公开(公告)号：CN113851468A

公开(公告)日：2021-12-28

申请号：CN202111259374.1

申请日：2021-10-28

Applicant: 南瑞联研半导体有限责任公司

Inventor： 童颜 ,  陈紫默 ,  刘克明 ,  雷鸣 ,  严百强 ,  董长城 ,  王豹子 ,  张大华

IPC: H01L25/07 ,  H01L23/495

Abstract: 本发明公开了一种模组化压接型半导体模块，包括：依次电连接的顶板、芯片单元组、弹性组件和底板，所述芯片单元组、弹性组件均有若干组；每一组芯片单元组上方设有一组所述弹性组件，每个弹性组件中设有不少于每组芯片单元组所包含的芯片个数的弹性件。优点：本发明的半导体模块通过模组化设计以及导电路径结构设计，能够提升导电能力、均流及降低热阻，弹性压接使得芯片之间受力均衡；模组化的设计还方便生产，方便根据需求配置模组个数。

公开(公告)号：CN112652536B

公开(公告)日：2023-09-12

申请号：CN202011397875.1

申请日：2020-12-03

Applicant: 南瑞联研半导体有限责任公司

Inventor： 高东岳 ,  张大华 ,  叶枫叶 ,  骆健

IPC: H01L21/331 ,  H01L29/739 ,  H01L29/06

Abstract: 本发明属于功率半导体器件设计技术领域，具体涉及一种低导通压降平面栅IGBT的制备方法，该方法依次制备了N型增强层、P型体区、N+区、介质层、发射极、P型集电区和集电极，制备出P型体区的底部和侧面为N型增强层的N‑P‑N结构，且P型体区底部和侧面的N型增强层不相连。本发明制备的低导通压降平面栅IGBT具有击穿电压高，反向传输电容低和导通压降较低的优点。

公开(公告)号：CN115241275A

公开(公告)日：2022-10-25

申请号：CN202210866289.X

申请日：2022-07-22

Applicant: 南瑞联研半导体有限责任公司

Inventor： 高东岳 ,  叶枫叶 ,  张大华

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/40

Abstract: 本发明公开了一种漏电低的功率器件保护环结构及其制备方法，N型保护环和P型保护环固定设置在N型漂移区正面，N型保护环位于P型保护环左侧，N型保护环和P型保护环之间有间距；将N型衬底作为N型漂移区；在N型漂移区正面进行光刻，形成N型保护环；向N型保护环中注入N型保护环杂质；在N型漂移区正面进行光刻，形成P型保护环；向P型保护环中注入P型杂质并在设定的温度范围内推进。本发明采用P型场限环和N型场限环相结合的结构，P型保护环上面的场板采用多晶硅和金属相结合的台阶形场板结构。

公开(公告)号：CN114203643A

公开(公告)日：2022-03-18

申请号：CN202111524860.1

申请日：2021-12-14

Applicant: 南瑞联研半导体有限责任公司

Inventor： 王蕤 ,  童颜 ,  王豹子 ,  严百强 ,  刘旭光 ,  张大华 ,  骆健 ,  董长城

IPC: H01L23/10 ,  H01L23/31 ,  H01L23/367 ,  H01L29/739

Abstract: 本发明公开了功率半导体器件技术领域的一种弹性压接式半导体模块封装结构，包括内部可容置子模组的外框，所述外框的一面可拆卸安装有发射极板且另一面密封有法兰盘，所述法兰盘包括固定连接的阴极法兰盘和阳极法兰盘，所述阳极法兰盘位于阴极法兰盘的外围，远离外框一侧的所述阴极法兰盘的表面设置有承压凸起，所述承压凸起于外侧施加压力时与子模组集电极电气连接。本发明通过外框密封设置阳极法兰和阴极法兰，使其满足气密性要求；增加了承压凸起，实现与子模组集电极电气连接，且利于提高散热效率。

