-
公开(公告)号：CN107099845A
公开(公告)日：2017-08-29
申请号：CN201710269810.0
申请日：2017-04-24
Applicant: 南京大学
Abstract: 本发明公开了一种具有巨大磁电阻的HfTe5‑δ晶体及其生长方法。本发明的HfTe5‑δ晶体呈带状，长度尺寸范围为0.5‑2cm，δ的值为0.02～0.12。当δ的值为0.06时，HfTe5‑δ晶体在2K温度和9T磁场下最大的磁电阻为2.5×104％，在室温9T磁场下最大的磁电阻为33％。本发明制备所述HfTe5‑δ晶体采用的是气相输运方法，使用I2、Br2、TeI4、TeBr4或TeCl4作为输运剂，以真空密封的石英管为生长容器，在400℃(生长端)～550℃(原料端)的温区中生长晶体，并通过生长原料中加入过量的Te粉优化生长工艺，获得具有巨大磁电阻的HfTe5‑δ晶体，在新型磁阻器件应用方面有重要研究价值。
-
公开(公告)号：CN103193487A
公开(公告)日：2013-07-10
申请号：CN201310142843.0
申请日：2013-04-22
Applicant: 南京大学
IPC: C04B35/622 , C04B35/26
Abstract: 本发明公开了一种定量控制Sr2FeMoO6陶瓷B位反位缺陷浓度的方法，本发明的方法使用SrCO3、Fe2O3和MoO3粉末，将上述粉末的混合物经过球磨-预烧-球磨处理，将得到的混合均匀的粉末混合物压片后在流量为65ml/min的5%H2/95%Ar混合气下，在1473K的烧结温度下通过调控烧结时间(16-4h)，得到一系列具有不同B位反位缺陷浓度的Sr2FeMoO6陶瓷，而且本发明的方法所需的设备和制备过程简单易行。
-
公开(公告)号：CN113705087B
公开(公告)日：2024-03-19
申请号：CN202110910119.2
申请日：2021-08-09
Applicant: 南京大学
IPC: G06F30/27 , G06N20/00 , G16C60/00 , G06F111/10 , G06F119/10
Abstract: 本发明提供一种基于统计机器学习方法的载流子迁移率谱分析系统，其包括：数据输入模块，其用于输入待测材料的电输运数据；预处理模块，其用于对所述电输运数据进行预处理；运算模块，其用于对预处理数据进行计算并得到迁移频谱和载流子参数；所述分析系统还包括输出模块，所述输出模块用于输出所述计算结果。本发明能够快速准确地确定相关电子材料的载流子信息。
-
公开(公告)号：CN110408989B
公开(公告)日：2021-04-27
申请号：CN201910075768.8
申请日：2019-01-25
Applicant: 南京大学
Abstract: 一种氧化物热电材料BiCuSeO单晶体及其制备方法，所提供的BiCuSeO单晶体气相输运生长方法具有装置简单、易于操作等优点。所制备的BiCuSeO单晶体材料，具有很高的晶体质量，所述BiCuSeO单晶体的尺寸达毫米级，面积达平方毫米级，所述单晶体材料提供了一个理想的系统来阐明材料的固有物理性能。这对研究如何有效地提高BiCuSeO基热电材料的热电性能以便开发相关热电器件具有重要的意义。所提供的BiCuSeO单晶体是一种氧化物热电材料，可用作理想的高温热电材料用来开发相关热电器件。气相输运法生长晶体，具有生长的晶体纯度高、品质高、成本低、可操作性强等优点。
-
公开(公告)号：CN107099845B
公开(公告)日：2019-03-22
申请号：CN201710269810.0
申请日：2017-04-24
Applicant: 南京大学
Abstract: 本发明公开了一种具有巨大磁电阻的HfTe5‑δ晶体及其生长方法。本发明的HfTe5‑δ晶体呈带状，长度尺寸范围为0.5‑2cm，δ的值为0.02～0.12。当δ的值为0.06时，HfTe5‑δ晶体在2K温度和9T磁场下最大的磁电阻为2.5×104％，在室温9T磁场下最大的磁电阻为33％。本发明制备所述HfTe5‑δ晶体采用的是气相输运方法，使用I2、Br2、TeI4、TeBr4或TeCl4作为输运剂，以真空密封的石英管为生长容器，在400℃(生长端)～550℃(原料端)的温区中生长晶体，并通过生长原料中加入过量的Te粉优化生长工艺，获得具有巨大磁电阻的HfTe5‑δ晶体，在新型磁阻器件应用方面有重要研究价值。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113564706B
