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公开(公告)号：CN103296204A
公开(公告)日：2013-09-11
申请号：CN201310229769.6
申请日：2013-06-09
Applicant: 南昌大学
IPC: H01L45/00
Abstract: 一种基于单根一维纳米结构材料的压力响应存储器件，其特征是包括薄膜基底（1）、单根一维纳米结构材料（2）、金属电极（3）、导线（4）、封装层（5）；单根一维纳米结构材料（2）放置在薄膜基底（1）上，其两端焊接金属电极（3），金属电极（3）焊接导线（4），封装层（5）将整个单根一维纳米结构材料封装在薄膜基底（1）上。本发明的柔性结构具有良好的电阻开关特性，可作为应力开关器件和应力写入存储器件使用，器件的制作工艺非常简单，对于实际应用十分有利。
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公开(公告)号：CN115536067B
公开(公告)日：2023-10-03
申请号：CN202211373082.5
申请日：2022-11-03
Applicant: 南昌大学
IPC: C01G31/00 , C01G9/02 , C09D127/16 , C09D7/61 , C09D5/18
Abstract: 本发明公开了一种自组装钒系强疏水材料及其制备方法、涂层及其制备方法。该自组装钒系强疏水材料的制备方法，通过水热合成法和化学气相沉积法制备一种自组装钒系强疏水材料，该自组装钒系强疏水材料具有自组装多级层片结构，保有无机金属盐的耐高温性能；通过调配得到涂层浆料，将涂层浆料采用旋涂、刮刀涂覆等方法附着于基底表面上，并在真空干燥箱中干燥，即得所述自组装钒系强疏水材料涂层。本发明的自组装钒系强疏水材料涂层，能有效地提高原始基底的疏水性能。
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公开(公告)号：CN115536067A
公开(公告)日：2022-12-30
申请号：CN202211373082.5
申请日：2022-11-03
Applicant: 南昌大学
IPC: C01G31/00 , C01G9/02 , C09D127/16 , C09D7/61 , C09D5/18
Abstract: 本发明公开了一种新型自组装钒系强疏水材料及其制备方法、涂层及其制备方法。该新型自组装钒系强疏水材料的制备方法，通过水热合成法和化学气相沉积法制备一种新型自组装钒系强疏水材料，该新型自组装钒系强疏水材料具有自组装多级层片结构，保有无机金属盐的耐高温性能；通过调配得到涂层浆料，将涂层浆料采用旋涂、刮刀涂覆等方法附着于基底表面上，并在真空干燥箱中干燥，即得所述新型自组装钒系强疏水材料涂层。本发明的新型自组装钒系强疏水材料涂层，能有效地提高原始基底的疏水性能。
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公开(公告)号：CN103420341A
公开(公告)日：2013-12-04
申请号：CN201310322399.0
申请日：2013-07-29
Applicant: 南昌大学
Abstract: 一种燃烧法制备氧化物纳米带的方法，（1）将金属硝酸盐溶于纯净水，按金属硝酸盐:三乙醇胺为1:6～1:12的质量比，加入三乙醇胺，混合均匀，置于烘箱，150℃加热4h~8h。其间，每隔一小时取出，搅拌均匀再放入烘箱继续加热，至蒸干，取出备用；（2）将经步骤（1）处理的样品置于170~180℃烘箱中，缓慢达到三乙醇胺燃烧点，使三乙醇胺燃烧；(3)取步骤（2）的纳米带初始样品置于马弗炉中600~1000℃退火3~5h，最终得氧化物纳米带。本发明工艺简单，而且易得到高纯、粒度小、形貌优良、活性高的氧化物纳米带，不仅省时省力，还提高了氧化物纳米带结构的活性。
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公开(公告)号：CN103739002A
公开(公告)日：2014-04-23
申请号：CN201310321627.2
申请日：2013-07-29
Applicant: 南昌大学
IPC: C01G9/02 , C01G19/00 , C01G19/02 , C01G15/00 , C01B31/36 , C01B21/068 , C01B21/072 , C01B21/06 , B82Y30/00
Abstract: 一维纳米结构材料的制备方法，（1）将适量原料溶入去离子水，加入柠檬酸和乙二醇形成透明溶液，放入烘箱中先在80℃形成溶胶，再在140℃聚合成凝胶树脂；（2）将形成的聚合物树脂放入带盖的坩埚中，放入箱式电阻炉中，在400℃加热1h是高分子聚合物炭化，形成金属离子-O-C纳米复合前驱体；（3）将所得纳米复合前驱体碾细，再装入带盖的坩埚，放入箱式电阻炉分别在850~1300℃等不同温度下烧结2h，冷却至室温。本发明方法简单易行，能够大规模地制备形貌均一，性能优良的一维纳米结构材料。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN115360478A
公开(公告)日：2022-11-18
申请号：CN202210822975.7
申请日：2022-07-13
Applicant: 南昌大学
