公开(公告)号：CN110783186A

公开(公告)日：2020-02-11

申请号：CN201910696438.0

申请日：2019-07-30

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 吴历杰 ,  陈科维 ,  魏国修 ,  张棠贵 ,  李佳璇 ,  林建锜

IPC: H01L21/306 ,  H01L23/48

Abstract: 提供半导体装置的结构与形成方法。方法包括形成导电结构于半导体基板上，并形成介电层于导电结构上。方法亦包括形成开口于介电层中，以露出导电结构。方法还包括形成导电材料以超填开口。此外，方法包括采用化学机械研磨工艺薄化导电材料。化学机械研磨工艺所用的研磨液包括含铁氧化剂，且含铁氧化剂氧化导电材料的一部分。

公开(公告)号：CN110223908A

公开(公告)日：2019-09-10

申请号：CN201910309885.6

申请日：2014-12-18

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 孙旭昌 ,  刘启人 ,  庄英良 ,  吴历杰 ,  陈亮光 ,  颜名良

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/28 ,  H01L21/321 ,  H01L21/336 ,  B24B37/20

Abstract: 本发明提供了一种制造半导体器件的方法。该方法包括：提供半导体结构，该半导体结构包括形成为填充两个相邻的层间电介质(ILD)区之间的沟槽的金属栅极(MG)层；使用CMP系统实施化学机械抛光(CMP)工艺以平坦化MG层和ILD区；以及使用包括溶解在去离子水(DIW)中的臭氧气体(O3)的O3/DIW溶液清洗平坦化的MG层。MG层形成在ILD区上。本发明涉及用于化学机械抛光和清洗的系统和方法。