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公开(公告)号：CN111188027B
公开(公告)日：2021-08-03
申请号：CN202010088816.X
申请日：2020-02-12
Applicant: 南京大学
IPC: C23C16/455 , C23C16/50 , C23C16/34
Abstract: 一种化学气相沉积设备，包括气体输入结构和反应室，所述气体输入结构包括气体分配器以及下方的出气套筒，所述气体分配器为开设有一个入口和多个均匀分布的出口相连通的容器，所述每个出口均为出气套筒的结构，出气套筒包括由内向外依次同轴嵌套设置的第一管、第二管和第三管，所述气体分配器的每一所述出口与所述第一管对应，所述第一管内的空间用于传输第一反应物，所述第一管外与所述第二管内之间的空间用于传输隔离气体，所述第二管外与所述第三管内之间的空间用于传输第二反应物，所述隔离气体使得所述第一反应物与所述第二反应物至少在出气套筒出口处隔离。
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公开(公告)号：CN111564504A
公开(公告)日：2020-08-21
申请号：CN202010298336.6
申请日：2020-04-16
Applicant: 南京大学
IPC: H01L31/0216 , H01L31/0224 , H01L31/0232 , H01L31/108 , H01L31/18
Abstract: 本发明公开了日盲紫外探测器及其制备方法。探测元件由上至下包括由金属和氧化物的多周期滤波结构(或称滤波层)，紫外吸收体、叉指电极层、衬底层；多周期滤波结构顶部，底部均为电解质隔离层；由金属薄膜和电介质薄膜交替的多周期滤波结构生长在探测器的电介质隔离层上。多周期滤波结构尤其是交替生长氧化铝和铝。探测器结构采用背电极MSM结构，金属叉指电极制备在紫外吸收体与衬底之间，光信号从器件正面经过滤波结构射入紫外吸收体中，以避免叉指电极的阻挡，有效提高吸收效率。可实现日盲紫外波段的高效探测，同时对可见光、红外波段具有高抑制作用。
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公开(公告)号：CN111188027A
公开(公告)日：2020-05-22
申请号：CN202010088816.X
申请日：2020-02-12
Applicant: 南京大学
IPC: C23C16/455 , C23C16/50 , C23C16/34
Abstract: 一种化学气相沉积设备，包括气体输入结构和反应室，所述气体输入结构包括气体分配器以及下方的出气套筒，所述气体分配器为开设有一个入口和多个均匀分布的出口相连通的容器，所述每个出口均为出气套筒的结构，出气套筒包括由内向外依次同轴嵌套设置的第一管、第二管和第三管，所述气体分配器的每一所述出口与所述第一管对应，所述第一管内的空间用于传输第一反应物，所述第一管外与所述第二管内之间的空间用于传输隔离气体，所述第二管外与所述第三管内之间的空间用于传输第二反应物，所述隔离气体使得所述第一反应物与所述第二反应物至少在出气套筒出口处隔离。
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公开(公告)号：CN106803478B
公开(公告)日：2019-12-06
申请号：CN201611113575.X
申请日：2016-12-05
Applicant: 南京大学
Abstract: 一种制备GaN纳米结构阵列的方法，利用CVD设备和石墨烯插入层及低温GaN缓冲层升华法生长GaN纳米结构阵列；衬底采用蓝宝石、硅或石英玻璃、GaN/蓝宝石(硅)，衬底清洗后，先覆盖单层或多层石墨烯薄膜；将覆有石墨烯薄膜的衬底放入CVD管式炉生长系统中，开始GaN纳米结构生长；先在低温下生长GaN缓冲层，然后升温至高温开始生长GaN纳米阵列；缓冲层生长温度：500–1000℃，纳米线阵列生长温度1000‑1150℃；高纯N2作为载气，总N2载气流量0.5‑5slm。
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公开(公告)号：CN106757323B
公开(公告)日：2019-06-04
申请号：CN201611103463.6
申请日：2016-12-05
Applicant: 南京大学
Abstract: 一种制备无应力InN纳米线的方法，利用CVD设备升华法生长InN纳米线；衬底采用蓝宝石、硅或石英玻璃、GaN/蓝宝石(硅)，衬底清洗后，先覆盖单层或多层石墨烯薄膜；将覆有石墨烯薄膜的衬底表面沉积Au，放入CVD管式炉生长系统中，开始InN纳米线生长；常压，生长温度：500–800℃；高纯N2作为载气先吹扫管式炉去除空气等，然后持续通气保护InN纳米线外延，生长期间总N2载气流量0‑5slm；In源采用常规的高纯金属铟升华铟蒸汽和高纯氨气N H3反应生成InN。高纯氨气作为氮源，NH3流量：100–2000sccm；生长时间30‑150分钟。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN106601881B
