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公开(公告)号:CN112158875A
公开(公告)日:2021-01-01
申请号:CN202011070427.0
申请日:2020-10-09
Applicant: 南京信息工程大学
Abstract: 一种孤立ZnO微米棒的制备方法,包括如下步骤:清洗单晶硅衬底,吹干后放入衬底托盘;将衬底载入真空室,对真空室腔体抽真空;对Au和Ti靶材进行预处理;采用电子束沉积法沉积Au/Ti薄膜,衬底温度为室温,沉积电压为10KV,沉积Au和Ti的厚度分别为50nm和20nm;采用水热法在衬底上生长ZnO微米棒,前驱体为硝酸锌和六次甲基四胺,溶剂为去离子水,生长温度为70‑90摄氏度;生长结束后取出样品用去离子水清洗干净后晾干。采用本发明方法制备的ZnO微米棒在金属表面生长,易于剥离,是制备单微纳米光电子器件的理想材料。
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公开(公告)号:CN220251726U
公开(公告)日:2023-12-26
申请号:CN202321497766.6
申请日:2023-06-13
Applicant: 南京信息工程大学
IPC: G01N21/45
Abstract: 本实用新型公开了一种基于金属和金属氧化物复合增强Z型光纤传感器,包括纤芯和位于其两端的普通单模通信光纤,纤芯和普通单模通信光纤共同构成Z型光纤结构,所述纤芯的外侧为金属膜层,所述金属膜层的外侧为金属氧化膜;所述金属氧化膜外侧用于添涂待检测材料。本实用新型结构简单,易于量产,对Z型光纤干涉表面进行多材料、多维度结构改性,结合SPPs共振模式,具备高度局域和近场增强特性,在有效平衡SPPs模式特性的基础上,协同优化提高器件的整体性能,为高灵敏度光纤传感器设计提供了新的维度;本实用新型采用全光学原理,没有电气元件,不受干扰和电磁场影响,不仅能够在恶劣的环境中使用,还具备稳定性强、准确性高、使用寿命长的优点。
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