公开(公告)日：2024-03-19
申请号：CN202110753154.8
申请日：2021-07-02
Applicant: 南京大学
Abstract: 本发明公开了一种RhO2晶体，所述RhO2晶体属于三方晶系，空间群为#imgabs0#其晶格常数为#imgabs1#该晶体显示新颖的输运性质，即在高温下表现为金属行为，在100‑150K出现金属绝缘体转变，低于该温度表现绝缘体行为。分析表明，该金属绝缘体转变是由电子关联和自旋轨道耦合共同导致的一种Mott(莫特)转变，即该结构的RhO2是一种莫特绝缘体。
-
公开(公告)号：CN113705087A
公开(公告)日：2021-11-26
申请号：CN202110910119.2
申请日：2021-08-09
Applicant: 南京大学
IPC: G06F30/27 , G06N20/00 , G16C60/00 , G06F111/10 , G06F119/10
Abstract: 本发明提供一种基于统计机器学习方法的载流子迁移率谱分析系统，其包括：数据输入模块，其用于输入待测材料的电输运数据；预处理模块，其用于对所述电输运数据进行预处理；运算模块，其用于对预处理数据进行计算并得到迁移频谱和载流子参数；所述分析系统还包括输出模块，所述输出模块用于输出所述计算结果。本发明能够快速准确地确定相关电子材料的载流子信息。
-
公开(公告)号：CN110158048A
公开(公告)日：2019-08-23
申请号：CN201910356258.8
申请日：2019-04-29
Applicant: 南京大学
Abstract: 本发明公开一种在二维层状材料上生长超薄高质量氧化物薄膜的方法及其应用，该方法包括如下步骤：(1)采用范德瓦尔斯外延生长技术在二维层状材料上生长单层有机染料分子薄膜；(2)利用原子层沉积技术，以单层有机染料分子薄膜作为种子层，在二维层状材料上生长出超薄均匀的氧化物薄膜。本发明通过范德瓦尔斯外延在二维层状材料表面生长单层的有机染料分子薄膜做种子层，可以做到对二维层状材料近乎无损伤，而且在该种子层上可沉积得到超薄且均匀致密的高质量氧化物薄膜；同时，该生长方法成本低廉，加工实现简单；利用本发明方法制备的氧化物薄膜可以在很薄的情况下，仍保持优异的均匀性和耐压性，可适用于多种形式下的电子器件应用。
-
公开(公告)号：CN103342551A
公开(公告)日：2013-10-09
申请号：CN201310267747.9
申请日：2013-06-28
Applicant: 南京大学
IPC: C04B35/26 , C04B35/622 , C23C14/28 , C23C14/06
Abstract: 本发明公开了一种室温铁磁性Sr3FeCrMoO9陶瓷的制备方法，本发明使用SrCO3、Fe2O3、Cr2O3、MoO3粉末，将上述粉末的混合物经过球磨-预烧-球磨处理，将得到的混合均匀的粉末混合物压片后在5%H2/95%Ar混合气下，在1473K的温度下烧结12小时，获得单相的陶瓷。还公开了一种利用上述陶瓷制备得到的室温铁磁性Sr3FeCrMoO9薄膜的制备方法。该陶瓷具有良好的铁磁性，且具有高于室温的铁磁居里点（386K）。在获得陶瓷的基础上，利用脉冲激光沉积技术，在（001）SrTiO3单晶衬底上制备了相应的薄膜材料，该薄膜在室温下具有铁磁性。本发明所需的设备和制备过程简单易行。
-
公开(公告)号：CN113421826B
公开(公告)日：2024-02-09
申请号：CN202110675975.4
申请日：2021-06-18
Applicant: 南京大学
IPC: H01L21/3213
Abstract: 本发明提供了一种二维层状材料的原子级精度无损逐层刻蚀方法，包括以下步骤：利用表面处理技术，在待刻蚀材料表层制造晶格缺陷；在待刻蚀材料表层上沉积热扩散牺牲材料；将待刻蚀材料在一定温度下热退火，使扩散牺牲材料扩散进入待刻蚀材料表层，形成合金层；利用选择性化学反应去除扩散牺牲材料及其合金层，完成局部刻蚀；待刻蚀二维层状材料包括金属硫化物、金属硒化物、金属碲化物、石墨烯、黑磷中的一种或组合；扩散牺牲材料包括低原子半径金属、低原子半径非金属材料、小分子有机物中的一种或组合。本发明中牺牲层没有扩散进入待刻蚀材料的内部保留层，因而刻蚀工艺不损害材料保留层晶格，保持了材料的本征电学性能，是一种无损刻蚀技术。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
24
records
(took 0.023 seconds)