公开(公告)号：CN112652536A

公开(公告)日：2021-04-13

申请号：CN202011397875.1

申请日：2020-12-03

Applicant: 南瑞联研半导体有限责任公司

Inventor： 高东岳 ,  张大华 ,  叶枫叶 ,  骆健

IPC: H01L21/331 ,  H01L29/739 ,  H01L29/06

Abstract: 本发明属于功率半导体器件设计技术领域，具体涉及一种低导通压降平面栅IGBT的制备方法，该方法依次制备了N型增强层、P型体区、N+区、介质层、发射极、P型集电区和集电极，制备出P型体区的底部和侧面为N型增强层的N‑P‑N结构，且P型体区底部和侧面的N型增强层不相连。本发明制备的低导通压降平面栅IGBT具有击穿电压高，反向传输电容低和导通压降较低的优点。

公开(公告)号：CN213459728U

公开(公告)日：2021-06-15

申请号：CN202022506549.1

申请日：2020-11-03

Applicant: 南瑞联研半导体有限责任公司

Inventor： 刘克明 ,  张大华 ,  姚二现 ,  童颜

IPC: H01L25/07 ,  H01L23/31 ,  H01L23/29 ,  H01L23/498

Abstract: 本实用新型公开了一种用于高压焊接式IGBT器件内部衬板的绝缘结构，包括衬板(1)，所述衬板(1)上连有芯片(3)，所述芯片(3)上键合有键合线(2)，所述衬板(1)上分别预留有集电极键合区域(5)、发射极键合区域(6)、门级键合区域(7)和集电极信号端键合区域(8)，所述芯片(3)和键合线(2)外部包裹有塑封材料结构(9)，所述衬板(1)的背面设置有金属面(4)，所述金属面(4)裸漏在所述塑封材料结构(9)的外侧。本实用新型提供的用于高压大功率焊接式IGBT器件内部衬板，能够避免芯片打火现象、提高键合线的可靠性和有效隔绝外界水汽。

公开(公告)号：CN216849898U

公开(公告)日：2022-06-28

申请号：CN202123132365.4

申请日：2021-12-14

Applicant: 南瑞联研半导体有限责任公司

Inventor： 王蕤 ,  童颜 ,  王豹子 ,  严百强 ,  刘旭光 ,  张大华 ,  骆健 ,  董长城

IPC: H01L23/10 ,  H01L23/31 ,  H01L23/367 ,  H01L29/739

Abstract: 本实用新型公开了功率半导体器件技术领域的一种弹性压接式半导体模块封装结构，包括内部可容置子模组的外框，所述外框的一面可拆卸安装有发射极板且另一面密封有法兰盘，所述法兰盘包括固定连接的阴极法兰盘和阳极法兰盘，所述阳极法兰盘位于阴极法兰盘的外围，远离外框一侧的所述阴极法兰盘的表面设置有承压凸起，所述承压凸起于外侧施加压力时与子模组集电极电气连接。本实用新型通过外框密封设置阳极法兰和阴极法兰，使其满足气密性要求；增加了承压凸起，实现与子模组集电极电气连接，且利于提高散热效率。

公开(公告)号：CN215069972U

公开(公告)日：2021-12-07

申请号：CN202120780742.6

申请日：2021-04-16

Applicant: 南瑞联研半导体有限责任公司

Inventor： 童颜 ,  刘克明 ,  王蕤 ,  潘政薇 ,  刘旭光 ,  姚二现 ,  张大华 ,  董长城

IPC: H01L25/07 ,  H01L23/48 ,  H01L23/16

Abstract: 本实用新型公开了半导体器件封装技术领域的一种半导体模块，采用柔性压接，芯片受力均匀，抗压能力强。包括管壳，所述管壳的一端与模块发射极导电体滑动连接，另一端与模块集电极导电体滑动连接；在所述模块发射极导电体和所述模块集电极导电体之间设有承压限位框，所述承压限位框的一端与所述模块集电极导电体固定连接，所述承压限位框包括多个限位单元，每个所述限位单元内依次设有集电极导电体、芯片、发射极导电体、第一导电体和弹性导电组件，所述集电极导电体上远离芯片的一端抵接在所述模块集电极导电体上，所述弹性导电组件上远离第一导电体的一端抵接在所述模块发射极导电体上。