-
公开(公告)号：CN114765190A
公开(公告)日：2022-07-19
申请号：CN202110563472.8
申请日：2021-05-24
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/146
Abstract: 本发明的各个实施例针对图像传感器以及用于形成图像传感器的方法，其中像素间沟槽隔离结构由低透射率层限定。在一些实施例中，图像传感器包括像素的阵列和像素间沟槽隔离结构。像素的阵列位于衬底上，并且阵列的像素包括位于衬底中的单独的光电探测器。像素间沟槽隔离结构位于衬底中。此外，像素间沟槽隔离结构沿着像素的边界延伸，并且单独地围绕光电探测器，以将光电探测器彼此分隔开。像素间沟槽隔离结构由对于入射辐射具有低透射率的低透射率层限定，使得像素间沟槽隔离结构对于入射辐射具有低透射率。低透射率层可以例如是或包括金属和/或一些其他合适的材料。
-
公开(公告)号：CN112117289A
公开(公告)日：2020-12-22
申请号：CN202010546967.5
申请日：2020-06-16
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/146
Abstract: 本申请的各个实施例针对包括波长可调窄带滤色器的图像传感器以及用于形成图像传感器的方法。在一些实施例中，图像传感器包括衬底、第一光电探测器、第二光电探测器和滤色器。第一光电探测器和第二光电探测器相邻地位于衬底中。滤色器位于第一光电探测器和第二光电探测器上面，并且包括第一分布式布拉格反射器(DBR)、第二DBR以及位于第一DBR和第二DBR之间的中间层。中间层的厚度在第一光电探测器上面具有第一厚度值并且在第二光电探测器上面具有第二厚度值。在一些实施例中，滤色器限于单个中间层。在其它实施例中，滤色器还包括第二中间层，第二中间层限定嵌入第一中间层中的柱状结构并且具有与第一中间层不同的折射率。
-
公开(公告)号：CN119521818A
公开(公告)日：2025-02-25
申请号：CN202411542029.2
申请日：2024-10-31
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H10F39/18 , H04N25/13 , H04N23/13 , H04N25/703
Abstract: 一些实施例涉及一种集成电路(IC)器件及其制造方法，集成电路器件包括衬底，衬底包括分别与多个彩色像素相关联的多个第一光电探测器组和分别与多个相位检测像素相关联的多个第二光电探测器组。第一光电探测器组和第二光电探测器组中的每个包括一个或多个光电探测器。该器件还包括在衬底上的栅格结构、衬底上的滤色器和串扰降低结构。栅格结构包括遮光罩，每个遮光罩被配置为将光重定向远离第二光电探测器组中的相应一个。每个滤色器在第一光电探测器组中的相应一个处垂直跨越栅格结构。串扰降低结构横向于滤色器，并限制由每个相位检测像素的遮光罩重定向至彩色像素中的相邻一个的第一光电探测器组的光量。
-
公开(公告)号：CN110783351B
公开(公告)日：2022-12-13
申请号：CN201910035883.2
申请日：2019-01-15
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/146
Abstract: 本申请的各个实施例涉及一种具有高透射率的窄带滤波器和包括窄带滤波器的图像传感器。在一些实施例中，滤波器包括第一分布式布拉格反射器(DBR)、第二DBR、位于第一和第二DBR之间的缺陷层、以及多个柱状结构。柱状结构延伸穿过缺陷层并具有与缺陷层的折射率不同的折射率。第一和第二DBR限定低透射带，并且缺陷层限定划分低透射带的高透射带。柱状结构将高透射带移向更低或更高的波长，这取决于柱状结构的折射率和柱状结构的填充因子。本发明实施例涉及具有高透射率的窄带滤波器。
-
公开(公告)号：CN115207007A
公开(公告)日：2022-10-18
申请号：CN202210159802.1
申请日：2022-02-22
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/146
Abstract: 在一些实施例中，本发明涉及图像传感器集成芯片。该图像传感器集成芯片包括具有第一侧和与第一侧相对的第二侧的衬底。该衬底包括一个或多个侧壁，该侧壁限定沿着具有第一宽度的像素区的相对侧延伸的沟槽。包括一种或多种介电材料的隔离结构设置在沟槽内。该隔离结构具有第二宽度。图像感测元件和聚焦区设置在像素区内。该聚焦区被配置为沿着衬底的第二侧接收入射辐射。该第二宽度与该第一宽度之比介于约0.1与约0.2之间的范围内，以使得聚焦区完全被限制在隔离结构的面向图像感测元件的内侧壁之间。本申请的实施例还涉及形成图像传感器集成芯片的方法。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN114823751A
