-
公开(公告)号：CN112242437A
公开(公告)日：2021-01-19
申请号：CN202010211140.9
申请日：2020-03-24
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L29/51 , H01L29/78 , H01L21/28 , H01L21/336
Abstract: 本发明实施例关于半导体装置，其包括基板，以及位于基板上的第一间隔物与第二间隔物。半导体装置包括位于第一间隔物与第二间隔物之间的栅极堆叠。栅极堆叠包括栅极介电层，其具有形成于基板上的第一部分，以及形成于第一间隔物与第二间隔物上的第二部分。第一部分包括结晶材料，且第二部分包括非晶材料。栅极堆叠还包括栅极位于栅极介电层的第一部分与第二部分上。
-
公开(公告)号：CN113380820B
公开(公告)日：2024-12-24
申请号：CN202110184564.5
申请日：2021-02-10
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 一种存储器单元包括位于半导体衬底上方的薄膜晶体管。该薄膜晶体管包含：接触字线的铁电(FE)材料，该FE材料为含铪化合物，铪化合物包含稀土金属；以及接触源极线和位线的氧化物半导体(OS)层，其中，FE材料设置在OS层和字线之间。本申请的实施例还提供了半导体器件及其形成方法。
-
公开(公告)号：CN113517297B
公开(公告)日：2024-09-17
申请号：CN202110478013.X
申请日：2021-04-30
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 存储器单元包括：晶体管，包括沿字线延伸的存储器膜；沟道层，沿存储器膜延伸，其中，存储器膜位于沟道层和字线之间；源极线，沿存储器膜延伸，其中，存储器膜位于源极线和字线之间；第一接触层，位于源极线上，其中，第一接触层接触沟道层和存储器膜；位线，沿存储器膜延伸，其中，存储器膜位于位线和字线之间；第二接触层，位于位线上，其中，第二接触层接触沟道层和存储器膜；以及隔离区域，位于源极线和位线之间。本申请的实施例还涉及半导体器件及其形成方法。
-
公开(公告)号：CN113594166A
公开(公告)日：2021-11-02
申请号：CN202110327370.6
申请日：2021-03-26
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/11517 , H01L27/11551 , H01L27/11526 , H01L27/11563 , H01L27/11573 , H01L27/11578
Abstract: 本公开涉及包括外延源极线和位线的存储阵列。公开了一种3D存储阵列及其形成方法，其中，水平合并并且垂直不合并的外延源极/漏极区域被用作源极线和位线。在实施例中，一种存储阵列包括：第一沟道区域，在半导体衬底之上；第一外延区域，电耦合到第一沟道区域；第二外延区域，在与半导体衬底的主表面垂直的方向上位于第一外延区域正上方；电介质材料，在第一外延区域和第二外延区域之间，第二外延区域通过电介质材料与第一外延区域隔离；栅极电介质，围绕第一沟道区域；以及栅极电极，围绕栅极电介质。
-
公开(公告)号：CN113380291A
公开(公告)日：2021-09-10
申请号：CN202110588915.9
申请日：2021-05-28
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 本发明的实施例公开了一种存储单元，包括写位线、写入晶体管和读取晶体管。写入晶体管连接在写位线和第一节点之间。读取晶体管通过第一节点连接至写入晶体管。读取晶体管包括铁电层。写入晶体管被配置为通过调整读取晶体管的极化状态的写位线信号来设置存储单元的存储数据值。极化状态对应于所存储的数据值。本发明的实施例还公开了一种操作存储单元的方法。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113540151B
公开(公告)日：2025-03-04
申请号：CN202110720940.8
申请日：2021-06-28
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H10B63/00
Abstract: 本文公开了存储器器件和形成存储器器件的方法。存储器器件包括：电阻存储器阵列，包括第一电阻存储器单元；阶梯接触结构，与电阻存储器阵列相邻；以及金属间介电层，位于阶梯接触结构上方。存储器器件还包括：第一二极管和第二二极管，位于金属间介电层上方。存储器器件还包括：第一导电通孔，将第一二极管电耦接至第一电阻存储器单元的第一电阻器；以及第二导电通孔，将第二二极管电耦接至第一电阻存储器单元的第二电阻器。
-
公开(公告)号：CN113380887B
公开(公告)日：2024-08-13
申请号：CN202011629397.2
申请日：2020-12-31
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L29/78 , H10B51/20 , H10B51/30 , H01L21/336
Abstract: 本发明的各种实施例针对铁电存储器器件。铁电存储器器件包括：一对源极/漏极区，设置在衬底中。栅极电介质，设置在衬底上方以及源极/漏极区之间。栅极电极，设置在栅极电介质上。极化切换结构，设置在栅极电极上。一对侧壁间隔件，设置成位于衬底上方、并且沿着栅极电极和极化切换结构的相对侧壁。本发明的实施例还提供了集成芯片和形成铁电FinFET存储器器件的方法。
-
公开(公告)号：CN114497072A
公开(公告)日：2022-05-13
申请号：CN202210016373.2
申请日：2022-01-07
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/11585 , H01L29/78 , H01L21/336
Abstract: 本公开涉及一种铁电场效应晶体管器件。铁电场效应晶体管器件包括具有第一侧和第二侧的铁电结构。栅极结构沿铁电结构的第一侧设置，并且氧化物半导体沿铁电结构的第二侧设置。氧化物半导体具有第一半导体类型。源极区域和漏极区域设置在氧化物半导体上。栅极结构横向介于源极区域和漏极区域之间。极化增强结构在源极区域和漏极区域之间布置在氧化物半导体上。极化增强结构包括具有不同于第一半导体类型的第二半导体类型的半导体材料或氧化物半导体材料。本发明的实施例还涉及集成芯片及形成铁电场效应晶体管器件的方法。
-
公开(公告)号：CN113517297A
公开(公告)日：2021-10-19
申请号：CN202110478013.X
申请日：2021-04-30
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/11565 , H01L27/1157 , H01L27/11578 , H01L27/11587 , H01L27/1159 , H01L27/11597
Abstract: 存储器单元包括：晶体管，包括沿字线延伸的存储器膜；沟道层，沿存储器膜延伸，其中，存储器膜位于沟道层和字线之间；源极线，沿存储器膜延伸，其中，存储器膜位于源极线和字线之间；第一接触层，位于源极线上，其中，第一接触层接触沟道层和存储器膜；位线，沿存储器膜延伸，其中，存储器膜位于位线和字线之间；第二接触层，位于位线上，其中，第二接触层接触沟道层和存储器膜；以及隔离区域，位于源极线和位线之间。本申请的实施例还涉及半导体器件及其形成方法。
-
公开(公告)号：CN113299830A
公开(公告)日：2021-08-24
申请号：CN202110564957.9
申请日：2021-05-24
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L49/02 , H01L27/11507
Abstract: 实施例包含制造具有多个金属接触件的金属‑铁电金属电容器的结构和方法。实施例可包含：第一金属条带，设置在衬底上且在第一方向上延伸；铁电毯覆层，设置在第一金属条带上；第二金属条带，设置在铁电毯覆层上且在不同于第一方向的第二方向上延伸；以及多个金属接触件，设置在第一金属条带与第二金属条带之间且位于第一金属条带与第二金属条带的相交区内。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
30
records
(took 0.034 seconds)
