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公开(公告)号：CN105800543A
公开(公告)日：2016-07-27
申请号：CN201510458907.7
申请日：2015-07-30
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
CPC classification number: B81B3/0005 , B81B2207/015 , B81C2201/019 , B81C2201/112 , B81C2203/0785
Abstract: 本发明提供了用于微电子机械系统(MEMS)器件的衬底结构、半导体结构及其制造方法。在各个实施例中，用于MEMS器件的衬底结构包括衬底、MEMS器件和抗粘层。MEMS器件位于衬底上方。抗粘层位于MEMS器件的表面上，并且包括非晶碳、聚四氟乙烯、氧化铪、氧化钽、氧化锆或它们的组合。
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公开(公告)号：CN104048919A
公开(公告)日：2014-09-17
申请号：CN201310364764.4
申请日：2013-08-20
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: G01N21/17
CPC classification number: C12Q1/6869 , B01F13/0071 , B01F13/0076 , B01L3/502707 , B01L3/502792 , B01L2300/0654 , B01L2300/0819 , B01L2300/0867 , B01L2300/089 , B01L2300/165 , B01L2300/168 , B01L2400/0427 , G01N21/05 , G01N21/6428 , G01N27/44721 , G01N27/44791 , G01N2021/0325 , G01N2021/058 , G01N2021/6482 , G01N2201/08 , G02B6/122
Abstract: 本发明涉及用于生物实体的光学检测。本公开描述了用于操作和处理生物实体样本的集成半导体器件和方法。器件包括下衬底、至少一个设置在下衬底上的光信号导管、至少一个设置在下衬底上的保护接合焊盘、配置以形成保护区域的保护件（设置在至少一个保护接合焊盘上）、微流体通道（其中微流体通道的第一侧在下衬底上形成且微流体通道的第二侧在保护件上形成）、与传感器控制电路相连的光传感器阵列、以及与流体控制电路、和传感器控制电路相连的逻辑电路。
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公开(公告)号：CN103675024A
公开(公告)日：2014-03-26
申请号：CN201310123631.8
申请日：2013-04-10
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: G01N27/00 , G01N27/414 , B81C1/00
CPC classification number: G01N27/4145 , H01L21/28525 , H01L21/31111 , H01L21/32135 , H01L21/7684 , H01L21/76877 , H01L21/823437 , H01L21/823475 , H01L27/283
Abstract: 直接感测BioFET和制造方法。本发明提供生物场效应晶体管(BioFET)和制造BioFET器件的方法。该方法包括采用与互补金属氧化物半导体(CMOS)工艺兼容或者是CMOS工艺中典型的一个或多个工艺步骤形成BioFET。BioFET器件包括具有感测栅极底部和许多堆叠的阱部分的多个微阱。阱部分的底表面积不同于直接位于其下方的阱部分的顶表面积。通过穿过不同材料包括牺牲插塞的多个蚀刻操作形成微阱，从而暴露出感测栅极而不产生等离子体所致损伤。
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公开(公告)号：CN103675024B
公开(公告)日：2018-02-13
申请号：CN201310123631.8
申请日：2013-04-10
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: G01N27/00 , G01N27/414 , B81C1/00
CPC classification number: G01N27/4145 , H01L21/28525 , H01L21/31111 , H01L21/32135 , H01L21/7684 , H01L21/76877 , H01L21/823437 , H01L21/823475 , H01L27/283
Abstract: 直接感测BioFET和制造方法。本发明提供生物场效应晶体管(BioFET)和制造BioFET器件的方法。该方法包括采用与互补金属氧化物半导体(CMOS)工艺兼容或者是CMOS工艺中典型的一个或多个工艺步骤形成BioFET。BioFET器件包括具有感测栅极底部和许多堆叠的阱部分的多个微阱。阱部分的底表面积不同于直接位于其下方的阱部分的顶表面积。通过穿过不同材料包括牺牲插塞的多个蚀刻操作形成微阱，从而暴露出感测栅极而不产生等离子体所致损伤。
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公开(公告)号：CN106395730A
公开(公告)日：2017-02-15
申请号：CN201610004627.3
申请日：2016-01-05
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
CPC classification number: B81B3/0072 , B81B2201/0257 , B81B2207/012 , B81C2201/053 , B81C2203/0792 , B81B7/007 , B81C1/00301
Abstract: 半导体结构包括第一器件和第二器件。第一器件包括板，该板包括多个孔；与板相对设置并且包括多个波纹的膜；以及延伸穿过板和膜的导电插塞。第二器件包括衬底和设置在衬底上方的接合焊盘，其中，导电插塞与接合焊盘接合以将第一器件和第二器件集成，以及该板包括半导体构件和拉伸构件，并且半导体构件设置在拉伸构件内。本发明的实施例还涉及制造半导体结构的方法。
