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公开(公告)号：CN117788538B
公开(公告)日：2024-05-10
申请号：CN202410211297.X
申请日：2024-02-27
Applicant: 南京信息工程大学
Abstract: 本发明公开了点云区间配对体积方差一致性的配准方法、装置和系统，涉及三维激光点云处理技术领域，包括：对待配准点云数据进行降采样处理，选取降采样处理后的待配准点云数据中任意一点作为中心点，运用k近邻算法找到离中心点最近的k个点；对选取的每个中心点和中心点周围的k个点计算局部方向中心性度量，得到源点云和目标点云所有点的局部方向中心性度量值；将局部方向中心性度量值进行排序，找到最大值和最小值，将最大值和最小值进行等分的区间划分，得到若干个区间；统计每个区间内局部方向中心性度量值的个数，并计算每个区间内局部方向中心性度量值的个数与局部方向中心性度量值的总数的比值；将比值进行比较，对配准精度进行判定。
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公开(公告)号：CN114703539B
公开(公告)日：2023-07-21
申请号：CN202210345908.0
申请日：2022-03-31
Applicant: 南京信息工程大学
Abstract: 本发明涉及晶体材料制备技术领域，尤其是一种大尺寸氯溴化铯铜晶体的制备方法，现提出如下方案，制备方法包括如下步骤：将等摩尔的CsBr和CuBr2混合、研磨得到第一多晶粉体；将等摩尔的CsCl和CuCl2混合、研磨得到第二多晶粉体；将第一多晶粉体和第二多晶粉体混合并研磨；将混合多晶粉体溶解于去离子水形成晶体生长母液，将晶体生长母液置于35℃‑40℃下,再恒温蒸发溶剂得到氯溴化铯铜晶体。本发明制备的新型混合卤素钙钛矿CsCu(Br1‑xClx)3材料，采用固相研磨法与水溶液蒸发法相结合，具有合成工艺简单，溶剂无污染，生长周期短的优点，可以得到高质量、大尺寸的CsCu(Br1‑xClx)3晶体。
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公开(公告)号：CN116380831A
公开(公告)日：2023-07-04
申请号：CN202211690148.3
申请日：2022-12-27
Applicant: 南京信息工程大学
IPC: G01N21/3577 , C12M1/34 , C12M3/00
Abstract: 本发明公开了一种基于多波段激光光谱的类器官芯片检测系统，包括主控处理模块，还包括：多路阵列激光模块以及光纤耦合器模块，所述光纤耦合器模块上连接有类器官芯片正常细胞培养系统以及类器官芯片癌细胞培养系统；锁相放大器模块，与主控处理模块连接，用于对接收的信号进行锁相放大转化成电信号并出入主控处理模块；以及双路MEMS‑SPI光谱传感器模块，与类器官芯片癌细胞培养系统连接且通过光纤衰减器模块与类器官芯片正常细胞培养系统连接，用于接收来自类器官芯片正常细胞培养系统以及类器官芯片癌细胞培养系统的红外光信号；本发明能够通过光谱传感器对液体成分进行检测，检测类器官芯片培养特征的微量细胞培养液的成分和浓度。
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公开(公告)号：CN112436070B
公开(公告)日：2023-05-23
申请号：CN202011381986.3
申请日：2020-12-01
Applicant: 南京信息工程大学
IPC: H01L31/113 , H01L31/0352 , H01L31/18
Abstract: 本发明公开了一种量子点异质结日盲紫外探测芯片及其制备方法，该芯片自下至上依次为基底、底栅电极、栅绝缘层、p型半导体层、本征层和n型半导体层，p型半导体层上设置有源电极，n型半导体层上设置有漏电极，p型半导体层、本征层和n型半导体层构成p‑i‑n异质结场效应沟道，该芯片的制备方法包括以下步骤：(1)在基底制备底栅电极；(2)制备栅绝缘层；(3)制备p型半导体层；(4)制备源电极；(5)制备宽禁带半导体量子点本征层；(6)制备n型半导体层；(7)制备漏电极。该芯片能够在提高内量子效率同时降低暗电流，加速分离光生电子和空穴，使光生电子和空穴分别快速转移到n区和p区，继而分别到达源电极和漏电极，提高其响应度。
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公开(公告)号：CN114703539A
公开(公告)日：2022-07-05
申请号：CN202210345908.0
申请日：2022-03-31
Applicant: 南京信息工程大学
Abstract: 本发明涉及晶体材料制备技术领域，尤其是一种大尺寸氯溴化铯铜晶体的制备方法，现提出如下方案，制备方法包括如下步骤：将等摩尔的CsBr和CuBr2混合、研磨得到第一多晶粉体；将等摩尔的CsCl和CuCl2混合、研磨得到第二多晶粉体；将第一多晶粉体和第二多晶粉体混合并研磨；将混合多晶粉体溶解于去离子水形成晶体生长母液，将晶体生长母液置于35℃‑40℃下,再恒温蒸发溶剂得到氯溴化铯铜晶体。本发明制备的新型混合卤素钙钛矿CsCu(Br1‑xClx)3材料，采用固相研磨法与水溶液蒸发法相结合，具有合成工艺简单，溶剂无污染，生长周期短的优点，可以得到高质量、大尺寸的CsCu(Br1‑xClx)3晶体。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN112158875A
