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公开(公告)号：CN104332542B
公开(公告)日：2017-04-26
申请号：CN201410551495.7
申请日：2014-10-17
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
IPC: H01L33/20
Abstract: 本发明公开一种衬底可重复利用的外延结构制作方法，包括以下步骤：一、在外延衬底表面由下自上依次形成缓冲层、衬底保护层、外延剥离层、外延保护层及外延发光结构；二、对外延剥离层进行氧化，形成氧化剥离层；三、在外延发光结构的第二型电流扩展层上蒸镀金属反射层；将金属反射层与基板键合；四、采用强碱腐蚀氧化剥离层，使用带旋转功能的腐蚀装置腐蚀氧化剥离层，直至外延发光结构与外延衬底剥离，得到可重复利用的外延衬底。本发明可以解决剥离二极管而导致外延层破损问题，且可重复利用衬底，节约成本。
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公开(公告)号：CN104167474B
公开(公告)日：2017-03-29
申请号：CN201410391579.9
申请日：2014-08-11
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
Abstract: 本发明公开一种高晶体质量红外发光二极管，在衬底之上依次形成缓冲层、腐蚀截止层、欧姆接触层、电流传输层、粗化层、第一型导电层、有源层及第二型导电层；有源层由多组的量子垒、降温层及量子阱三层结构循环构成，降温层位于量子垒与量子阱之间。本发明解决有源区的量子阱与其它外延层存在失配，引起的外延层晶体质量差的问题，提高红外发光二极管量子效率。
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公开(公告)号：CN104377288A
公开(公告)日：2015-02-25
申请号：CN201410551543.2
申请日：2014-10-17
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
CPC classification number: H01L33/42 , H01L33/0062 , H01L33/38 , H01L2933/0016
Abstract: 本发明公开一种具有电极出光的发光二极管制作方法：在外延衬底上外延形成外延发光结构，在外延发光结构上形成透光通道制作层；采用掩膜、ICP蚀刻工艺在透光通道制作层的电极区域，形成若干规则的透光通道，且ICP蚀刻深度至露出外延发光结构表面；在裸露的外延发光结构表面蒸镀透光材料直至填满透光通道，形成透光柱体；腐蚀去除透光通道制作层，留下透光柱体，且露出外延发光结构；外延发光结构表面形成焊台电极，且厚度超过透光柱体高度；采用ICP蚀刻作为焊台电极的第一电极或第二电极表面直至露出透光柱体的上表面；在外延发光结构上形成背电极，裂片形成发光二极管芯片。本发明可以减少焊台电极挡光面积，提高发光二极管的外量子效率。
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公开(公告)号：CN104332536A
公开(公告)日：2015-02-04
申请号：CN201410551209.7
申请日：2014-10-17
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
CPC classification number: H01L33/04 , H01L33/0062 , H01L33/12 , H01L33/14 , H01L33/305
Abstract: 本发明公开一种高浓度Te掺杂的发光二极管外延方法：一，在衬底上分别依次形成缓冲层、腐蚀阻挡层、粗化层；二、在粗化层上外延第一型电流扩展层的第一层结构；三、在第一型电流扩展层第一层结构上外延生长第一组超晶格；四、在第一组超晶格上外延生长第一型电流扩展层第二层结构；五、重复三、四的结构，直至在第n-1组超晶格上外延生长第一型电流扩展层第n层结构；六、在第一型电流扩展层第n层结构上接着外延生长第一型限制层、有源层、第二型限制层、第二型电流扩展层。本发明制作的发光二极管外延结构可以减少杂质对短波长光的吸收，有效提高发光二极管的发光效率。
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公开(公告)号：CN104332535A
公开(公告)日：2015-02-04
申请号：CN201410551438.9
申请日：2014-10-17
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
CPC classification number: H01L33/0079
Abstract: 本发明公开一种衬底可重复利用的大功率发光二极管外延结构，包括外延衬底、衬底保护层、氧化剥离层、外延保护层、金属反射层及外延发光结构；在外延衬底与外延发光结构之间设置氧化剥离层，氧化剥离层与外延发光结构之间设置外延保护层，氧化剥离层与外延衬底之间设置衬底保护层；在外延发光结构上设置金属反射层，在金属反射层上设置基板。本发明可以解决剥离二极管的外延衬底而导致外延层破损问题，从而可以重复利用衬底，节约成本。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN104201264A
