公开(公告)号：CN114068515A

公开(公告)日：2022-02-18

申请号：CN202111413751.2

申请日：2021-11-25

Applicant: 南瑞联研半导体有限责任公司

Inventor： 刘克明 ,  童颜 ,  王蕤 ,  严百强 ,  杨金龙 ,  王豹子 ,  董长城 ,  雷鸣 ,  骆健

IPC: H01L25/18 ,  H01L23/498

Abstract: 本发明公开了一种压接式功率器件，包括：管壳集电极电路板、管壳发射极电路板、栅极PCB板和若干个集成子单元，所述集成子单元一面连接所述管壳集电极电路板，另一面设有若干个IGBT芯片和FRD芯片，每个IGBT芯片设有用于连接所述管壳发射极电路板的IGBT凸台，每个FRD芯片设有用于连接所述管壳发射极电路板的FRD凸台，所述栅极PCB板连接所述管壳发射极电路板。针对刚性压接导通电路目前无法实现大面积大电流器件的限制，通过集成诺干个芯片封装为一个单元结构提高芯片的连接数量；针对弹性压接电流通路在器件短路时单个短路芯片的上方的导电臂大电流通路能力有限的缺点，本发明结构属于刚性压接结构可以克服短路同流问题。

公开(公告)号：CN213459704U

公开(公告)日：2021-06-15

申请号：CN202022409327.8

申请日：2020-10-27

Applicant: 南瑞联研半导体有限责任公司

Inventor： 刘克明 ,  王蕤 ,  王豹子 ,  童颜 ,  王立 ,  谢龙飞

IPC: H01L23/13 ,  H01L23/367

Abstract: 本实用新型公开了一种用于焊接式IGBT器件的铜基板凸台式结构，包括铜基板(1)，所述铜基板(1)为预折弯结构且上面为凹面，所述铜基板(1)上面沿着长度方向开设有两条平行设置的横向开槽(5)，两条所述横向开槽(5)之间开设有若干条平行设置的竖向开槽(4)，所述横向开槽(5)和竖向开槽(4)之间形成若干个凸台(3)，所述凸台(3)面积与衬板焊接面面积相当，所述铜基板(1)长度方向边缘处开设有固定孔位(2)。本实用新型提供的一种用于焊接式IGBT器件的铜基板凸台式结构，能够释放部分焊接应力降低焊接翘曲度以及降低器件安装难度，提高器件散热面与冷却板的契合度。

公开(公告)号：CN220106498U

公开(公告)日：2023-11-28

申请号：CN202320842283.9

申请日：2023-04-17

Applicant: 南瑞联研半导体有限责任公司

Inventor： 董志意 ,  王蕤

IPC: H01L23/367 ,  H01L23/473 ,  H01L23/13 ,  H01L25/18

Abstract: 本实用新型提供一种IGBT模块的封装结构，针对当前国内外焊接式IGBT模块结构依然按照芯片、焊料、DBC及平面基板常规的方式从内到外组成，在整个封装结构中，芯片热耦合严重，热传递路径散热热耦合同样严重，整个模块的散热效果较差的问题，通过对芯片传热路径中基板进行微型化PressFIT微型化及基板凹槽嵌合技术处理，通过对IGBT模块基板的结构处理，即改变芯片散热通道及热阻，减少芯片及热传递路径耦合，这样可以进一步加大芯片的散热效果，在不超过芯片的最高结温下，通过这一技术可以提高芯片的功率密度，用在变流器中时，可以提供整个变流器单元的功率密度，从而减小IGBT模块的热失效率，提高整个IGBT模块寿命，其IGBT模块鲁棒性也大大加强。

公开(公告)号：CN215069972U

公开(公告)日：2021-12-07

申请号：CN202120780742.6

申请日：2021-04-16

Applicant: 南瑞联研半导体有限责任公司

Inventor： 童颜 ,  刘克明 ,  王蕤 ,  潘政薇 ,  刘旭光 ,  姚二现 ,  张大华 ,  董长城

IPC: H01L25/07 ,  H01L23/48 ,  H01L23/16

Abstract: 本实用新型公开了半导体器件封装技术领域的一种半导体模块，采用柔性压接，芯片受力均匀，抗压能力强。包括管壳，所述管壳的一端与模块发射极导电体滑动连接，另一端与模块集电极导电体滑动连接；在所述模块发射极导电体和所述模块集电极导电体之间设有承压限位框，所述承压限位框的一端与所述模块集电极导电体固定连接，所述承压限位框包括多个限位单元，每个所述限位单元内依次设有集电极导电体、芯片、发射极导电体、第一导电体和弹性导电组件，所述集电极导电体上远离芯片的一端抵接在所述模块集电极导电体上，所述弹性导电组件上远离第一导电体的一端抵接在所述模块发射极导电体上。

公开(公告)号：CN216849919U

公开(公告)日：2022-06-28

申请号：CN202122954178.8

申请日：2021-11-29

Applicant: 南瑞联研半导体有限责任公司 ,  国网福建省电力有限公司电力科学研究院

Inventor： 吕宏水 ,  王蕤 ,  陈紫默 ,  童颜 ,  王豹子 ,  严百强 ,  晁武杰 ,  林国栋

IPC: H01L23/492 ,  H01L29/417 ,  H01L29/739

Abstract: 本实用新型公开了功率半导体器件技术领域的一种压接式半导体功率模块，包括发射极导体和M个发射极凸台，N个所述发射极凸台通过焊料焊接于发射极导体表面，且N≤M，所述焊料于焊接后形成焊层，所述焊层于发射极凸台和发射极导体间压力达到指定值时发生塑形变形，且发射极凸台和发射极导体中的杨氏模量均大于焊层的杨氏模量。本实用新型通过将发射极凸台通过焊料焊接于发射极导体表面，减小压接式IGBT模块工作状态下各芯片间应力不均衡现象，提升各芯片间的受力一致性及压接式模块可靠性。

公开(公告)号：CN216849898U

公开(公告)日：2022-06-28

申请号：CN202123132365.4

申请日：2021-12-14

Applicant: 南瑞联研半导体有限责任公司

Inventor： 王蕤 ,  童颜 ,  王豹子 ,  严百强 ,  刘旭光 ,  张大华 ,  骆健 ,  董长城

IPC: H01L23/10 ,  H01L23/31 ,  H01L23/367 ,  H01L29/739

Abstract: 本实用新型公开了功率半导体器件技术领域的一种弹性压接式半导体模块封装结构，包括内部可容置子模组的外框，所述外框的一面可拆卸安装有发射极板且另一面密封有法兰盘，所述法兰盘包括固定连接的阴极法兰盘和阳极法兰盘，所述阳极法兰盘位于阴极法兰盘的外围，远离外框一侧的所述阴极法兰盘的表面设置有承压凸起，所述承压凸起于外侧施加压力时与子模组集电极电气连接。本实用新型通过外框密封设置阳极法兰和阴极法兰，使其满足气密性要求；增加了承压凸起，实现与子模组集电极电气连接，且利于提高散热效率。