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公开(公告)号：CN103427020B
公开(公告)日：2016-04-13
申请号：CN201310321529.9
申请日：2013-07-29
Applicant: 南昌大学
Abstract: 一种基于一维微纳米材料薄膜结构的应力写入型数据存储器件，包括聚合物基底、一维微纳米材料薄膜、金属电极、导线、聚合物封装层；一维微纳米材料薄膜放置在聚合物基底上，其两端焊接金属电极，金属电极焊接导线，聚合物封装层将整个微纳米材料薄膜结构封装在聚合物基底上。制备方法是在模具中加入聚合物基底，室温下固化24h；将一维微纳米材料薄膜置于聚合物基底上，在一维微纳米材料薄膜两端制备电极，放置3-5h；在电极两端焊接铜丝，放置3-5h；将聚合物封装层缓慢的涂覆在一维微纳米材料薄膜及电极上，放置24h。本发明具有良好的柔韧性，器件具有优异的电阻开关性能，制作工艺相对简单。
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公开(公告)号：CN103427020A
公开(公告)日：2013-12-04
申请号：CN201310321529.9
申请日：2013-07-29
Applicant: 南昌大学
Abstract: 一种基于一维微纳米材料薄膜结构的应力写入型数据存储器件，包括聚合物基底、一维微纳米材料薄膜、金属电极、导线、聚合物封装层；一维微纳米材料薄膜放置在聚合物基底上，其两端焊接金属电极，金属电极焊接导线，聚合物封装层将整个微纳米材料薄膜结构封装在聚合物基底上。制备方法是在模具中加入聚合物基底，室温下固化24h；将一维微纳米材料薄膜置于聚合物基底上，在一维微纳米材料薄膜两端制备电极，放置3-5h；在电极两端焊接铜丝，放置3-5h；将聚合物封装层缓慢的涂覆在一维微纳米材料薄膜及电极上，放置24h。本发明具有良好的柔韧性，器件具有优异的电阻开关性能，制作工艺相对简单。
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公开(公告)号：CN107610943A
公开(公告)日：2018-01-19
申请号：CN201710676759.5
申请日：2017-08-09
Applicant: 南昌大学
CPC classification number: Y02E60/13
Abstract: 本发明公开了一种钼酸铁石墨烯复合结构超级电容器电极材料的制备方法，该方法包括以下步骤：（1）以天然石墨为原料，用改进Hummers法制得氧化石墨；（2）将步骤（1）制得的氧化石墨超声溶解在蒸馏水中，形成均匀的氧化石墨分散液；随后加入钼酸钠和无水氯化铁，充分搅拌溶解，得到分散液；（3）将步骤（2）所得到的分散液转移至反应釜中，加热反应12小时，然后自然冷却；（4）将步骤（3）得到的产物用蒸馏水和无水乙醇进行多次洗涤，然后烘干，即得到钼酸铁石墨烯复合结构超级电容器电极材料。本发明制备方法在常规石墨烯制备过程中较好的解决了纳米材料团聚问题，并得到性能优异的石墨烯包裹钼酸铁的复合结构材料。
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公开(公告)号：CN106252453A
公开(公告)日：2016-12-21
申请号：CN201610817817.7
申请日：2016-09-13
Applicant: 南昌大学
CPC classification number: H01L31/09 , B82Y20/00 , H01L31/18 , H01L31/1836
Abstract: 基于一维纳米半导体结构表面态调控的自供能光电探测器及制备方法，其特征是包括单根一维纳米半导体结构材料、金属电极、聚合物封装层、基片、导线；单根一维纳米半导体结构材料水平放置在基片的中间，金属电极位于单根一维纳米半导体结构材料的两端，并与导线连接，聚合物封装层将单根一维纳米半导体结构材料、金属电极覆盖在基片上。在100℃真空烘箱中保温24小时。本发明的自供能光电探测器，制备工艺简单，在继承原有光电探测器的优点上再利用宽禁带半导体材料的直接带隙作用，有效提高了器件的光电导增益、光响应度以及选择性，对实际应用非常有利。
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公开(公告)号：CN103978229B
公开(公告)日：2016-05-11
申请号：CN201310649336.6
申请日：2013-12-06
Applicant: 南昌大学
Abstract: 一种氧化铝负载纳米零价铁纳米棒的制备方法，按照水溶性铝盐：亚铁盐：表面活性剂：尿素：水=1:1:1:8~12:350的摩尔比，混合，超声搅拌至完全溶解；将反应物置于反应釜中，100~125 ℃，保温12~15 h，再升温至170℃，保温6~9h，冷却后抽滤，沉淀用无水乙醇和蒸馏水洗涤后于80℃烘箱中空气干燥10h；将干燥后的产物倒入坩埚后置于箱式电阻炉中，550℃~700℃空气退火3h，随后将样品在通入氢气和氮气的弱还原气氛中于600℃退火3h，随后保持弱还原气氛炉冷至室温。本发明通过将纳米零价铁负载到氧化铝纳米棒上，改善了纳米零价铁易被氧化的缺点，使氧化铝负载纳米零价铁纳米棒对六价铬的吸附效果明显高于独立存在的纳米零价铁及氧化铝纳米棒，可应用于催化吸附、纳米元器件等领域。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN105226179A
