一种基于HBT工艺的宽带混沌电路

    公开(公告)号:CN112019196B

    公开(公告)日:2022-11-08

    申请号:CN202010758781.6

    申请日:2020-07-31

    Abstract: 本发明公开了一种基于HBT工艺的宽带混沌电路,包括晶体管、选频网络、偏置模块和输出模块,晶体管包括第一晶体管Q1、第二晶体管Q2和第三晶体管Q3,第一晶体管Q1、第二晶体管Q2和第三晶体管Q3的集电极与偏置模块串联,输出模块的输出节点位于第三晶体管Q3的集电极,选频网络连接第一晶体管Q1的基极和发射极,第一晶体管Q1和第二晶体管Q2的发射极与第三晶体管Q3的集电极相连,晶体管为基于HBT工艺的异质结双极晶体管。该电路混沌状态稳定,受寄生参数影响较小,电路在1000Ω的负载下仍能够产生稳定连续的混沌信号,混沌信号平坦,基频3.79GHz,频谱覆盖3‑12GHz,适用于宽带射频无线通讯;适合在小型化、集成化、低功耗场景下应用。

    一种微型化毫米波片上带通滤波器

    公开(公告)号:CN112002970A

    公开(公告)日:2020-11-27

    申请号:CN202010715538.6

    申请日:2020-07-23

    Abstract: 本发明公开了一种微型化毫米波片上带通滤波器,包括输入端口、第一复合左右手谐振单元、第二复合左右手谐振单元以及输出端口,输入端口通过第一微带线连接第一复合左右手谐振单元,第一复合左右手谐振单元通过两条并行第二微带线连接第二复合左右手谐振单元,第二复合左右手谐振单元通过第三微带线连接输出端口,毫米波信号由输入端口引入,途径第一复合左右手谐振单元和第二复合左右手谐振单元,最后由输出端口输出。本发明的微型化毫米波片上带通滤波器利用复合左右手谐振单元之间的耦合效应,构建电容电感并联谐振单元,形成传输零点,从而增强带通滤波器的带外抑制度;实现了微型化、低损耗、高抑制的性能指标。

    一种两级超宽带Colpitts混沌振荡器

    公开(公告)号:CN112087202A

    公开(公告)日:2020-12-15

    申请号:CN202010743039.8

    申请日:2020-07-29

    Abstract: 本发明公开了一种两级超宽带Colpitts混沌振荡器,包括选频网络单元、一级偏置单元、级间耦合单元、二级偏置单元、射频三极管和输出单元,射频三极管包括第一射频三极管Q1和第二射频三极管Q2。本发明基于传统Colpitts混沌振荡器,其中选频网络单元采用共集电极代替共基极,一级偏置单元输出信号采用集电极输出,提高混沌信号的振荡幅度;提高混沌电路的带负载能力,使混沌信号输出频谱更平坦,更加适用于超宽带通信领域;通过储能来改善高频信号频谱的幅度,实现超宽带混沌信号的输出。

    一种基于HBT工艺的宽带混沌电路

    公开(公告)号:CN112019196A

    公开(公告)日:2020-12-01

    申请号:CN202010758781.6

    申请日:2020-07-31

    Abstract: 本发明公开了一种基于HBT工艺的宽带混沌电路,包括晶体管、选频网络、偏置模块和输出模块,晶体管包括第一晶体管Q1、第二晶体管Q2和第三晶体管Q3,第一晶体管Q1、第二晶体管Q2和第三晶体管Q3的集电极与偏置模块串联,输出模块的输出节点位于第三晶体管Q3的集电极,选频网络连接第一晶体管Q1的基极和发射极,第一晶体管Q1和第二晶体管Q2的发射极与第三晶体管Q3的集电极相连,晶体管为基于HBT工艺的异质结双极晶体管。该电路混沌状态稳定,受寄生参数影响较小,电路在1000Ω的负载下仍能够产生稳定连续的混沌信号,混沌信号平坦,基频3.79GHz,频谱覆盖3-12GHz,适用于宽带射频无线通讯;适合在小型化、集成化、低功耗场景下应用。

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