-
公开(公告)号：CN105679363A
公开(公告)日：2016-06-15
申请号：CN201610028127.3
申请日：2016-01-18
Applicant: 南昌大学
CPC classification number: G11C13/0007 , B82Y30/00 , B82Y40/00
Abstract: 一种可存储温度信号的非易失性多比特微/纳米记忆存储器，包括绝缘衬底、单根钾元素和氯元素共掺杂的ZnO一维微/纳米线、电极、导线、封装材料。单根钾元素和氯元素共掺杂的ZnO一维微/纳米线放置在绝缘衬底上，其两端分别焊接电极，电极分别连接导线；并用封装材料封装在绝缘衬底上，将导线与函数功能发生器连接。本发明利用单根钾元素和氯元素共掺杂的ZnO一维微/纳米线中的陷阱能级，实现所述的记忆存储器对不同温度的识别与存储。本发明制备工艺简便、体积小、轻巧便携，具有较高的存储密度、良好的存储信息稳定性及重复读写性能，可循环利用，适用于工业排热管道、供暖管道、地热等需要进行温度传感及探测的领域。
-
公开(公告)号：CN103681902B
公开(公告)日：2016-02-24
申请号：CN201310650605.0
申请日：2013-12-03
Applicant: 南昌大学
IPC: H01L31/0296 , H01L31/0203 , H01L31/18 , B82Y15/00
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 基于一维硒化镉/碳杂化纳米结构的光电探测器件及制备方法，包括普通玻璃、封装层、单根一维硒化镉/碳杂化纳米材料、导线、金属电极、薄膜基底；在平整的薄膜基底上放置单根一维硒化镉/碳杂化纳米结构材料；在硒化镉/碳杂化纳米结构两端点上金/银/铂浆，形成金属电极，与此同时在两端金属电极处分别粘接铜导线，在洁净的大气环境中放置3-5小时；将封装材料缓慢地贴覆在整个单根一维硒化镉/碳杂化纳米结构材料及薄膜基底上，之后再将普通玻璃平稳放在封装层上，在150℃真空烘箱保温30分钟。本发明制备工艺简单，具有较宽的波长响应范围以及可通过调制外加偏压实现正光电导到负光电导的转变，对实际应用非常有利。
-
公开(公告)号：CN103296204A
公开(公告)日：2013-09-11
申请号：CN201310229769.6
申请日：2013-06-09
Applicant: 南昌大学
IPC: H01L45/00
Abstract: 一种基于单根一维纳米结构材料的压力响应存储器件，其特征是包括薄膜基底（1）、单根一维纳米结构材料（2）、金属电极（3）、导线（4）、封装层（5）；单根一维纳米结构材料（2）放置在薄膜基底（1）上，其两端焊接金属电极（3），金属电极（3）焊接导线（4），封装层（5）将整个单根一维纳米结构材料封装在薄膜基底（1）上。本发明的柔性结构具有良好的电阻开关特性，可作为应力开关器件和应力写入存储器件使用，器件的制作工艺非常简单，对于实际应用十分有利。
-
公开(公告)号：CN115360478B
公开(公告)日：2024-03-29
申请号：CN202210822975.7
申请日：2022-07-13
Applicant: 南昌大学
IPC: H01M50/451 , H01M50/489 , H01M10/052 , H01M10/0585 , H01M10/42 , H01M50/403 , H01M50/417 , H01M50/431 , H01M50/446
Abstract: 本发明公开了一种原位生长碳纳米管型磷酸铁改性的锂硫电池隔膜及其制备方法以及锂硫电池。该锂硫电池隔膜，包括隔膜基底，所述隔膜基底的一侧涂布有改性涂层，所述改性涂层中包含有原位生长碳纳米管型磷酸铁、导电剂和粘合剂。该锂硫电池隔膜的制备方法，通过化学气相沉积(CVD)法制备一种原位生长碳纳米管型磷酸铁，进而得到隔膜改性浆料，将隔膜改性浆料用刮刀均匀地涂布在隔膜基底的一侧表面上，并在真空干燥箱中干燥，待干燥后裁剪为圆片，即得所述原位生长碳纳米管型磷酸铁改性的锂硫电池隔膜。本发明改性隔膜能有效抑制多硫化锂的穿梭效应，采用该隔膜的锂硫电池具有良好的循环性能和倍率性能。
-
公开(公告)号：CN115870508A
公开(公告)日：2023-03-31
申请号：CN202211388094.5
申请日：2022-11-07
Applicant: 南昌大学
Abstract: 本发明公开了一种二维碳基合金及高熵合金粉末的制备方法，包括如下步骤：将三种及三种以上的金属盐按等摩尔比溶解在三乙醇胺中，金属盐总摩尔量和三乙醇胺的摩尔比为1∶4～1∶6之间，再加入一定量的硝酸铵作为助剂，搅拌溶解，在恒温磁力搅拌器上加热，至水分完全蒸发干净，再放入设定温度为300℃的烘箱中，随着温度升高到200‑250℃之间，溶液冒出大量浓烟并剧烈燃烧，得到蘑菇云般蓬松的前驱体。将前驱体放在管式炉中，连续抽取3次真空排净空气，再通入氩氢混合气(氢气占比10％)在600～800℃温度下还原2～3h，得到片状碳基合金及高熵合金粉末。该发明工艺简单，所得碳基高熵合金粉末导电性好、比表面大，合金颗粒分散均匀，有利于工业化生产。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN115693026A
