公开(公告)号：CN114765105A

公开(公告)日：2022-07-19

申请号：CN202110744390.3

申请日：2021-07-01

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 张玮玲 ,  王志谦 ,  郑智远 ,  陈思帆 ,  林建宏 ,  陈俊璋 ,  郭景森 ,  许峰嘉

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/027 ,  H01L21/033

Abstract: 实施方式关于减少半导体基材中的电荷的方法。此方法包含沉积光阻于半导体基材上，以形成光阻层于半导体基材上。将光阻层曝光于辐射。使用显影剂溶液来显影光阻层。使用第一清洁液体来清洁半导体基材，以从光阻层洗去显影剂溶液。对半导体基材施加四甲基氢氧化铵溶液，以减少累积在半导体基材中的电荷。

公开(公告)号：CN109461700A

公开(公告)日：2019-03-12

申请号：CN201711284349.2

申请日：2017-12-07

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 邱威超 ,  王志谦 ,  许峰嘉 ,  郭景森 ,  张浚威 ,  曾凯

IPC: H01L21/77 ,  H01L31/18

Abstract: 本发明的实施例提供一种制作半导体器件的方法。所述方法包括：使用具有第一图案的第一光掩模在第一光刻胶层中形成第一沟槽以暴露出衬底的第一表面；将离子经由第一沟槽引至暴露的第一表面中以在衬底中形成第一隔离区；移除第一光刻胶层；使用具有第二图案的第二光掩模在第二光刻胶层中形成第二沟槽以暴露出衬底的第二表面，第二图案相对于第一图案对角地偏移半个掩模间距；将离子经由第二沟槽引至暴露的第二表面中以在衬底中形成第二隔离区，第一隔离区与第二隔离区在衬底中交替地设置且第一隔离区与第二隔离区之间界定像素区；以及移除第二光刻胶层。