公开(公告)日：2021-01-01
申请号：CN202011070427.0
申请日：2020-10-09
Applicant: 南京信息工程大学
Abstract: 一种孤立ZnO微米棒的制备方法，包括如下步骤：清洗单晶硅衬底，吹干后放入衬底托盘；将衬底载入真空室，对真空室腔体抽真空；对Au和Ti靶材进行预处理；采用电子束沉积法沉积Au/Ti薄膜，衬底温度为室温，沉积电压为10KV，沉积Au和Ti的厚度分别为50nm和20nm；采用水热法在衬底上生长ZnO微米棒，前驱体为硝酸锌和六次甲基四胺，溶剂为去离子水，生长温度为70‑90摄氏度；生长结束后取出样品用去离子水清洗干净后晾干。采用本发明方法制备的ZnO微米棒在金属表面生长，易于剥离，是制备单微纳米光电子器件的理想材料。
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公开(公告)号：CN108649082A
公开(公告)日：2018-10-12
申请号：CN201810347600.3
申请日：2018-04-18
Applicant: 南京信息工程大学
IPC: H01L31/0352 , H01L31/108 , H01L31/113 , H01L31/18
Abstract: 本发明公开了一种ZnS碳量子点日盲紫外探测器及其制备方法，所述日盲紫外探测器包括ZnS量子点-碳量子点混合层。其制备方法是先分别制备ZnS量子点溶液和碳量子点溶液，然后将其按一定比例混合后通过印刷、滴涂或旋涂的方式在印有金属电极的基底上制成ZnS量子点-碳量子点混合层。本发明解决了基于ZnS量子点的日盲紫外探测器中，由于ZnS量子点载流子迁移率低而导致器件光电流、响应度和探测度偏低的问题，提供了一种ZnS碳量子点日盲紫外探测器及其制备方法，利用碳量子点作为载流子传输层，可以极大程度的提高探测器的光响应电流，从而提高响应度，达到提高器件性能的目的。
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公开(公告)号：CN119534355A
公开(公告)日：2025-02-28
申请号：CN202510100189.X
申请日：2025-01-22
Applicant: 南京信息工程大学
Abstract: 本发明提供了一种基于短波红外的多光谱融合中药材智能成像分拣机器人，包括短波红外探测器、红外耦合镜头、中药材智能切换滤光轮盘、滤光片遮光板、连续谱红外光源灯阵、节拍对准传送带、药材分拣机械臂、虚拟仪器智慧决策中心和MEMS（微机电系统）光谱探头。本发明优化了不同光谱波段onnx库的决策权重，达到了98%的中药材成分识别准确率。解决了传统机器视觉方法难以区分同形貌、同颜色中药材的痛点，实现了0.9秒/包药品的高检测节拍。
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公开(公告)号：CN118659195A
公开(公告)日：2024-09-17
申请号：CN202411139680.5
申请日：2024-08-20
Applicant: 南京信息工程大学
IPC: H01S3/067 , H01S3/1123 , H01S3/08 , H01S3/10 , H01S3/106
Abstract: 本发明公开了基于长周期光纤光栅的可调谐锁模光纤激光器，由两部分构成，包括：激光器环形谐振腔和光调制系统；其中，系统第一部分为激光器环形谐振腔，包括泵浦激光器、波分复用器、增益光纤、光纤耦合器、2个偏振控制器、二维材料涂敷的长周期光纤光栅和光纤隔离器；其中，泵浦激光器发出的泵浦光通过波分复用器（2）耦合进入增益光纤，增益光纤输出的自发辐射荧光依次经过、光纤耦合器的一端、偏振控制器、二维材料涂敷的长周期光纤光栅、另一个偏振控制器、以及光纤隔离器；系统第二部分为光调制系统，包括调制光激光器和柱透镜。本发明具有结构简单、插入损耗小、波长调谐带宽大和响应速度快等特点。
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公开(公告)号：CN118135205B
公开(公告)日：2024-07-16
申请号：CN202410544586.1
申请日：2024-05-06
Applicant: 南京信息工程大学
Abstract: 本发明公开了一种高光谱图像异常检测方法，包括：对待检测的高光谱图像矩阵进行分割，获取固定窗口区域和超像素的区域；将待检测的高光谱图像矩阵转换为全局二维图像矩阵；针对全局二维图像矩阵、固定窗口区域和超像素的区域，分别使用锚点生成模型处理和局部马氏距离模型处理，获得三种异常检测结果；将三种异常检测结果考虑逻辑“或”“与”操作进行融合，得到最终异常检测结果。提升了高光谱图像异常检测的准确性。
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