继电器全寿命周期的多目标稳健参数设计模型，并通过改进的多目标差分进化算法进行寻优，提升综合性能，改善质量一致性。
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