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公开(公告)号：CN103681902B
公开(公告)日：2016-02-24
申请号：CN201310650605.0
申请日：2013-12-03
Applicant: 南昌大学
IPC: H01L31/0296 , H01L31/0203 , H01L31/18 , B82Y15/00
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 基于一维硒化镉/碳杂化纳米结构的光电探测器件及制备方法，包括普通玻璃、封装层、单根一维硒化镉/碳杂化纳米材料、导线、金属电极、薄膜基底；在平整的薄膜基底上放置单根一维硒化镉/碳杂化纳米结构材料；在硒化镉/碳杂化纳米结构两端点上金/银/铂浆，形成金属电极，与此同时在两端金属电极处分别粘接铜导线，在洁净的大气环境中放置3-5小时；将封装材料缓慢地贴覆在整个单根一维硒化镉/碳杂化纳米结构材料及薄膜基底上，之后再将普通玻璃平稳放在封装层上，在150℃真空烘箱保温30分钟。本发明制备工艺简单，具有较宽的波长响应范围以及可通过调制外加偏压实现正光电导到负光电导的转变，对实际应用非常有利。
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公开(公告)号：CN104851900A
公开(公告)日：2015-08-19
申请号：CN201510169212.7
申请日：2015-04-13
Applicant: 南昌大学
IPC: H01L27/24 , H01L21/8247 , H01L45/00
Abstract: 一种基于场效应管结构的阻变存储器，包括源级、一维硒化镉/碳杂化纳米材料、漏极、二氧化硅氧化层、P型硅片、栅极、封装层；在二氧化硅氧化层中间水平放置单根一维硒化镉/碳杂化纳米材料；在一维硒化镉/碳杂化纳米材料两端以及P型硅底面中心点上银浆，分别作为场效应管的源级、漏极和栅极，在洁净的大气环境中放置3-5小时；将封装材料贴覆在一维硒化镉/碳杂化纳米材料及二氧化硅氧化层上，之后在P型硅底面贴覆一层封装材料，150℃真空烘箱保温24小时。本发明制备工艺简单，利用场效应管电流放大作用，不仅有效提高了高低阻态比值，提高了存储器准确性，而且可以通过改变栅极电压极性来恢复初始状态，实现可调制的阻变存储器。
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公开(公告)号：CN104851900B
公开(公告)日：2019-06-18
申请号：CN201510169212.7
申请日：2015-04-13
Applicant: 南昌大学
Abstract: 一种基于场效应管结构的阻变存储器，包括源级、一维硒化镉/碳杂化纳米材料、漏极、二氧化硅氧化层、P型硅片、栅极、封装层；在二氧化硅氧化层中间水平放置单根一维硒化镉/碳杂化纳米材料；在一维硒化镉/碳杂化纳米材料两端以及P型硅底面中心点上银浆，分别作为场效应管的源级、漏极和栅极，在洁净的大气环境中放置3‑5小时；将封装材料贴覆在一维硒化镉/碳杂化纳米材料及二氧化硅氧化层上，之后在P型硅底面贴覆一层封装材料，150℃真空烘箱保温24小时。本发明制备工艺简单，利用场效应管电流放大作用，不仅有效提高了高低阻态比值，提高了存储器准确性，而且可以通过改变栅极电压极性来恢复初始状态，实现可调制的阻变存储器。
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公开(公告)号：CN103681902A
公开(公告)日：2014-03-26
申请号：CN201310650605.0
申请日：2013-12-03
Applicant: 南昌大学
IPC: H01L31/0296 , H01L31/0203 , H01L31/18 , B82Y15/00
CPC classification number: Y02P70/521 , H01L31/035218 , B82Y30/00 , B82Y40/00 , H01L31/02963 , H01L31/09 , H01L31/1836
Abstract: 基于一维硒化镉/碳杂化纳米结构的光电探测器件及制备方法，包括普通玻璃、封装层、单根一维硒化镉/碳杂化纳米材料、导线、金属电极、薄膜基底；在平整的薄膜基底上放置单根一维硒化镉/碳杂化纳米结构材料；在硒化镉/碳杂化纳米结构两端点上金/银/铂浆，形成金属电极，与此同时在两端金属电极处分别粘接铜导线，在洁净的大气环境中放置3-5小时；将封装材料缓慢地贴覆在整个单根一维硒化镉/碳杂化纳米结构材料及薄膜基底上，之后再将普通玻璃平稳放在封装层上，在150℃真空烘箱保温30分钟。本发明制备工艺简单，具有较宽的波长响应范围以及可通过调制外加偏压实现正光电导到负光电导的转变，对实际应用非常有利。
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