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公开(公告)号：CN118764023B
公开(公告)日：2024-12-17
申请号：CN202411248884.2
申请日：2024-09-06
Applicant: 南京邮电大学
IPC: H03K19/0185
Abstract: 本发明公开了一种TTL电平转换电路，属于半导体集成电路技术领域，电平转换模块采用若干串联的D管将输入电平位移为第一目标电平，所述D管为砷化镓耗尽型场效应管；反相器模块包括依次电性连接的第一级反相器和第二级反相器；第一级反相器和第二反相器均包括反相逻辑功能单元、供电支路和负载单元，其中，反相逻辑功能单元分别与供电支路和负载单元供电支路电性连接，且反相逻辑功能单元、供电支路和负载单元中的场效应管均为D管。优点：全部基于耗尽型场效应管和电阻，在不使用增强型场效应管的前提下，设计出符合要求的电平转换电路，促进了单片微波集成电路的简化、小型化，大大提高了工艺上的可适用性。
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公开(公告)号：CN112737545A
公开(公告)日：2021-04-30
申请号：CN202011554500.1
申请日：2020-12-24
Applicant: 南京邮电大学
Abstract: 本发明提出了一种由ADC控制的数控衰减器，所述衰减器包括ADC单元和数控衰减器单元；模拟电压输入所述ADC单元的模拟输入端，所述ADC单元的输出端分别与所述数控衰减器单元的控制输入端相连接；射频信号输入所述数控衰减器单元，经过衰减控制后输出。与传统数控衰减器设计相比，本申请的数控衰减器通过增加ADC单元，转变了衰减器的控制方式，实现了连续模拟电压控制衰减器，同时ADC单元集成驱动器，减少了控制端口，实现了并行控制衰减器，提高了波控速度和电路集成度。
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公开(公告)号：CN112072238A
公开(公告)日：2020-12-11
申请号：CN202010757323.0
申请日：2020-07-31
Applicant: 南京邮电大学
Abstract: 本发明公开了一种发夹型带通滤波器，包括依次堆叠的上金属层、介质基板、下金属层，上金属层与下金属层连接并构成谐振腔，上金属层包括依次间隔排列的发夹型半波长谐振器第一谐振器、第二谐振器、第三谐振器、第四谐振器和第五谐振器，第一谐振器、第三谐振器和第五谐振器开口向上设置，第二谐振器和第四谐振器开口向下设置，第一谐振器的输入谐振条上连接有输入微带线，第五谐振器的输出谐振条上连接有输出微带线，输入谐振条和输出谐振条分别沿第一谐振器和第五谐振器闭口方向利用微带线延长1/4波长。该滤波器能够抑制通带外更高频率处的寄生通带、实现宽阻带特性，具有良好的频率选择特性、插入损耗低。
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公开(公告)号：CN112002970A
公开(公告)日：2020-11-27
申请号：CN202010715538.6
申请日：2020-07-23
Applicant: 南京邮电大学
IPC: H01P1/203
Abstract: 本发明公开了一种微型化毫米波片上带通滤波器，包括输入端口、第一复合左右手谐振单元、第二复合左右手谐振单元以及输出端口，输入端口通过第一微带线连接第一复合左右手谐振单元，第一复合左右手谐振单元通过两条并行第二微带线连接第二复合左右手谐振单元，第二复合左右手谐振单元通过第三微带线连接输出端口，毫米波信号由输入端口引入，途径第一复合左右手谐振单元和第二复合左右手谐振单元，最后由输出端口输出。本发明的微型化毫米波片上带通滤波器利用复合左右手谐振单元之间的耦合效应，构建电容电感并联谐振单元，形成传输零点，从而增强带通滤波器的带外抑制度；实现了微型化、低损耗、高抑制的性能指标。
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公开(公告)号：CN110648715B
公开(公告)日：2020-10-02
申请号：CN201910953586.6
申请日：2019-10-09
Applicant: 南京邮电大学