公开(公告)日：2023-02-03
申请号：CN202211373653.5
申请日：2022-11-03
Applicant: 南昌大学
IPC: H01M50/431 , H01M50/449 , H01M50/451 , H01M50/403 , H01M10/052
Abstract: 本发明公开了一种自组装多级结构钒酸锌修饰的锂硫电池隔膜及其制备方法以及具有该隔膜的锂硫电池。该锂硫电池隔膜，包括空白隔膜，所述空白隔膜的一侧涂覆有修饰涂层，所述修饰涂层中包含有自组装多级结构钒酸锌、导电剂和粘结剂。该锂硫电池隔膜的制备方法，通过水热合成法和化学气相沉积(CVD)法制备一种自组装多级结构钒酸锌，进而得到隔膜修饰浆料，将隔膜修饰浆料用刮刀均匀地涂覆于空白隔膜的一侧表面上，并在真空干燥箱中干燥，待干燥后裁剪为圆片，即得所述自组装多级结构钒酸锌修饰的锂硫电池隔膜。本发明修饰隔膜能有效抑制多硫化锂的穿梭效应，采用该隔膜的锂硫电池具有良好的循环性能和倍率性能。
-
公开(公告)号：CN109799369A
公开(公告)日：2019-05-24
申请号：CN201910113127.7
申请日：2019-02-13
Applicant: 南昌大学
IPC: G01Q60/30
Abstract: 本发明涉及一种原子力显微镜外接设备多参数原位测量系统，包括信号输入输出仪，电流/压源输出仪，AFM控制器，电子盒,MAC/ACC控制器，光电信号检测器，导电微悬臂探针，样品台，激光信号，样品，电流/压源输出仪连接在信号输入输出仪的电流信号的IN/OUT的BNC端口上，电流/压源输出仪连接电脑主机，信号输入输出仪连接AFM控制器与MAC/ACC控制器以及连接原子力显微镜基座电信号端与AFM控制器，电子盒连接MAC/ACC控制器与原子力显微镜基座电信号端，导电微悬臂探针与电子盒连接，导电微悬臂探针的外侧设有光电信号检测器，光电信号检测器与电子盒连接。本发明实时探测电信号下某微区域的表面电势和电学特性，得出形貌特征。
-
公开(公告)号：CN105226179B
公开(公告)日：2018-07-20
申请号：CN201510424606.2
申请日：2015-07-20
Applicant: 南昌大学
Abstract: 一种基于单根一维同质结微/纳米线的热发电机及其发电方法，热发电机包括绝缘基底、单根一维同质结微/纳米线、电极、导线、封装材料。单根一维同质结微/纳米线放置在绝缘基底上，单根一维同质结微/纳米线两端分别焊接电极，电极分别连接有导线；封装材料将整个单根一维同质结微/纳米线、电极封装在薄膜基底上。本发明利用单根一维同质结微/纳米线中的成分差形成费米能级不均匀分布，实现所述热发电机在温度随空间位置变化、温度随时间变化以及温度稳定的环境中的应用。本发明制备工艺简易，操作简便，可在大气环境中无需消耗其他能源的情况下实现发电，有效提高了环境能源的收集和利用。
-
公开(公告)号：CN106206941A
公开(公告)日：2016-12-07
申请号：CN201610611579.4
申请日：2016-07-30
Applicant: 南昌大学
CPC classification number: H01L45/06 , B82Y30/00 , B82Y40/00 , H01L45/1206 , H01L45/146 , H01L45/149 , H01L45/16
Abstract: 一种基于氧化锌/碳杂化纳米结构的多比特存储器，其特征是包括源极、二氧化硅氧化层、P型硅片、单根一维氧化锌/碳杂化纳米线、栅极、漏极、导线；在P型硅片上表面为二氧化硅氧化层，在二氧化硅氧化层的中间位置水平放置单根一维氧化锌/碳杂化纳米线，单根一维氧化锌/碳杂化纳米线的两端分别为源极和漏极，栅极位于P型硅片衬底底面中心；源极、漏极、栅极分别通过在单根一维ZnO/C杂化纳米线的两端和P型硅片衬底底面中心点银、金或铂浆获得。本发明的多比特存储器具有良好的电阻开关特性，可作为场效应晶体管存储器件使用，器件的制备工艺简单，对实际应用非常有利。
-
公开(公告)号：CN103840080B
公开(公告)日：2016-08-17
申请号：CN201310645667.2
申请日：2013-12-05
Applicant: 南昌大学
Abstract: 基于一维镉掺杂氧化锌纳米线的电压控制存储器及制备方法，由单根一维镉掺杂氧化锌纳米线、金属电极、载玻片、封装层、导线组成；取单根一维镉掺杂氧化锌纳米线，放置在洁净的载玻片上，在一维镉掺杂氧化锌纳米线两端焊接金属电极，在金属电极上焊接金属导线，用封装材料将金属电极和一维镉掺杂氧化锌纳米线固定在载玻片上，然后放入在30℃恒温箱中，保温8小时。本发明通过改变电压来实现高阻态和低阻态之间相互转变，进而实现信息存取，其M?S?M结构具有优异的电阻开关效应，且制作过程简单，所需设备可重复使用，节省材料，有利于实际应用和工业生产。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
43
records
(took 0.02 seconds)