公开(公告)日：2022-07-29
申请号：CN202110585775.X
申请日：2021-05-27
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/146
Abstract: 本公开的各种实施例涉及一种包括设置在衬底内的第一图像传感器元件及第二图像传感器元件的图像传感器器件。内连结构沿着衬底的前侧表面设置且包括多条导电配线、多个导通孔及第一吸收结构。第一图像传感器元件被配置成从处于第一波长范围内的电磁辐射产生电信号。第二图像传感器元件被配置成从处于第二波长范围内的电磁辐射产生电信号，第二波长范围不同于第一波长范围。第二图像传感器元件在侧向上邻近第一图像传感器元件。此外，第一图像传感器元件上覆在第一吸收结构上且在侧向上在第一吸收结构的相对的侧壁之间间隔开。
-
公开(公告)号：CN110957337A
公开(公告)日：2020-04-03
申请号：CN201910794239.3
申请日：2019-08-27
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/146
Abstract: 本揭露提供一种图像传感器以及用于形成图像传感器的方法。在一些实施例中，图像传感器包含设置于半导体衬底中的光电探测器。具有实质平坦上表面的波导滤波器设置于光电探测器上方。波导滤波器包含设置于滤光器栅结构中的滤光器。滤光器包含半透明且具有第一折射率的第一材料。滤光器栅结构包含半透明且具有小于第一折射率的第二折射率的第二材料。
-
公开(公告)号：CN110957333A
公开(公告)日：2020-04-03
申请号：CN201910211325.7
申请日：2019-03-20
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/146
Abstract: 提供了图像传感器封装。图像传感器封装件包括封装衬底和布置在封装衬底上方的图像传感器芯片。该集成电路器件还包括位于图像传感器芯片上面的保护层，该保护层具有平坦的顶面和内衬并且接触保护层下面的结构的底面，以及在图像传感器芯片的外周周围间隔开的晶圆上屏蔽结构。由于被内置保护层代替而不再需要分立的盖玻璃或红外滤光器和相应的介入材料，图像传感器封装件的高度可以减小。由于被内置的晶圆上光屏蔽结构代替而不再需要分立的遮光罩和相应的介入材料，图像传感器封装件的尺寸可以减小。本发明的实施例还涉及晶圆级图像传感器封装件。
-
公开(公告)号：CN112992945B
公开(公告)日：2024-02-20
申请号：CN202011465419.6
申请日：2020-12-14
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/146 , H01L23/552
Abstract: 本公开的各种实施例涉及一种集成芯片(IC)及形成集成芯片的方法。所述集成芯片包括位于衬底中的第一相位检测自动聚焦(PDAF)光电检测器及第二PDAF光电检测器。第一电磁辐射(EMR)漫反射器沿着衬底的背侧设置且设置在第一PDAF光电检测器的周边以内。第一EMR漫反射器与第一PDAF光电检测器的第一侧间隔开第一距离且与第一PDAF光电检测器的第二侧间隔开比第一距离小的第二距离。第二EMR漫反射器沿着衬底的背侧设置且设置在第二PDAF光电检测器的周边以内。第二EMR漫反射器与第二PDAF光电检测器的第一侧间隔开第三距离且与第二PDAF光电检测器的第二侧间隔开比第三距离小的第四距离。
-
公开(公告)号：CN110957337B
公开(公告)日：2024-01-26
申请号：CN201910794239.3
申请日：2019-08-27
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/146
Abstract: 本揭露提供一种图像传感器以及用于形成图像传感器的方法。在一些实施例中，图像传感器包含设置于半导体衬底中的光电探测器。具有实质平坦上表面的波导滤波器设置于光电探测器上方。波导滤波器包含设置于滤光器栅结构中的滤光器。滤光器包含半透明且具有第一折射率的第一材料。滤光器栅结构包含半透明且具有小于第一折射率的第二折射率的第二材料。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
25
records
(took 0.034 seconds)
