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公开(公告)号：CN114855259B
公开(公告)日：2023-05-09
申请号：CN202210344261.X
申请日：2022-03-31
Applicant: 南京信息工程大学
Abstract: 本发明涉及氯化铯铜晶体制备技术领域，尤其是一种大尺寸氯化铯铜晶体的制备方法，现提出如下方案，其包括如下步骤：将CsCl和CuCl2混合、研磨得到多晶粉体，将多晶粉体溶解在去离子水中形成晶体生长母液，将晶体生长母液置于40℃下恒温蒸发，得到氯化铯铜晶体。本发明制备方法制备得到的氯化铯铜晶体物相纯，生长溶剂无污染，溶液透明，便于实时观测；可获得可以得到高质量、大尺寸形貌较好的单晶，本发明的工艺采用固相研磨法与水溶液蒸发法相结合，具有合成工艺简单，溶剂无污染，生长周期短的优点。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN116814264B
公开(公告)日：2024-03-15
申请号：CN202310771581.8
申请日：2023-06-28
Applicant: 南京信息工程大学
IPC: C09K11/78
Abstract: 本发明公开铕、铒单掺及铕铒共掺铟酸锶钇多晶荧光粉及其制备方法，属于发光材料制备技术领域，该多晶化学式为SrY1‑x‑yInO4:xEu3+,yEr3+，式中0≤x≤0.3，0≤y≤0.15，其中x，y不同时为零。本发明所制备的多晶荧光粉尺寸约3‑8μm；在紫外光激发下，可产生红色(y＝0)—橙色—绿色(x＝0)发光，且发光效率高、发光强度可调；本发明制备工艺简单，生产成本低，对设备要求低，整个反应在有氧环境进行，便于工业化生产。
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公开(公告)号：CN116814264A
公开(公告)日：2023-09-29
申请号：CN202310771581.8
申请日：2023-06-28
Applicant: 南京信息工程大学
IPC: C09K11/78
Abstract: 本发明公开铕、铒单掺及铕铒共掺铟酸锶钇多晶荧光粉及其制备方法，属于发光材料制备技术领域，该多晶化学式为SrY1‑x‑yInO4:xEu3+,yEr3+，式中0≤x≤0.3，0≤y≤0.15，其中x，y不同时为零。本发明所制备的多晶荧光粉尺寸约3‑8μm；在紫外光激发下，可产生红色(y＝0)—橙色—绿色(x＝0)发光，且发光效率高、发光强度可调；本发明制备工艺简单，生产成本低，对设备要求低，整个反应在有氧环境进行，便于工业化生产。
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公开(公告)号：CN114855259A
公开(公告)日：2022-08-05
申请号：CN202210344261.X
申请日：2022-03-31
Applicant: 南京信息工程大学
Abstract: 本发明涉及氯化铯铜晶体制备技术领域，尤其是一种大尺寸氯化铯铜晶体的制备方法，现提出如下方案，其包括如下步骤：将CsCl和CuCl2混合、研磨得到多晶粉体，将多晶粉体溶解在去离子水中形成晶体生长母液，将晶体生长母液置于40℃下恒温蒸发，得到氯化铯铜晶体。本发明制备方法制备得到的氯化铯铜晶体物相纯，生长溶剂无污染，溶液透明，便于实时观测；可获得可以得到高质量、大尺寸形貌较好的单晶，本发明的工艺采用固相研磨法与水溶液蒸发法相结合，具有合成工艺简单，溶剂无污染，生长周期短的优点。
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公开(公告)号：CN114703539B
公开(公告)日：2023-07-21
申请号：CN202210345908.0
申请日：2022-03-31
Applicant: 南京信息工程大学
Abstract: 本发明涉及晶体材料制备技术领域，尤其是一种大尺寸氯溴化铯铜晶体的制备方法，现提出如下方案，制备方法包括如下步骤：将等摩尔的CsBr和CuBr2混合、研磨得到第一多晶粉体；将等摩尔的CsCl和CuCl2混合、研磨得到第二多晶粉体；将第一多晶粉体和第二多晶粉体混合并研磨；将混合多晶粉体溶解于去离子水形成晶体生长母液，将晶体生长母液置于35℃‑40℃下,再恒温蒸发溶剂得到氯溴化铯铜晶体。本发明制备的新型混合卤素钙钛矿CsCu(Br1‑xClx)3材料，采用固相研磨法与水溶液蒸发法相结合，具有合成工艺简单，溶剂无污染，生长周期短的优点，可以得到高质量、大尺寸的CsCu(Br1‑xClx)3晶体。
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公开(公告)号：CN114703539A
公开(公告)日：2022-07-05
申请号：CN202210345908.0
申请日：2022-03-31
Applicant: 南京信息工程大学
Abstract: 本发明涉及晶体材料制备技术领域，尤其是一种大尺寸氯溴化铯铜晶体的制备方法，现提出如下方案，制备方法包括如下步骤：将等摩尔的CsBr和CuBr2混合、研磨得到第一多晶粉体；将等摩尔的CsCl和CuCl2混合、研磨得到第二多晶粉体；将第一多晶粉体和第二多晶粉体混合并研磨；将混合多晶粉体溶解于去离子水形成晶体生长母液，将晶体生长母液置于35℃‑40℃下,再恒温蒸发溶剂得到氯溴化铯铜晶体。本发明制备的新型混合卤素钙钛矿CsCu(Br1‑xClx)3材料，采用固相研磨法与水溶液蒸发法相结合，具有合成工艺简单，溶剂无污染，生长周期短的优点，可以得到高质量、大尺寸的CsCu(Br1‑xClx)3晶体。
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