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公开(公告)号：CN115867045A
公开(公告)日：2023-03-28
申请号：CN202211657289.5
申请日：2022-12-22
Applicant: 南京邮电大学
Abstract: 本发明公开了一种基于压控磁各项异性效应的自旋轨道转矩磁存储器，该磁性存储器从上到下包括电极层、SOT‑MTJ(垂直自旋轨道矩磁隧道结)，所述SOT‑MTJ包括从上到下依次层叠的人工反铁磁耦合层、参考层、隧穿层、自由层以及反铁磁层。所述SOT‑MTJ中，椭圆形上层长轴方向与底层X轴方向形成夹角，以产生效应场Heff的通道，辅助磁矩更易翻转。底层反铁磁层采用IrMn或PtMn材料，具有相当大的自旋霍尔角，有利于高效地产生自旋轨道力矩来翻转磁矩，同时IrMn和PtMn反铁磁材料能够提供交换耦合场来代替相干磁开关所需的外部场。此外，在磁存储器的顶部和底部外接电压，通过施加极短的电压脉冲，降低甚至消除磁化切换期间的能量势垒，来诱导自由层更快地实现SOT确定性切换。
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公开(公告)号：CN115065993A
公开(公告)日：2022-09-16
申请号：CN202210704047.0
申请日：2022-06-21
Applicant: 南京邮电大学
Abstract: 一种基于模型和数据融合的无线网络自适应拥塞控制方法，该方法解决了传统拥塞控制方法调节拥塞窗口粒度过大并且难以根据不同业务需求灵活调整的问题。该方法分为两个模块，传统拥塞控制模块和学习模块。该算法分为四个阶段，分别是探索期，过渡期，评估期和决策期。算法在初始阶段默认采取传统的拥塞控制方法，与此同时不断比较两种算法得出的拥塞窗口大小，在评估其进行比较，选择表现更优的算法，应用在决策期。通过传统拥塞控制和基于学习的拥塞控制相结合的方法，提高了系统的传输效率以及对复杂网络环境的适应能力。
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公开(公告)号：CN113285017B
公开(公告)日：2022-08-05
申请号：CN202110442700.6
申请日：2021-04-23
Applicant: 南京邮电大学
Abstract: 本申请涉及一种基于磁性多层膜结构的斯格明子存储器件。该存储器件包括：半金属层、缓冲层和铁磁层；所述缓冲层的厚度由一边向对应的对边呈线性递增或递减，使所述缓冲层与所述铁磁层的接触面，相对于与所述半金属层的接触面的倾斜度为15°‑20°，所述铁磁层的厚度由一边向对应的对边呈线性递增或递减，使所述铁磁层与所述缓冲层的接触面，相对于所述半金属层的倾斜度为15°‑20°，所述铁磁层的表面相对于所述半金属层的倾斜度为10°‑15°，所述半金属层采用的材料为Weyl半金属，可以增加磁性作用，并产生室温下稳定的斯格明子，可在室温下形成斯格明子存储器件，从而降低了存储器件的运行功耗，极大提高存储器件的稳定性和运行速度。
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公开(公告)号：CN110059616A
公开(公告)日：2019-07-26
申请号：CN201910308541.3
申请日：2019-04-17
Applicant: 南京邮电大学
IPC: G06K9/00
Abstract: 本发明公开了一种基于融合损失函数的行人重识别模型优化方法，包括(1)利用神经网络训练得到行人重识别模型后，利用交叉熵损失函数计算模型中每个行人图像特征空间相似度；(2)根据空间相似度设置损失阈值，并利用阈值构造三元组对象；(3)利用三元组对象构造三重损失函数迭代优化，得到优化后的行人重识别模型。本发明结合交叉熵损失函数和三重损失函数，将深度学习和特征识别应用在行人重识别问题上面，对提高治安管理具有重要的意义。
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公开(公告)号：CN110010681A
公开(公告)日：2019-07-12
申请号：CN201910068192.2
申请日：2019-01-24
Applicant: 南京邮电大学
IPC: H01L29/778 , H01L29/26 , H01L29/10 , B82Y10/00
Abstract: 本发明公开了一种非对称峰值掺杂的二硫化钼隧穿场效应管，包括半导体衬底、本征二硫化钼纳米条带、源极、漏极以及两个栅极，在半导体衬底上从临近源极一端向临近漏极一端依次为P型重掺杂区、非对称峰值掺杂区、本征二硫化钼纳米条带和N型重掺杂区，通过施加电场使源区和漏区之间形成导电沟道，两个栅极分别位于沟道的两侧，用于控制沟道中的电流，在沟道和栅极之间还设有栅氧化层。本发明具有较大的开关电流比、较低的漏电流、较小的次阈值摆动、较高的截止频率和较小的延迟时间，因此具有更优秀的栅极控制能力和开关特性，能有效抑制短沟道效应和热载流子效应。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN109374712A