公开(公告)日：2016-01-06
申请号：CN201510424606.2
申请日：2015-07-20
Applicant: 南昌大学
Abstract: 一种基于单根一维同质结微/纳米线的热发电机及其发电方法，热发电机包括绝缘基底、单根一维同质结微/纳米线、电极、导线、封装材料。单根一维同质结微/纳米线放置在绝缘基底上，单根一维同质结微/纳米线两端分别焊接电极，电极分别连接有导线；封装材料将整个单根一维同质结微/纳米线、电极封装在薄膜基底上。本发明利用单根一维同质结微/纳米线中的成分差形成费米能级不均匀分布，实现所述热发电机在温度随空间位置变化、温度随时间变化以及温度稳定的环境中的应用。本发明制备工艺简易，操作简便，可在大气环境中无需消耗其他能源的情况下实现发电，有效提高了环境能源的收集和利用。
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公开(公告)号：CN104851900A
公开(公告)日：2015-08-19
申请号：CN201510169212.7
申请日：2015-04-13
Applicant: 南昌大学
IPC: H01L27/24 , H01L21/8247 , H01L45/00
Abstract: 一种基于场效应管结构的阻变存储器，包括源级、一维硒化镉/碳杂化纳米材料、漏极、二氧化硅氧化层、P型硅片、栅极、封装层；在二氧化硅氧化层中间水平放置单根一维硒化镉/碳杂化纳米材料；在一维硒化镉/碳杂化纳米材料两端以及P型硅底面中心点上银浆，分别作为场效应管的源级、漏极和栅极，在洁净的大气环境中放置3-5小时；将封装材料贴覆在一维硒化镉/碳杂化纳米材料及二氧化硅氧化层上，之后在P型硅底面贴覆一层封装材料，150℃真空烘箱保温24小时。本发明制备工艺简单，利用场效应管电流放大作用，不仅有效提高了高低阻态比值，提高了存储器准确性，而且可以通过改变栅极电压极性来恢复初始状态，实现可调制的阻变存储器。
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公开(公告)号：CN104402055A
公开(公告)日：2015-03-11
申请号：CN201410597619.5
申请日：2014-10-31
Applicant: 南昌大学
CPC classification number: C01G41/00 , C01P2002/72 , C01P2004/03 , C01P2004/04 , C01P2004/20
Abstract: 一种大尺寸层片状有序六角二硫化钨的制备方法，其特征是按如下步骤：取二硫化钨无定形粉末装入陶瓷舟，置于管式炉中央，排净空气后，在氮气与硫蒸汽氛围或92~97%的氮气与3~8%的氢气构成的混合气体的氛围1200℃~1300℃反应2~4小时。本发明所述的纳米层片状六角二硫化钨在可见光下具有良好的导电性，可有效地应用于光电和数据存储器件，同时发明所述的纳米层片状六角二硫化钨具有良好的润滑性，可有效应用于机械加工产业。
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公开(公告)号：CN103928561A
公开(公告)日：2014-07-16
申请号：CN201310712821.3
申请日：2013-12-23
Applicant: 南昌大学
IPC: H01L31/102 , H01L31/0352 , H01L31/18
CPC classification number: Y02P70/521 , H01L31/102 , H01L31/035227 , H01L31/1828
Abstract: 一种基于单根氧化锌纳米线的光电响应探测器及制备方法，包含单根氧化锌纳米线、基板、金属电极、导线、聚合物封装层；在平整的基板上放置单根氧化锌纳米线，在其两端焊接金属电极，并在金属电极上焊接导线，将其放置在可控温的加热平台上加热2小时，使其固化并冷却后，用封装材料将单根氧化锌纳米线封装在基板上，接着放入在90℃恒温箱保温中10~12小时。本发明响应波长从200nm到900nm，光电流响应行为在可见光和近红外范围内，所以本发明的宽光谱光电响应探测器可以广泛地应用到工业生产中去。
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公开(公告)号：CN103739002A
公开(公告)日：2014-04-23
申请号：CN201310321627.2
申请日：2013-07-29
Applicant: 南昌大学
IPC: C01G9/02 , C01G19/00 , C01G19/02 , C01G15/00 , C01B31/36 , C01B21/068 , C01B21/072 , C01B21/06 , B82Y30/00
Abstract: 一维纳米结构材料的制备方法，（1）将适量原料溶入去离子水，加入柠檬酸和乙二醇形成透明溶液，放入烘箱中先在80℃形成溶胶，再在140℃聚合成凝胶树脂；（2）将形成的聚合物树脂放入带盖的坩埚中，放入箱式电阻炉中，在400℃加热1h是高分子聚合物炭化，形成金属离子-O-C纳米复合前驱体；（3）将所得纳米复合前驱体碾细，再装入带盖的坩埚，放入箱式电阻炉分别在850~1300℃等不同温度下烧结2h，冷却至室温。本发明方法简单易行，能够大规模地制备形貌均一，性能优良的一维纳米结构材料。
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