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公开(公告)号：CN106241727A
公开(公告)日：2016-12-21
申请号：CN201511017559.6
申请日：2015-12-30
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
CPC classification number: B81B3/001 , B81B2201/0257 , B81B2207/015 , B81C1/00182 , H04R19/00 , H04R19/005 , H04R19/04 , H04R31/00 , B81C1/00015 , B81B7/02
Abstract: 本发明提供一种半导体结构，包括第一器件和第二器件。第一器件包括：板，包括多个孔；隔膜，设置为与板相对并且包括面向多个孔的多个波形件；以及导电塞，从板延伸穿过隔膜。第二器件包括衬底和设置在衬底上方的接合焊盘，其中导电塞与接合焊盘接合，以将第一器件与第二器件集成，并且板是外延(EPI)硅层或绝缘体上硅(SOI)衬底。本发明还提供了半导体结构的制造方法。
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公开(公告)号：CN103359682B
公开(公告)日：2016-12-21
申请号：CN201210279330.X
申请日：2012-07-24
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: B81C1/00
CPC classification number: B81C1/00349 , B81B2201/042 , B81C1/00111 , B81C1/00206 , B81C1/00214 , B82Y20/00 , G01N27/44791
Abstract: 本发明涉及一种形成MEMS纳米结构的方法，该方法包括：将部分衬底凹进，从而在该衬底内形成多个台面。多个台面中的每个台面均具有顶面和侧壁面。在该衬底之上方沉积反光层，从而覆盖每个台面的顶面和侧壁面。在反光层之上形成保护层。在保护层之上形成ARC层。光刻胶层中的开口形成在每个台面上的ARC层之上。通过该开口去除部分ARC层、保护层和反光层，从而暴露出每个台面的顶面。去除每个台面的顶面之上的光刻胶层和ARC层。本发明还提供了一种MEMS纳米结构及其形成方法。
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公开(公告)号：CN104048919B
公开(公告)日：2016-08-10
申请号：CN201310364764.4
申请日：2013-08-20
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: G01N21/17
CPC classification number: C12Q1/6869 , B01F13/0071 , B01F13/0076 , B01L3/502707 , B01L3/502792 , B01L2300/0654 , B01L2300/0819 , B01L2300/0867 , B01L2300/089 , B01L2300/165 , B01L2300/168 , B01L2400/0427 , G01N21/05 , G01N21/6428 , G01N27/44721 , G01N27/44791 , G01N2021/0325 , G01N2021/058 , G01N2021/6482 , G01N2201/08 , G02B6/122
Abstract: 本发明涉及用于生物实体的光学检测。本公开描述了用于操作和处理生物实体样本的集成半导体器件和方法。器件包括下衬底、至少一个设置在下衬底上的光信号导管、至少一个设置在下衬底上的保护接合焊盘、配置以形成保护区域的保护件（设置在至少一个保护接合焊盘上）、微流体通道（其中微流体通道的第一侧在下衬底上形成且微流体通道的第二侧在保护件上形成）、与传感器控制电路相连的光传感器阵列、以及与流体控制电路、和传感器控制电路相连的逻辑电路。
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公开(公告)号：CN104034656A
公开(公告)日：2014-09-10
申请号：CN201310239598.5
申请日：2013-06-17
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: G01N21/00
CPC classification number: B29C65/72 , B01L3/502707 , B01L2300/0636 , B01L2300/0887 , G01N27/4145
Abstract: 本发明提供了一种可扩展的生物芯片及其制造方法。生物芯片包括采用聚合物而接合在一起的流体部分和感测部分。流体部分在一侧上具有微流体通道图案且在另一侧上具有流体连接至微流体通道图案的流体入口和流体出口。在用牺牲保护层保护微流体通道图案之后，通过激光钻孔形成流体入口和流体出口。在低温下进行聚合物的接合而没有破坏感测部分的感测表面上的图案化的表面化学物。
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公开(公告)号：CN116553469A
公开(公告)日：2023-08-08
申请号：CN202210977196.4
申请日：2022-08-15
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 本公开涉及混合超声换能器系统。本公开涉及一种集成芯片结构。该集成芯片结构包括设置在衬底上的电介质堆叠。集成芯片结构还包括一个或多个压电式微机械超声换能器(PMUT)和一个或多个电容式微机械超声换能器(CMUT)。一个或多个PMUT包括设置在所述电介质堆叠内、位于一个或多个PMUT腔之上的压电堆叠。一个或多个CMUT包括设置在所述电介质堆叠内并由一个或多个CMUT腔分隔开的电极。隔离室被布置在所述电介质堆叠内、横向位于所述一个或多个PMUT和所述一个或多个CMUT之间。所述隔离室在竖直方向上延伸经过所述一个或多个PMUT和所述一个或多个CMUT两者的至少一部分。
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