公开(公告)日：2019-02-22
申请号：CN201810994851.0
申请日：2018-08-29
Applicant: 南京邮电大学
IPC: G01N27/414
CPC classification number: G01N27/4145 , G01N27/4146
Abstract: 本发明公开了一种应用于生物传感器的MOS2材料电介质调制场效应管，包括导电沟道、源区、漏区、栅极氧化层、源极、漏极和栅极，所述的导电沟道、源区、漏区采用MOS2材料，所述的栅极氧化层内部设置有空腔，栅极氧化层的外表面设置有可供生物分子进出空腔的出入口。本发明能够敏锐感知器件的阈值电压和电流的电特性变化，通过捕捉这些电学特性的变化实现对目标生物分子的探测。
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公开(公告)号：CN108630746A
公开(公告)日：2018-10-09
申请号：CN201810384089.4
申请日：2018-04-25
Applicant: 南京邮电大学
IPC: H01L29/06 , H01L29/10 , H01L29/16 , H01L29/423 , H01L29/739 , B82Y40/00
Abstract: 本发明公开了一种梯度掺杂异质材料栅结构的石墨烯隧穿型效应管，沟道分为多个部分，包括梯度掺杂区域。本发明采用量子力学模型，运用非平衡格林函数林函数和泊松（Poisson）方程的自洽求解法，构建了新型多层次梯度掺杂异质金属栅结构隧穿型场效应管的输运模型，利用该模型比较分析梯度掺杂，异质栅结构，隧穿型场效应管的电学特性，主要从亚阈值摆幅、关态电流、开关电流比、迟滞时间，以及电压增益截止频率等方面进行研究。经过仿真研究得知该结构具有较低的泄漏电流与亚阈值摆幅，较大的开关电流比；沟道中的梯度掺杂区域可以减弱沟道中的电场，降低了栅电容，提高了截止频率。
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公开(公告)号：CN103258858A
公开(公告)日：2013-08-21
申请号：CN201310141602.4
申请日：2013-04-22
Applicant: 南京邮电大学
IPC: H01L29/786 , H01L29/49 , B82Y10/00
Abstract: 本发明公开了一种三材料异质栅结构的石墨烯纳米条带场效应管。该场效应管的导电沟道（1）、源区（2）和漏区（3）均采用石墨烯纳米条带材料制作，在所述的导电沟道（1）、源区（2）和漏区（3）外，采用原子沉积等方法生成一层栅极氧化层（4），在栅极氧化层（4）外再沉淀一层金属电极，作为三材料异质栅结构的石墨烯纳米条带场效应管的栅极（G），所述的栅极（G）采用三种不同功函数的导电金属制作，形成三材料异质栅结构的石墨烯纳米条带场效应管的异质栅。当三种材料的功函数从源极向漏极逐步减小，或是中间功函数最大，靠漏极一侧功函数最小时，该种结构能有效的改善性能，具有更低的泄漏电流，更高的电流开关比，更能抑制漏致势垒降低(DIBL)效应。
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公开(公告)号：CN103227204A
公开(公告)日：2013-07-31
申请号：CN201310112320.1
申请日：2013-04-01
Applicant: 南京邮电大学
Abstract: 本发明是一种晕掺杂的双材料异质栅石墨烯条带场效应管，该场效应管整体为上下对称结构，从沟道中间向外上、下依次为石墨烯纳米条带（1）、覆盖石墨烯纳米条带的绝缘层（2）、位于绝缘层外的双栅（3），分为顶栅（31）和底栅（32），绝缘层的长度与石墨烯纳米条带（1）相同；在石墨烯纳米条带（1）的左右两端分别设有源极（4）、漏极（5），与源极、漏极相连的石墨烯纳米条带部分分别设有长度相同的源区（41）、漏区（51），源区（41）、漏区（51）均采用相同参数的N型重掺杂；石墨烯纳米条带中间部分为沟道区（7），沟道区（7）在靠近源区（4）一侧，设有HALO掺杂区（6），采用P型重掺杂，剩余沟道部分不掺杂；该种结构能有效改善器件的亚阈值性能，提高器件的高频特性。
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公开(公告)号：CN117019251A
公开(公告)日：2023-11-10
申请号：CN202311104937.9
申请日：2023-08-30
Applicant: 南京邮电大学
Inventor： 王伟
IPC: B01L3/00
Abstract: 本发明公开了一种可光调谐器官芯片的制备加工方法，所述方法包括：制备软质通道A、B模板；将被加工聚合物复合材料灌入已做好的软质通道A模板内，得到待加工的初期器官芯片通道；采用飞秒激光双光子聚合的方式在在初期器官芯片通道上表面处从下至上进行扫描加工出三维微型致动器，并对具有三维微致动器的初期器官芯片进行后处理；将带有三维微致动器的初期器官芯片的软质通道A和软质通道B进行键合，得到可光调谐的器官芯片。
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