公开(公告)号：CN116709898A

公开(公告)日：2023-09-05

申请号：CN202310786477.6

申请日：2023-06-29

Applicant: 南京邮电大学

Inventor： 孙仕磊 ,  陈帅 ,  何南 ,  童袆

IPC: H10N70/20 ,  H10N70/00

Abstract: 本发明公开了一种低功耗忆阻器及其制备方法，所述低功耗忆阻器包括由下至上依次布设的黏附层、底电极层、阻变层和顶电极层，所述阻变层为SiC，所述低功耗忆阻器具有操作电压和电流小的特点，能够使器件在更小的功耗下运行，所述低功耗忆阻器还能够在不同限流下表现出易失和非易失共存特性，且能够在上百次循环后，依然保持开关特性，具有良好的稳定性和高重复性，能够更好的满足器件应用于电路时对其性能的要求。所述低功耗忆阻器制备方法，操作简单且成本低廉，具有广阔的市场价值。

公开(公告)号：CN115843215A

公开(公告)日：2023-03-24

申请号：CN202211179513.4

申请日：2022-09-27

Applicant: 南京邮电大学

Inventor： 叶帆 ,  何南 ,  童祎

IPC: H10N70/20 ,  G06N3/063

Abstract: 本发明公开了一种人工神经元阈值忆阻器、制备方法及应用，忆阻器包括由下至上设置在衬底上的底电极和顶电极，其中底电极和顶电极之间设置有阻变层和插入层；阻变层为丝胶蛋白材料薄膜，插入层为量子点材料薄膜，量子点材料薄膜由AgInZnS材料制备而成，能够减少导电细丝生长的随机性，降低开关参数的弥散性，提升忆阻器的稳定性。

公开(公告)号：CN111900249B

公开(公告)日：2022-10-14

申请号：CN202010679453.7

申请日：2020-07-15

Applicant: 南京邮电大学

Inventor： 何南 ,  堵大伟 ,  童祎

IPC: H01L45/00

Abstract: 本发明提供了一种忆阻器及其制备方法，包括自下而上依次设置的衬底、底电极、阻变层和顶电极，所述阻变层包括介质层和旋涂在介质层上方的量子点材料膜，所述量子点材料膜由AgInZnS材料制备而成，所述介质层的底部与所述底电极的顶部接触，所述量子点材料膜的底部与所述介质层的顶部相接触、所述量子点材料膜的顶部与所述顶电极的底部相接触相较于现有技术，本发明引入量子点材料制备形成的忆阻器，具有稳定性好、均一性高和功耗低等优点，更好地满足了类脑系统对忆阻器的性能要求；同时本发明的制备方法简便高效，且材料成本低。

公开(公告)号：CN113889575A

公开(公告)日：2022-01-04

申请号：CN202111148583.9

申请日：2021-09-29

Applicant: 南京邮电大学

Inventor： 戎焕焕 ,  张强强 ,  何南 ,  童祎

IPC: H01L51/05 ,  H01L51/10 ,  H01L51/30 ,  H01L51/40

Abstract: 本发明提供了一种基于钒基MXene的丝胶蛋白忆阻器及其制备方法，所述忆阻器件包括从上至下依次排列的是上电极、阻变层、下电极和衬底，且所述阻变层包括丝胶蛋白介质层和旋涂在该介质层上方的MXene薄膜，所述上电极和下电极分别通过不同掩膜版开孔溅射，所述上电极底部与二维MXene薄膜材料相接触，所述下电极的顶部、底部分别与所述介质层、衬底相接触。该忆阻器采用了丝胶蛋白材料作为介质层，并且首次将二维材料MXene引入到丝胶蛋白忆阻器的阻变层，器件阈值电压小，功耗低，器件集成度高，制备方法简单高效，材料成本低，应用前景广泛。

公开(公告)号：CN109560195A

公开(公告)日：2019-04-02

申请号：CN201811365078.8

申请日：2018-11-15

Applicant: 南京邮电大学

Inventor： 张缪城 ,  王宇 ,  沈心怡 ,  何南 ,  童祎 ,  连晓娟 ,  万相

IPC: H01L45/00

Abstract: 本发明揭示了一种基于硅基半导体器件均匀MXene薄膜的制备方法及其在忆阻器的应用，首先将二维MXene粉末和二甲基亚砜溶液超声混合均匀得到混合分散液，然后再利用甩胶的方法在具有疏水性的硅片生长了一层均匀致密的MXene薄膜，极大地扩展了MXene这种二维材料在硅基半导体器件上的应用前景。最后成功用这种方法制备出了以MXene为介变层的忆阻器单一器件，推动了忆阻器新型二维材料的介变层的研究进展。本发明制备出的均匀MXene薄膜，具有良好的稳定性、较高的导电性、稳定性、机械性能，所述方法简单、成本低廉、适合大规模应用。

公开(公告)号：CN109545961A

公开(公告)日：2019-03-29

申请号：CN201811363429.1

申请日：2018-11-15

Applicant: 南京邮电大学

Inventor： 王宇 ,  王钰琪 ,  张缪城 ,  何南 ,  童祎 ,  连晓娟 ,  万相

IPC: H01L45/00

Abstract: 本发明揭示了一种基于二维材料的类脑阻变开关的制备方法，该方法包括如下步骤：S1：制备MXene粉末与去离子水的混合溶液：S2：制备底电极：采用磁控溅射法在硅片上沉积底电极铜；S3：制备二维材料层：将S2步骤得到的硅片放在甩胶机上设置转速，将S1步骤获得的混合溶液均匀滴在硅片上，MXene混合液均匀甩在底电极铜上；S4：制备顶电极：将掩模版贴在S3步骤得到的硅片上，采用磁控溅射法在二维材料层上沉积顶电极铜，获得基于二维材料MXene的阻变开关。本技术方案首次将新型二维材料MXene引入类脑器件领域，在本发明结构中作为阻变层，在外加电压刺激下能够使金属离子在其缺陷中形成导电细丝从而实现器件的打开。