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公开(公告)号：CN101217180B
公开(公告)日：2012-05-09
申请号：CN200810046660.8
申请日：2008-01-09
Applicant: 华中科技大学
IPC: H01L41/22
Abstract: 本发明公开了一种无铅压电厚膜的丝网印刷制备方法，包括：①固相法制备无铅压电陶瓷粉体；②将粘合剂按质量比为3∶100～9∶100溶解到松油醇中得到有机混合物；③将无铅压电陶瓷粉料与有机混合物按质量比15∶10～90∶10混合，加入分散剂，增塑剂混合碾磨后再球磨，得到待印刷浆料；④将浆料通过丝网印刷工艺印刷到基片上，经过放平，烘烤，预烧并重复得到所需厚度的厚膜素坯；⑤将素坯在1050～1300℃下烧结，保温15～45分钟即可。本发明工艺简单，环保，成膜效率高，可重复性好，成膜较致密，电性能优异，厚度可在10～100μm内随意控制，可无需光刻工艺得到各种印刷厚膜图形，与MEMS技术兼容，适合于制备压电微马达、微流体泵、超声换能器及微执行器。
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公开(公告)号：CN101585709B
公开(公告)日：2012-02-29
申请号：CN200910062797.7
申请日：2009-06-18
Applicant: 华中科技大学
IPC: C04B35/622 , C04B35/468
Abstract: 一种钛酸锶钡半导体陶瓷的制备方法，属于正温度系数(PTC)陶瓷材料的制备方法，针对现有制备方法存在的问题，低温烧结制备PTCR效应较好的陶瓷材料。本发明包括：(1)Y-BaTiO3粉体制备步骤；(2)玻璃烧结助剂制备步骤；(3)PTCR陶瓷制备步骤。本发明配方中添加了玻璃烧结助剂，玻璃烧结助剂中添加了Mn(NO3)2溶液，使锰的加入更加容易，有效改善了析出损失和混合不均等问题，既降低材料的烧结温度又增强材料的PTC效应，制备的PTCR陶瓷具有较低的室温电阻率，较高的升阻比，具有良好综合PTCR性能，且有利于叠层化，符合制作热敏电阻的要求。
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公开(公告)号：CN101323427B
公开(公告)日：2010-12-29
申请号：CN200810047178.6
申请日：2008-03-28
Applicant: 华中科技大学
IPC: H01L41/08
Abstract: 本发明公开了一种制备硅微悬梁无铅压电厚膜执行器的方法，包括：①硅片清洗，生长二氧化硅和氮化硅层；②刻蚀硅片背面腐蚀窗口后刻蚀硅微桥；③采用剥离工艺制备Pt/Ti下电极；④印刷法制备无铅压电厚膜并进行抛光；⑤沉积Au上电极并对其湿法刻蚀，最后去掉微桥一端得到悬梁。本发明的优点是：结构、工艺简单，低的驱动电压，更大的位移，响应速率快，谐振频率高；采用致密的无铅压电膜，无毒环保，符合当前电子材料与器件的发展趋势；用途广泛，可用作各种微夹持、驱动的执行部件，改变尺寸参数也可用于微传感器。
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公开(公告)号：CN101723664A
公开(公告)日：2010-06-09
申请号：CN200910273101.5
申请日：2009-12-08
Applicant: 华中科技大学
IPC: C04B35/465 , C04B35/622
Abstract: 本发明公开了一种制备多孔钛酸锶钡介电可调介质陶瓷的方法，先将原料按各自化学式中的化学计量比进行混合，再对混合物进行预烧，温度为800～1200℃，保温时间为1～6小时，得到预烧后的陶瓷粉体；然后加入有机物造孔剂，混合均匀后压片成形；再加热使有机物排除；进行烧结、磨片、清洗、上电极和烧电极。本发明制备的多孔BST介电可调介质陶瓷具有较高的可调率，低的介电损耗和合适的零电场介电常数，具有良好综合介电可调性能，符合制作介电可调器件的要求。
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公开(公告)号：CN101215172A
公开(公告)日：2008-07-09
申请号：CN200810046659.5
申请日：2008-01-09
Applicant: 华中科技大学
IPC: C04B35/64 , C04B35/468 , C04B35/475 , C04B35/462
Abstract: 本发明公开了一种制备钛酸铋钠基无铅压电厚膜的方法，包括①按固相法制备结构式为(Na0.5Bi0.5)(1－x)BaxTiO30＜x＜1的陶瓷粉料，加入粘合剂，松油醇，分散剂和增塑剂，碾磨再球磨成浆料并印刷、烘烤和预烧得单层膜；②以三乙醇胺为催化剂，乙酰丙酮为稳定剂配制BNT－BT前驱体溶液，分成两份，一份经过烘烤、碾磨、预烧和球磨后加入到另一份溶胶中，得复合溶胶。③复合溶胶旋涂至预烧后的厚膜上后，改为垂直放置，再次旋转、烘干、预烧、重复填充数次，退火；④重复印刷、放平、烘干、预烧、填充、预烧和结晶步骤，得到所需厚度的厚膜素坯再烧结即可。本发明的优点是工艺简单，成膜致密度高，电性能优异，能应用于压电微马达、微流体泵、超声换能器及微执行器等。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1277953C
