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公开(公告)号：CN103985651B
公开(公告)日：2016-08-17
申请号：CN201410198471.8
申请日：2014-05-12
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: H01L21/603 , B81C3/00 , B82Y40/00
Abstract: 一种低温快速连接活化金属表面与微纳米连接材料的方法，它涉及一种纳米微连接的方法。本发明要解决现有微连接技术连接时间长、连接温度高以及界面有缺陷的问题。本发明方法：一、选择基板材料；二、制备金属微纳米结构；三、选择微纳米连接材料；四、进行键合。相比传统的熔融焊接明显提高连接效率，缩短连接时间，降低连接工艺温度，无需助焊剂，键合残余应力低，界面微孔洞等缺陷少，而且工艺流程简单、耗时短。本发明用于低温快速连接活化金属表面与微纳米连接材料。
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公开(公告)号：CN104759725A
公开(公告)日：2015-07-08
申请号：CN201510182019.7
申请日：2015-04-17
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: B23K1/008 , B23K1/20 , B23K35/26 , B23K35/363
CPC classification number: B23K1/012 , B23K1/20 , B23K35/025 , B23K35/262 , B23K35/362 , B23K2101/36
Abstract: 一种使用微纳米级金属颗粒填充Sn基焊料实现电子组件高温封装的方法，步骤如下：步骤一：制备微纳米金属颗粒，将其与分散剂、粘结剂、稀释剂以及助焊剂混合；步骤二：将微纳米金属颗粒混合物与纯Sn或Sn基焊膏均匀混合；步骤三：将微纳米级金属颗粒填充Sn基焊膏放置于基板上，完成待焊部件对准过程，并施加压力；步骤四：将以上体系放入回流炉中，经历预热阶段、保温阶段、再流阶段、冷却阶段。本发明应用微纳米级金属颗粒填充Sn基焊料中，在与传统再流焊兼容的工艺条件下可实现高功率器件或组件的连接及组装，在器件高温服役过程中，形成接头内部的金属颗粒，具备优异的导电和导热性能，会使电子组件的散热和电气性能指标显著提升。
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公开(公告)号：CN103972165A
公开(公告)日：2014-08-06
申请号：CN201410223960.4
申请日：2014-05-24
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: H01L21/768 , H01L21/603 , H01L21/607
CPC classification number: H01L2224/16145 , H01L2224/16225 , H01L21/76898 , H01L24/82 , H01L2021/60007 , H01L2224/82
Abstract: 本发明公开了一种实现硅通孔叠层芯片互连的方法，所述方法按以下步骤实现多层堆叠硅通孔芯片间的键合：打孔→填充导电金属→制备钎料层→夹持对中→键合→成品，所述键合过程中，利用电流焦耳热辅助键合工艺实现硅通孔三维互连焊点键合。本发明提供的焦耳热辅助实现三维封装键合方法能够在较低的温度甚至是常温下，实现全金属间化合物焊点的快速键合，有效的降低了芯片的热损伤；在定向电流的作用下，使焊点中的金属间化合物定向、择优、快速生长，焊点具备较高的导电性和优异的综合力学性能，有效的提高了焊点的可靠性；采用平行电极电阻焊实验平台，容易集成热板、超声装置，可以达到更为优异的键合效果，缩短键合时间。
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公开(公告)号：CN103626497A
公开(公告)日：2014-03-12
申请号：CN201310610679.1
申请日：2013-11-27
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: C04B35/582 , C04B35/622
Abstract: 高导热氮化铝基复相陶瓷的制备方法，涉及一种高导热陶瓷材料的制备方法。所述方法为：称取定量聚碳硅烷置于球磨罐中，加入适量的二甲苯，得到聚碳硅烷-二甲苯溶液；称取经表面改性的氮化铝粉体置于球磨罐中球磨混合，完成混合浆料制备；将混合浆料进行干燥，获得陶瓷预制体；将陶瓷预制体置于管式炉内在湿惰性气体保护下完成热处理。本发明所制备的AlN-莫来石复相陶瓷材料可以拥有AlN和莫来石相的优点，密度低、介电常数低，热导率可以达到5~170W/m·K，热膨胀系数小，可很好地与半导体材料相匹配，烧结制备温度低，并且所制备的陶瓷材料致密度高、成本小，可以满足陶瓷封装材料的需求，适合产业化生产。
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公开(公告)号：CN103383368A
公开(公告)日：2013-11-06
申请号：CN201310293549.X
申请日：2013-07-12
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: G01N25/72