IPC: H01M50/451 , H01M50/489 , H01M10/052 , H01M10/0585 , H01M10/42 , H01M50/403 , H01M50/417 , H01M50/431 , H01M50/446
Abstract: 本发明公开了一种原位生长碳纳米管型磷酸铁改性的锂硫电池隔膜及其制备方法以及锂硫电池。该锂硫电池隔膜，包括隔膜基底，所述隔膜基底的一侧涂布有改性涂层，所述改性涂层中包含有原位生长碳纳米管型磷酸铁、导电剂和粘合剂。该锂硫电池隔膜的制备方法，通过化学气相沉积(CVD)法制备一种原位生长碳纳米管型磷酸铁，进而得到隔膜改性浆料，将隔膜改性浆料用刮刀均匀地涂布在隔膜基底的一侧表面上，并在真空干燥箱中干燥，待干燥后裁剪为圆片，即得所述原位生长碳纳米管型磷酸铁改性的锂硫电池隔膜。本发明改性隔膜能有效抑制多硫化锂的穿梭效应，采用该隔膜的锂硫电池具有良好的循环性能和倍率性能。
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公开(公告)号：CN115360478B
公开(公告)日：2024-03-29
申请号：CN202210822975.7
申请日：2022-07-13
Applicant: 南昌大学
IPC: H01M50/451 , H01M50/489 , H01M10/052 , H01M10/0585 , H01M10/42 , H01M50/403 , H01M50/417 , H01M50/431 , H01M50/446
Abstract: 本发明公开了一种原位生长碳纳米管型磷酸铁改性的锂硫电池隔膜及其制备方法以及锂硫电池。该锂硫电池隔膜，包括隔膜基底，所述隔膜基底的一侧涂布有改性涂层，所述改性涂层中包含有原位生长碳纳米管型磷酸铁、导电剂和粘合剂。该锂硫电池隔膜的制备方法，通过化学气相沉积(CVD)法制备一种原位生长碳纳米管型磷酸铁，进而得到隔膜改性浆料，将隔膜改性浆料用刮刀均匀地涂布在隔膜基底的一侧表面上，并在真空干燥箱中干燥，待干燥后裁剪为圆片，即得所述原位生长碳纳米管型磷酸铁改性的锂硫电池隔膜。本发明改性隔膜能有效抑制多硫化锂的穿梭效应，采用该隔膜的锂硫电池具有良好的循环性能和倍率性能。
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公开(公告)号：CN115693026A
公开(公告)日：2023-02-03
申请号：CN202211373653.5
申请日：2022-11-03
Applicant: 南昌大学
IPC: H01M50/431 , H01M50/449 , H01M50/451 , H01M50/403 , H01M10/052
Abstract: 本发明公开了一种自组装多级结构钒酸锌修饰的锂硫电池隔膜及其制备方法以及具有该隔膜的锂硫电池。该锂硫电池隔膜，包括空白隔膜，所述空白隔膜的一侧涂覆有修饰涂层，所述修饰涂层中包含有自组装多级结构钒酸锌、导电剂和粘结剂。该锂硫电池隔膜的制备方法，通过水热合成法和化学气相沉积(CVD)法制备一种自组装多级结构钒酸锌，进而得到隔膜修饰浆料，将隔膜修饰浆料用刮刀均匀地涂覆于空白隔膜的一侧表面上，并在真空干燥箱中干燥，待干燥后裁剪为圆片，即得所述自组装多级结构钒酸锌修饰的锂硫电池隔膜。本发明修饰隔膜能有效抑制多硫化锂的穿梭效应，采用该隔膜的锂硫电池具有良好的循环性能和倍率性能。
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公开(公告)号：CN103427020B
公开(公告)日：2016-04-13
申请号：CN201310321529.9
申请日：2013-07-29
Applicant: 南昌大学
Abstract: 一种基于一维微纳米材料薄膜结构的应力写入型数据存储器件，包括聚合物基底、一维微纳米材料薄膜、金属电极、导线、聚合物封装层；一维微纳米材料薄膜放置在聚合物基底上，其两端焊接金属电极，金属电极焊接导线，聚合物封装层将整个微纳米材料薄膜结构封装在聚合物基底上。制备方法是在模具中加入聚合物基底，室温下固化24h；将一维微纳米材料薄膜置于聚合物基底上，在一维微纳米材料薄膜两端制备电极，放置3-5h；在电极两端焊接铜丝，放置3-5h；将聚合物封装层缓慢的涂覆在一维微纳米材料薄膜及电极上，放置24h。本发明具有良好的柔韧性，器件具有优异的电阻开关性能，制作工艺相对简单。
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公开(公告)号：CN103427020A
公开(公告)日：2013-12-04
申请号：CN201310321529.9
申请日：2013-07-29
Applicant: 南昌大学
Abstract: 一种基于一维微纳米材料薄膜结构的应力写入型数据存储器件，包括聚合物基底、一维微纳米材料薄膜、金属电极、导线、聚合物封装层；一维微纳米材料薄膜放置在聚合物基底上，其两端焊接金属电极，金属电极焊接导线，聚合物封装层将整个微纳米材料薄膜结构封装在聚合物基底上。制备方法是在模具中加入聚合物基底，室温下固化24h；将一维微纳米材料薄膜置于聚合物基底上，在一维微纳米材料薄膜两端制备电极，放置3-5h；在电极两端焊接铜丝，放置3-5h；将聚合物封装层缓慢的涂覆在一维微纳米材料薄膜及电极上，放置24h。本发明具有良好的柔韧性，器件具有优异的电阻开关性能，制作工艺相对简单。
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