公开(公告)日：2019-03-19
申请号：CN201710093149.2
申请日：2017-02-21
Applicant: 南京大学
Abstract: 一种ZnO导电协变衬底垂直结构型GaN紫外LED，以纳米图形化(PSS)蓝宝石作为外延基底，使用MOCVD方法生长ZnO低温缓冲层和ZnO高温外延层，以ZnO外延层作为高品质导电衬底，后续生长GaN紫外LED外延，LED芯片经剥离和转移后，形成ZnO导电协变衬底垂直结构型GaN紫外LED。新型的垂直结构型GaN紫外LED，可降低器件成本，并提高GaN紫外LED的出光效率。形成ZnO导电协变衬底垂直结构型GaN紫外LED，剥离工艺简单，成本低，有利于实现柔性衬底的照明工程。
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公开(公告)号：CN106645323A
公开(公告)日：2017-05-10
申请号：CN201611079255.7
申请日：2016-11-30
Applicant: 南京大学
IPC: G01N27/26
CPC classification number: G01N27/26
Abstract: 本发明公开了一种基于氧化物异质结的极性溶剂化学传感器，在衬底上制备ZnMgO/ZnO异质结构，通过光刻、热蒸发等半导体工艺在异质结构制作电极，形成肖特基‑欧姆接触的非对称无栅高电子迁移率晶体管(HEMT)结构的化学传感器。ZnMgO/ZnO异质界面形成二维电子气(2DEG)，吸附于器件传感区域的极性溶剂分子可以影响异质界面二维电子气(2DEG)的浓度，通过器件漏源电流的变化，从而实现对多种极性溶剂的探测。
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公开(公告)号：CN106601881A
公开(公告)日：2017-04-26
申请号：CN201710093149.2
申请日：2017-02-21
Applicant: 南京大学
CPC classification number: H01L33/02 , H01L33/0079
Abstract: 一种ZnO导电协变衬底垂直结构型GaN紫外LED，以纳米图形化(PSS)蓝宝石作为外延基底，使用MOCVD方法生长ZnO低温缓冲层和ZnO高温外延层，以ZnO外延层作为高品质导电衬底，后续生长GaN紫外LED外延，LED芯片经剥离和转移后，形成ZnO导电协变衬底垂直结构型GaN紫外LED。新型的垂直结构型GaN紫外LED，可降低器件成本，并提高GaN紫外LED的出光效率。形成ZnO导电协变衬底垂直结构型GaN紫外LED，剥离工艺简单，成本低，有利于实现柔性衬底的照明工程。
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公开(公告)号：CN105908256A
公开(公告)日：2016-08-31
申请号：CN201610192710.8
申请日：2016-03-30
Applicant: 南京大学
CPC classification number: Y02E60/366 , Y02E70/10 , C30B29/16 , C25B1/003 , C25B1/04 , C25B11/0452 , C30B25/02 , C30B29/64
Abstract: 本发明涉及一种用于高效可见光催化水分解的锌镉氧合金单晶薄膜，所述的ZnCdO合金单晶薄膜的禁带宽度在2.1?3.3eV范围内可调，覆盖大部分太阳光谱，将ZnCdO合金单晶薄膜与铟金属形成欧姆接触。本发明利用有机金属化学气相沉积(MOCVD)方法在蓝宝石或石英等透明衬底上低温制备不同Cd/Zn组分配比的ZnCdO合金单晶薄膜。薄膜的禁带宽度覆盖绝大部分太阳光谱，非常适合用于可见光催化分解水。本发明制备方法适合大规模产业化，制备的ZnCdO薄膜在高效光催化水分解和光伏电池等领域有应用前景。
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公开(公告)号：CN103938183B
公开(公告)日：2016-03-23
申请号：CN201410177089.9
申请日：2014-04-29
Applicant: 南京大学
Abstract: 一种生长高质量氧化锌薄膜材料的方法，选用蓝宝石片作为生长氧化锌薄膜材料的衬底；将清洗过的蓝宝石衬底放在金属有机化学气相外延设备的反应室衬底底座上；将反应室抽真空至3*10-3Pa以下，以排净反应室中的空气；充入氮气和氢气的混合气体对衬底进行高温预处理；高温预处理的温度为1000℃-1200℃，处理时间为3min-8min；将衬底降温到适合ZnO缓冲层薄膜生长的温度，使用高纯二甲基锌作为Zn源，叔丁醇t-BuOH作为O源，在MOCVD设备中生长ZnO缓冲层；ZnO薄膜生长是选用N2作为稀释气体，同时加入适当流量的H2；采用LP－MOCVD技术在ZnO缓冲层上生长ZnO。
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