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公开(公告)号:CN1419263A
公开(公告)日:2003-05-21
申请号:CN02147882.1
申请日:2002-12-17
Applicant: 华中科技大学
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 一种制备Si基铁电薄/厚膜型微绝热结构阵列的方法。采用“填充—掏空”技术制备Si基铁电薄/厚膜型微绝热结构阵列,避免了国外制备铁电陶瓷薄片混合式红外探测器焦平面阵列需将陶瓷切片、减薄、抛光、网格化及微组装等复杂工序。与常规薄膜型红外探测器焦平面阵列相比较优势又体现在不需为降低衬底的热容量防止热扩散和提高敏感元的探测灵敏度而制备微桥阵列,其设计思想突破了传统的思维方式。
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公开(公告)号:CN1176484C
公开(公告)日:2004-11-17
申请号:CN02147882.1
申请日:2002-12-17
Applicant: 华中科技大学
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 一种制备Si基铁电薄/厚膜型微绝热结构阵列的方法。采用“填充-掏空”技术制备Si基铁电薄/厚膜型微绝热结构阵列,避免了国外制备铁电陶瓷薄片混合式红外探测器焦平面阵列需将陶瓷切片、减薄、抛光、网格化及微组装等复杂工序。与常规薄膜型红外探测器焦平面阵列相比较优势又体现在不需为降低衬底的热容量防止热扩散和提高敏感元的探测灵敏度而制备微桥阵列,其设计思想突破了传统的思维方式。
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