公开(公告)号：CN110216578B

公开(公告)日：2021-08-24

申请号：CN201910553474.1

申请日：2014-02-17

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 吴铭栋 ,  谢元智 ,  赵兰璘 ,  蔡嘉雄

IPC: B24B37/30 ,  B24B37/34 ,  B24B41/00 ,  H01L21/67 ,  H01L21/683 ,  H01L21/687

Abstract: 一种晶圆研磨系统，包括在一个端部具有吸持板的机械臂和在机械臂的范围内的工作台。工作台的上表面具有用于吸持和保持晶圆的真空表面。连接到机械臂的推动器在吸持板的外围延伸。推动器使晶圆在工作台的上表面上变平，从而允许工作台通过吸持力来保持晶圆，否则所述晶圆太弯曲以致于不能以这种方式来保持。此外，工作台可以具有相对于晶圆较小的真空区域，真空区域是增加可以容许的晶圆弯曲的幅度的另一种方式。研磨系统可以使用减小的真空区域概念以允许定位工作台保持弯曲的晶圆并且可以使用推动器概念允许卡盘工作台保持弯曲的晶圆。本发明还提供了用于弯曲晶圆的传送模块。

公开(公告)号：CN107297681B

公开(公告)日：2021-06-15

申请号：CN201710173051.8

申请日：2017-03-22

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 吴铭栋 ,  匡训冲

IPC: B24B37/32

Abstract: 本发明实施例揭示一种晶片载体组合件。晶片载体组合件包含晶片载体及流体通路。所述晶片载体包括保持器环，所述保持器环限定晶片容纳空间。所述流体通路位于所述晶片载体内侧。所述流体通路包含入口及至少一出口，所述出口用以将流体施配到所述晶片容纳空间中。

公开(公告)号：CN112349617A

公开(公告)日：2021-02-09

申请号：CN201911028834.2

申请日：2019-10-28

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 周东和 ,  陈升照 ,  吴铭栋 ,  匡训冲

IPC: H01L21/67 ,  H01L21/02

Abstract: 本公开实施例涉及一种晶片修整和清洗设备，其包含配置成修整晶片的受损边缘部分的刀片，由此定义晶片的新侧壁。晶片修整和清洗设备进一步包含水喷嘴和空气喷嘴。水喷嘴配置成将去离子水施加到晶片的新侧壁以去除由刀片产生的污染物颗粒。空气喷嘴配置成将加压气体施加到晶片的第一顶部表面区域以去除由刀片产生的污染物颗粒。第一顶部表面区域上覆于晶片的新侧壁。

公开(公告)号：CN110216578A

公开(公告)日：2019-09-10

申请号：CN201910553474.1

申请日：2014-02-17

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 吴铭栋 ,  谢元智 ,  赵兰璘 ,  蔡嘉雄

IPC: B24B37/30 ,  B24B37/34 ,  B24B41/00 ,  H01L21/67 ,  H01L21/683 ,  H01L21/687

Abstract: 一种晶圆研磨系统，包括在一个端部具有吸持板的机械臂和在机械臂的范围内的工作台。工作台的上表面具有用于吸持和保持晶圆的真空表面。连接到机械臂的推动器在吸持板的外围延伸。推动器使晶圆在工作台的上表面上变平，从而允许工作台通过吸持力来保持晶圆，否则所述晶圆太弯曲以致于不能以这种方式来保持。此外，工作台可以具有相对于晶圆较小的真空区域，真空区域是增加可以容许的晶圆弯曲的幅度的另一种方式。研磨系统可以使用减小的真空区域概念以允许定位工作台保持弯曲的晶圆并且可以使用推动器概念允许卡盘工作台保持弯曲的晶圆。本发明还提供了用于弯曲晶圆的传送模块。

公开(公告)号：CN109807749A

公开(公告)日：2019-05-28

申请号：CN201810992219.2

申请日：2018-08-29

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 蓝浚恺 ,  周东和 ,  吴铭栋 ,  陈升照 ,  匡训沖

IPC: B24B53/017 ,  B24B37/10

Abstract: 本发明实施例涉及一种化学机械抛光设备及其操作方法。一种用于化学机械抛光的设备包含垫调节器。所述垫调节器包含具有第一表面的第一盘及具有第二表面的第二盘。所述第一表面含有具有第一平均粒径的多个第一磨粒且所述第二表面含有具有大于所述第一平均粒径的第二平均粒径的多个第二磨粒。