Abstract: 一种低电压SRAM写半选择故障的测试方法，设计出写半选择故障测试元素：{⇕W0⇕W1column0⇕R1column0⇕R0column0'⇕W0⇕W1column1⇕R1column1⇕R0column0'}，其中{W1column0}和{W1column1}利用自定义行读写方式，即一种对指定范围的行地址进行有序的读写操作方式，将数据背景写入列地址相同、行地址顺序增加的存储单元，激活敏化出故障，随后进行读操作，将读出数据与期望数据比较，不一致则判断检测出故障。该方法能够弥补传统算法无法覆盖写半选择故障的问题，实现指定故障模型的覆盖，且有效地降低了测试成本。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110456260A
公开(公告)日：2019-11-15
申请号：CN201910583499.6
申请日：2019-07-01
Applicant: 南京邮电大学
IPC: G01R31/3185 , H04L9/00 , H04L9/08
Abstract: 本发明涉及一种密钥隔离安全扫描链电路，属于集成电路技术领域，包括安全扫描链电路、密钥隔离器电路和控制器电路；所述控制器电路通过所述密钥隔离器电路连接所述安全扫描链电路；所述安全扫描链电路包括相连的若干个普通扫描寄存器和安全扫描寄存器，该电路可以针对加密芯片的密钥提供安全有效地保护，使芯片无法被黑客攻击。安全扫描链电路中扫描寄存器包括普通扫描寄存器（SFF）和安全扫描寄存器（SSFF）。安全扫描寄存器由一个普通扫描寄存器、一个异或逻辑门和一个反向器组成。密钥隔离器电路将扫描链电路与密钥生成电路隔离，控制器电路使能密钥隔离器电路加载密钥。本电路在有效保证密钥安全的同时，对故障覆盖率的影响较小，并且面积消耗较小。
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公开(公告)号：CN118740090B
公开(公告)日：2025-05-16
申请号：CN202411234828.3
申请日：2024-09-04
Applicant: 南京邮电大学
Abstract: 本发明提出了一种集成负载阻抗匹配的正交全通滤波器及芯片电路，正交全通滤波器包括差分正交网络结构；所述正交全通滤波器设置有正交差分信号的正输入端口Vin+、负输入端口Vin‑、正输出端口VI+、VQ+和负输出端口VI‑、VQ‑；所述电感器L3与正输出端口VI+端口之间添增有第五电感器L5；所述电容器C3与负输出端口VQ‑端口之间添增有第六电感器L6；所述电容器C4与正输出端口VQ+端口之间添增有第七电感器L7；所述电感器L4与负输出端口VI‑端口之间添增有第八电感器L8。本发明通过在四个输出端串联电感来抵消负载端的容性阻抗，从而达到纯电阻阻抗匹配的效果。
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公开(公告)号：CN118764023A
公开(公告)日：2024-10-11
申请号：CN202411248884.2
申请日：2024-09-06
Applicant: 南京邮电大学
IPC: H03K19/0185
Abstract: 本发明公开了一种TTL电平转换电路，属于半导体集成电路技术领域，电平转换模块采用若干串联的D管将输入电平位移为第一目标电平，所述D管为砷化镓耗尽型场效应管；反相器模块包括依次电性连接的第一级反相器和第二级反相器；第一级反相器和第二反相器均包括反相逻辑功能单元、供电支路和负载单元，其中，反相逻辑功能单元分别与供电支路和负载单元供电支路电性连接，且反相逻辑功能单元、供电支路和负载单元中的场效应管均为D管。优点：全部基于耗尽型场效应管和电阻，在不使用增强型场效应管的前提下，设计出符合要求的电平转换电路，促进了单片微波集成电路的简化、小型化，大大提高了工艺上的可适用性。
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公开(公告)号：CN118764021A
公开(公告)日：2024-10-11
申请号：CN202411241507.6
申请日：2024-09-05
Applicant: 南京邮电大学
IPC: H03K19/00 , H03K19/173
Abstract: 本发明公开了一种反相电路以及TTL电路，包括晶体管一、晶体管二、晶体管三和电阻一，晶体管一、晶体管二、晶体管三均采用增强型伪高电子迁移率晶体管；晶体管一的栅极接晶体管三的栅极，并作为反相电路的输入端，晶体管一的源极接电源电压VEE，晶体管一的漏极分别接电阻一的一端、晶体管二的栅极，电阻一的另一端和晶体管二的漏极接地，晶体管二的源极和晶体管三的漏极相接，并作为反相电路的输出端，晶体管三的源极接电源电压。优点：大大提高电路的可靠性，整形波形，使输出电压更加接近0V和‑5V，提高驱动负载能力；减少成本，降低系统复杂度，同时该驱动电路功耗较低，提供良好的驱动能力。
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