Abstract: 点阵式热传导测温检测工件缺陷法，涉及一种工件内部缺陷检测方法。上述方法步骤如下：在待测试件正面上方分别设置有一激光器和红外热像仪A，在待测试件背面下方设有一红外热像仪B，将一束激光定功率照射在待测试件正面上，令工件照射点温度快速升高，红外热像仪A和红外热像仪B同时检测激光光斑上下处的温升曲线，检测最高值，根据最高值判断激光光斑处工件内部是否有缺陷。本方法应用面广阔，不仅对工件内部缺陷有较高的检出率，更可描绘出其位置、形状、深浅等三维信息。本检测方法简便直观，无损，检测过程无需中间介质，对工件无不良影响，检测结果直观准确。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103258755A
公开(公告)日：2013-08-21
申请号：CN201310140009.8
申请日：2013-04-22
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 倒装焊芯片焊点缺陷背视测温检测法，涉及一种芯片焊点缺陷的检测方法。针对现有检测技术无法满足生产实际需求的缺陷，本发明按照如下方法检测倒装焊芯片焊点缺陷：在倒装芯片的基底一侧分别设置有热像仪和红外激光器，将红外激光束对准倒装芯片基底待测焊盘，调整好功率和脉宽参数，对之施以热激励，热像仪实时检测基底待测焊盘处温升过程，同时观察和拍摄温升最高点的热图像，根据温升曲线、热像图判断倒装焊芯片的焊点缺陷。本发明的倒装焊芯片焊点虚焊检测法采用逐点检测的方法，具有无损、缺陷高辨识率、判别直观简单的特点。此外，适用工艺范围广，本方法可同样适用于芯片侧植球时缺陷检测和三维组装时基底侧面植球焊点缺陷检测。
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公开(公告)号：CN102943268A
公开(公告)日：2013-02-27
申请号：CN201210508619.4
申请日：2012-12-03
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: C23C26/02
Abstract: 环形焊盘的激光喷射修复方法，它涉及激光喷射修复方法，本发明要解决现有修复方法对环形焊盘进行修复过程中存在环形焊盘划伤和环形焊盘从电路板上脱落问题，以及对临近的焊盘、元器件及电路板造成损伤问题。本发明中环形焊盘的激光喷射修复方法按以下步骤进行：一、采用溅射、蒸镀或化学气相沉积方法在透明基板表面制备一层金属薄膜；二、将待修复环形焊盘放置在镀有金属薄膜的透明基板的下方；三、启动激光器发出高斯能量分布的激光束对透明基板与金属薄膜之间界面进行照射；四、金属薄膜在激光束的作用下气化后向待修复的环形焊盘喷射并在其上冷却并凝固；五、重复步骤三及步骤四多次，即完成环形焊盘的修复过程。本发明适用于电子工程领域。
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公开(公告)号：CN102183545B
公开(公告)日：2012-11-21
申请号：CN201110033883.2
申请日：2011-01-31
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: G01N25/72
Abstract: 检测电路板焊点可靠性的红外测温检测法，属于印刷电路板的焊点虚焊检测技术领域。它解决了现有方法对于外观正常的具有缺陷的焊点无法进行检测的问题。它包括以下步骤：一：采用红外激光器发出一束红外激光聚集至电路板上的待检测焊点上，采用红外热像仪获取该待检测焊点的动态图像和该待检测焊点引线处的动态图像，得到待检测焊点和待检测焊点引线处的温度分布曲线；二：将待检测焊点的温度分布曲线和待检测焊点引线处的温度分布曲线同比叠加在一起；三：对叠加结果进行判断：当两条温度分布曲线的分布趋势相同，且两条温度分布曲线上的最高温度点同步，判定该待检测焊点为合格焊点；否则为不合格焊点。本发明适用于电路板焊点可靠性的检测。
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公开(公告)号：CN102711405A
公开(公告)日：2012-10-03
申请号：CN201210181933.6
申请日：2012-06-05
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 电路板封装容器及提高可靠性的浸液式电路板二次封装方法，涉及一种电路板封装容器及其封装方法。本发明的电路板封装容器包括电路板容器2、容器封盖4，所述电路板容器2的外表面设有散热鳍12，容器封盖4通过紧固螺丝9与电路板容器2连接，容器封盖4上设有绝缘导热液注入口7，绝缘导热液注入口7上盖有注入口密封盖10。封装方法为：将加工测试好的电路板的引线与容器封盖上的引线插座连接好；将电路板放入电路板容器中固定好；盖上容器封盖紧固好；检测容器内密封性；将绝缘导热液从容器封盖上的绝缘导热液注入口注满，旋紧密封盖。普通电路板经此封装后可使温度均匀，热应力小、变形小、温度变化缓慢、热冲击小、可消除电路板热点，同时起到保护作用，大幅提高电路板的可靠性和服役寿命。
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公开(公告)号：CN102522455A
公开(公告)日：2012-06-27
申请号：CN201110422024.2
申请日：2011-12-16
Applicant: 哈尔滨工业大学(威海)
IPC: H01L31/18
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 本发明是涉及一种芯片垂直互联方法，其将发射器件和接收器件固定于芯片上；将电信号传导至芯片一侧的发射器件上，由发射器件将电信号转化为光信号；光信号透过芯片传输至芯片另一侧的接收器件，由芯片上接收器件将接收到的光信号转化为电信号，透过芯片的无通孔光垂直互联，实现芯片间信号传输。本发明不用在芯片间制作通孔，从而避免了通孔、填孔、金属化的工艺流程，减少芯片制作步骤，不破坏芯片的完整性，提升芯片可靠性。其工艺简单，加工容易，制作成本低。
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