公开(公告)号：CN110186979A

公开(公告)日：2019-08-30

申请号：CN201910454188.X

申请日：2019-05-28

Applicant: 南京邮电大学

Inventor： 渠开放 ,  江斌 ,  程庆苏 ,  李桂华 ,  吉娜 ,  王伟

IPC: G01N27/414

Abstract: 本发明公开了一种应用于高灵敏度气体传感器的场效应晶体管，包括导电沟道、源区、漏区、栅极氧化层、源极、漏极、栅极；所述导电沟道由三层纵向异质结构组成，从下至上依次为WSe2、BN、BP；导电沟道的上下表面分别设有栅极氧化层；栅极氧化层外表面沉淀有金属电极，作为栅极。该场效应管用于气体传感器灵敏度高，稳定性好。

公开(公告)号：CN110070920A

公开(公告)日：2019-07-30

申请号：CN201910308935.9

申请日：2019-04-17

Applicant: 南京邮电大学

Inventor： 江斌 ,  渠开放 ,  吉娜 ,  李桂华 ,  王伟

IPC: G16C10/00

Abstract: 本发明公开了一种含单层二硫化钼结构的半导体器件仿真方法，包括以下步骤：(1)从原子层面对单层二硫化钼进行二维材料结构建模；(2)计算单层二硫化钼材料的材料特性；(3)计算单层二硫化钼材料的哈密顿量导入紧束缚模型，得到带有紧束缚哈密顿参数的矩阵；(4)建立半导体器件模型，将含有紧束缚哈密顿参数的矩阵导入半导体器件模型来计算含单层二硫化钼结构的半导体器件的电学特性和输运特性。该仿真系统从二硫化钼的原子层面开始计算，将二维二硫化钼材料使用紧束缚哈密顿矩阵来表示，从而带入进行器件层面的计算，得到含有单层二硫化钼结构的半导体器件的电学特性和输运特性。

公开(公告)号：CN109935686A

公开(公告)日：2019-06-25

申请号：CN201910129393.9

申请日：2019-02-21

Applicant: 南京邮电大学

Inventor： 童祎 ,  高斐 ,  渠开放 ,  张缪城 ,  郭宇锋 ,  万相 ,  连晓娟

IPC: H01L45/00

Abstract: 本发明提供了一种具有双脉冲易化特性的忆阻器件及其制备方法，所述忆阻器件包括位于中部的阻变层，以及分别设置在所述阻变层顶部、底部的顶电极、底电极，所述顶电极和底电极均与外部电源电连接，所述底电极、阻变层与所述衬底的形状、尺寸一一匹配；所述阻变层包括介质层和敷设在该介质层上方的Mxene材料膜，所述顶电极通过掩膜板的开孔溅射在所述Mxene材料膜的顶部，所述底电极的顶部、底部分别与所述介质层、衬底相触接。该忆阻器件的导电性和稳定性佳，可实现突触功能的仿生，具有广阔的应用前景；此外，本发明的制备方法简便、高效，成本低，可广泛用于工业生产。

公开(公告)号：CN209626229U

公开(公告)日：2019-11-12

申请号：CN201920828659.4

申请日：2019-06-03

Applicant: 南京邮电大学

Inventor： 赵剑飞 ,  渠开放 ,  王伟

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/423 ,  H01L29/06

Abstract: 本实用新型公开了一种异质非对称栅叠加外延层MOS场效应管，包括源极、漏极、栅极、沟道及栅氧化层，栅极包括栅极中间及靠近源极漏极的栅极两端，栅极两端材料的功函数低于栅极中间材料的功函数；沟道包括沟道中间及靠近源极漏极的沟道两端，沟道两端为N型重掺杂区，沟道中间包括衬底N型轻掺杂区和叠加在衬底N型轻掺杂区上的N型轻掺杂外延层；栅氧化层包括靠近漏极的叠加结构，所述叠加结构包括高电介质材料氧化层区和普通电介质材料氧化层区，高电介质材料氧化层区位于普通电介质材料氧化层区上方。本实用新型可作为一种耐热电子器件，即使较短的沟道，也能降低短沟道效应和热电子效应，降低漏感应势垒降低效应，提高栅极输运效率。

公开(公告)号：CN209626224U

公开(公告)日：2019-11-12

申请号：CN201920838935.5

申请日：2019-06-04

Applicant: 南京邮电大学

Inventor： 王震 ,  渠开放 ,  王伟

IPC: H01L29/423 ,  H01L29/08 ,  H01L29/16 ,  H01L29/739 ,  B82Y40/00

Abstract: 本实用新型公开了一种隧穿型石墨烯纳米带场效应管，包括源极、漏极、沟道、源区、漏区、SiO2氧化层及双栅极；所述沟道为石墨烯纳米条带；所述源区位于源极和沟道之间，漏区位于漏极和沟道之间，源区和漏区均为掺杂型石墨烯纳米管；源区包括P型重掺杂区和P型轻掺杂区，P型轻掺杂区靠近沟道，P型重掺杂区靠近源极，漏区包括N型重掺杂区和N型轻掺杂区，N型轻掺杂区靠近沟道，N型重掺杂区靠近漏极；沟道两侧各有一个SiO2氧化层，SiO2氧化层覆盖沟道、源区及漏区；双栅极包括两个子栅极，子栅极位于SiO2氧化层外侧，子栅极包括三种功函数不同的金属块。本实用新型具有更大的开关电流比。

公开(公告)号：CN209766453U

公开(公告)日：2019-12-10

申请号：CN201920846561.1

申请日：2019-06-05

Applicant: 南京邮电大学

Inventor： 王宸观 ,  渠开放 ,  王伟

IPC: H01L31/112 ,  H01L31/0352

Abstract: 本实用新型公开了一种频率可调谐的高灵敏度纳米碳管量子点THz探测器，包括源极、漏极、沟道、N型掺杂区、栅氧化层、基底和栅极，基底采用GaInNAs异质结基底；所述栅氧化层位于基底上方，所述沟道位于栅氧化层上方，所述沟道采用纳米碳管量子点制成，沟道位于源极和漏极之间，且沟道与源极之间存在N型掺杂区，沟道与漏极之间也存在N型掺杂区；所述栅极为侧栅极，栅极位于沟道侧面；源极和漏极采用Al薄膜。本实用新型具有更高的灵敏度，更强的频率选择性，更高的工作温度，表明该结构有更好的太赫兹光子探测能力。

公开(公告)号：CN209626230U

公开(公告)日：2019-11-12

申请号：CN201920838966.0

申请日：2019-06-04

Applicant: 南京邮电大学

Inventor： 张闻睿 ,  渠开放 ,  王伟

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/08

Abstract: 本实用新型公开了一种源漏轻掺杂异质栅石墨烯纳米条带场效应管，包括源区、漏区、沟道、栅氧化层及双栅极；栅极包括栅极两端和栅极中间，栅极两端功函数与栅极中间功函数不同；沟道为石墨烯纳米管，位于源区和漏区之间，源区和漏区均包括N型重掺杂区和扩展区，扩展区靠近石墨烯纳米管，N型重掺杂区远离石墨烯纳米管，源扩展区与漏扩展区均为N型轻掺杂；栅氧化层位于石墨烯纳米管两侧，双栅极位于栅氧化层外侧。本实用新型减少了器件性能下降，具有更大的电流开关比，迟滞时间更短，亚阈值摆幅更小，电压增益更高的源漏轻掺杂异质栅石墨烯纳米条带场效应管。