公开(公告)日：2014-12-10
申请号：CN201410457065.9
申请日：2014-09-10
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
CPC classification number: H01L33/10 , H01L33/007 , H01L33/22 , H01L33/32
Abstract: 本发明公开一种具有高可靠性电极的红外发光二极管制作方法：提供外延层，在外延层第二型导电层上蒸镀金属反射镜，将其键合在基板上；去除外延衬底，露出微粗化层；在微粗化层表面形成粗化形貌；去除部分微粗化层，微粗化层剩余区域制作焊盘电极，而微粗化层的去除区域露出欧姆接触层；在露出的欧姆接触层表面形成扩展电极图形；形成焊盘电极和扩展电极；逐层去除裸露的欧姆接触层、腐蚀截止层直至露出粗化层；在粗化层的裸露区域形成表面粗化形貌；在基板背面蒸镀背电极，裂片即得。本发明有效提高焊台电极的可靠性，解决焊台电极由于粘附性差而容易脱落的问题，也解决打金线时焊台电极下的外延层容易被打碎的封装难题。
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公开(公告)号：CN104183679A
公开(公告)日：2014-12-03
申请号：CN201410433643.5
申请日：2014-08-29
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
IPC: H01L33/38
Abstract: 本发明公开一种具有嵌入式扩展电极的红外发光二极管，在发光结构一侧设置欧姆接触层，在欧姆接触层上设置粗化层；在粗化层上形成沟槽，在沟槽中形成扩展电极，扩展电极与欧姆接触层接触形成欧姆接触；采用掩膜、光刻、蒸镀工艺在粗化层表面制作焊盘电极，焊盘电极与扩展电极连接导通。本发明可以提高扩展电极的可靠性，且获得更好电流扩展效果，提高红外发光二极管的发光效率。
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公开(公告)号：CN104167479A
公开(公告)日：2014-11-26
申请号：CN201410391547.9
申请日：2014-08-11
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
Abstract: 本发明公开一种具有多粗化层的红外发光二极管，在基板上形成发光结构，在发光结构上形成N层粗化层，N≧3，在粗化层上形成第一电极，在基板的另一面上形成第二电极；不同粗化层的表面及侧面形成粗化界面。本发明可以减少有源层在出光界面上出现全反射，增加二极管表面出光面积，提高红外发光二极管的外量子效率。
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公开(公告)号：CN104112805A
公开(公告)日：2014-10-22
申请号：CN201410338035.6
申请日：2014-07-16
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
CPC classification number: H01L33/44 , H01L33/0062 , H01L33/10
Abstract: 本发明公开一种具有防扩层的发光二极管的制造方法，采用前期增加外延生长防扩层，后期二极管制作工艺中在防扩层之上形成金属反射镜，并在防扩层嵌入金属导电通道，通过采用氧化工艺将防扩层变成氧化物介质层，且与金属反射镜、导电通道构成复合的全方位反射效果，通过叠加布拉格反射层而组成的两部分复合结构，获得较高的发光亮度。采用此方法解决了传统倒置芯片制作过程中，在外延层蒸镀氧化膜工艺，外延层与氧化膜、金属反射镜存在材料界面容易剥离的问题，提高发光二极管的稳定性及生产制造过程的成品率。本发明还公开所述方法制造的具有防扩层的发光二极管，使外量子效率较高，且内部层结构连接较为稳定。
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公开(公告)号：CN104332537B
公开(公告)日：2017-06-16
申请号：CN201410551529.2
申请日：2014-10-17
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
Abstract: 本发明公开一种高浓度Te掺杂的发光二极管外延结构，在衬底上分别形成缓冲层、腐蚀阻挡层、粗化层、第一型电流扩展层、第一型限制层、有源层、第二型限制层及第二型电流扩展层；有源层一侧设置第一型电流扩展层，另一侧设置第二型电流扩展层；有源层与第一型电流扩展层设置第一型限制层，而有源层与第二型电流扩展层设置第二型限制层；第一型电流扩展层设置为n层结构，各层结构之间设置超晶格，且第一型电流扩展层掺杂Te。本发明可以减少杂质对短波长光的吸收，有效提高发光二极管的发光效率。
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