公开(公告)日：2006-10-04
申请号：CN200410013161.0
申请日：2004-05-15
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明属于铁电薄膜材料制备方法，在传统Sol-Gel法的基础上，先在基片上提供一层种子层，在其上反复旋涂BST溶胶，以制成均匀的BST薄膜。本发明步骤：以醋酸铅Pb(C2H3O2)2溶于水和冰醋酸CH3COOH构成的溶剂中，以钛酸四丁酯Ti(OC4H9)4溶于乙二醇乙醚C2H5O(CH2)2OH溶剂中，两部分混合搅拌成为PbTiO3溶胶；PbTiO3溶胶加入N·N-甲酰胺C3H7NO和乙二醇C2H6O2为添加剂，组份充分均匀，形成PbTiO3种子层前驱体；在基片上旋转涂覆PbTiO3种子层前驱体，形成湿薄膜，紫外灯照射使之成为固体膜，热处理形成无机膜；重复旋转涂覆步骤2～4次，经热处理，即形成种子层；再采用传统Sol-Gel方法在种子层上制备BST薄膜。采用本发明制备的BST铁电薄膜无裂纹和孔洞，晶粒明显生长、分布均匀，可满足UFPA系统探测材料的要求。
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公开(公告)号：CN1176484C
公开(公告)日：2004-11-17
申请号：CN02147882.1
申请日：2002-12-17
Applicant: 华中科技大学
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 一种制备Si基铁电薄/厚膜型微绝热结构阵列的方法。采用“填充-掏空”技术制备Si基铁电薄/厚膜型微绝热结构阵列，避免了国外制备铁电陶瓷薄片混合式红外探测器焦平面阵列需将陶瓷切片、减薄、抛光、网格化及微组装等复杂工序。与常规薄膜型红外探测器焦平面阵列相比较优势又体现在不需为降低衬底的热容量防止热扩散和提高敏感元的探测灵敏度而制备微桥阵列，其设计思想突破了传统的思维方式。
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公开(公告)号：CN104944935A
公开(公告)日：2015-09-30
申请号：CN201510309880.5
申请日：2015-06-08
Applicant: 华中科技大学
IPC: C04B35/453 , C04B35/622
Abstract: 本发明涉及一种高能量吸收能力的氧化锌压敏电阻陶瓷及其制备方法。该陶瓷由氧化锌压敏电阻基础原料及金属粉添加剂经球磨混料、干压成形和气氛烧结制备，所述原料及摩尔比为ZnO(91.494-94.894mol％)，Bi2O3(1.0-1.5mol％)，Sb2O3(0.8-1.2mol％)，Cr2O3(0.3-0.5mol％)，Ni2O3(0.2-0.4mol％)，MnCO3(0.5-1.0mol％)，SiO2(0.5-1.5mol％)，Co2O3(0.5-1.0mol％)，MgO(0.5-1.0mol％)，Al(NO3)3·9H2O(0-0.006mol％)；所述金属粉添加剂为Zn、Al中的一种，其摩尔比为0.08-3.0mol％。本发明提出的氧化锌压敏电阻陶瓷制备方法在传统的烧结工艺上加以气氛烧结工艺后，有效改善了氧化锌压敏电阻的小电流和大电流性能，降低了残压性能，提高了耐大电流冲击能力，具有优异的电性能。
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公开(公告)号：CN101625268B
公开(公告)日：2010-12-29
申请号：CN200910063080.4
申请日：2009-07-07
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明公开了一种制备多孔钛酸锶钡场致热释电陶瓷的方法，先将原料按各自化学式中的化学计量比进行混合，再对混合物进行预烧，温度为800～1200℃，保温时间为1～6小时，得到预烧后的陶瓷粉体；然后加入有机物造孔剂，混合均匀后压片成形；再加热使有机物排除；进行烧结、磨片、清洗、上电极和烧电极。本发明制备的多孔BST场致热释电陶瓷具有较高的热释电系数，低的介电损耗和合适的介电常数，具有良好综合热释电性能，符合制作热释电红外探测器的要求。
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公开(公告)号：CN101585709A
公开(公告)日：2009-11-25
申请号：CN200910062797.7
申请日：2009-06-18
Applicant: 华中科技大学
IPC: C04B35/622 , C04B35/468
Abstract: 一种钛酸锶钡半导体陶瓷的制备方法，属于正温度系数(PTC)陶瓷材料的制备方法，针对现有制备方法存在的问题，低温烧结制备PTCR效应较好的陶瓷材料。本发明包括：(1)Y-BaTiO 3 粉体制备步骤；(2)玻璃烧结助剂制备步骤；(3)PTCR陶瓷制备步骤。本发明配方中添加了玻璃烧结助剂，玻璃烧结助剂中添加了Mn(NO 3 ) 2 溶液，使锰的加入更加容易，有效改善了析出损失和混合不均等问题，既降低材料的烧结温度又增强材料的PTC效应，制备的PTCR陶瓷具有较低的室温电阻率，较高的升阻比，具有良好综合PTCR性能，且有利于叠层化，符合制作热敏电阻的要求。
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