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公开(公告)号：CN1176484C
公开(公告)日：2004-11-17
申请号：CN02147882.1
申请日：2002-12-17
Applicant: 华中科技大学
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 一种制备Si基铁电薄/厚膜型微绝热结构阵列的方法。采用“填充-掏空”技术制备Si基铁电薄/厚膜型微绝热结构阵列，避免了国外制备铁电陶瓷薄片混合式红外探测器焦平面阵列需将陶瓷切片、减薄、抛光、网格化及微组装等复杂工序。与常规薄膜型红外探测器焦平面阵列相比较优势又体现在不需为降低衬底的热容量防止热扩散和提高敏感元的探测灵敏度而制备微桥阵列，其设计思想突破了传统的思维方式。
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公开(公告)号：CN1632926A
公开(公告)日：2005-06-29
申请号：CN200410061402.9
申请日：2004-12-20
Applicant: 华中科技大学
IPC: H01L21/306 , H01L21/3063 , H01L31/18 , G01J5/10 , B81C1/00
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 一种铁电薄膜红外探测器硅微桥腐蚀装置，属于单晶硅基片制备的有关设备，目的在于有效地防止腐蚀液渗漏，使得薄膜沉积工艺先于微桥制备工艺成为可能，提高器件的质量及成品率。本发明加热器上安置水浴缸，水浴缸中置有烧杯，冷凝器通过密封盖设置于烧杯上，水浴缸中同时置有温度计，温度计、温控仪和加热器串联构成温度控制回路；其特征在于烧杯中设有不锈钢圆筒，该不锈钢圆筒由不同直径的两个不锈钢圆筒构成一体、直径较大的不锈钢圆筒内壁旋有固紧螺栓；该固紧螺栓为中心透空的螺栓。应用该装置，能有效地保护硅基片正面图形，使薄膜沉积工艺先于微桥制备工艺进行，提高器件的质量及成品率。
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公开(公告)号：CN1271644C
公开(公告)日：2006-08-23
申请号：CN200410013448.3
申请日：2004-07-10
Applicant: 华中科技大学
IPC: H01B1/08 , C04B35/453 , C04B35/624
Abstract: 本发明公开了一种ZnO陶瓷薄膜的制备方法，包括：采用传统的溶胶-凝胶法制备ZnO溶胶，取上述60～80%的溶胶烘干后，升温至550℃～650℃，使有机物分解，得到ZnO晶体，再碾磨制备成ZnO纳米粉体，其粒径在30nm～70nm；在上述ZnO粉体中加入分散剂，分散剂的质量为ZnO粉体的1～4%，经混合后，加入到剩余的溶胶中；在载体上采用通常的方法制备所需厚度的薄膜，薄膜的退火温度为500℃～850℃。通过该方法可制备从2000nm～5000nm的薄膜，该薄膜无裂纹、致密型好、晶粒分布较均匀。
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公开(公告)号：CN1595551A
公开(公告)日：2005-03-16
申请号：CN200410013447.9
申请日：2004-07-10
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明公开了一种ZnO陶瓷薄膜低压压敏电阻的制备方法，包括：在ZnO溶胶中，掺杂铋离子Bi3+、锑离子Sb3+、锰离子Mn2+、铬离子Cr3+和钴离子Co3+，其摩尔比为：Zn2+∶Bi3+∶Sb3+∶Mn2+∶Cr3+∶Co3+＝100∶(0.6～1.4)∶(1.6～3.0)∶(0.2～1.0)∶(0.5～3.0)∶(1.0～3.0)；取上述60～80％的溶胶烘干后，升温至550℃～650℃，使有机物分解，得到ZnO晶体，再碾磨制备成ZnO纳米粉体，其粒径在30nm～70nm；在上述ZnO粉体中加入分散剂，经混合后，加入到剩余的溶胶中；在单晶硅基片上，制备ZnO陶瓷薄膜低压压敏电阻。本发明制备的ZnO低压压敏电阻具有优良电性能，其压敏电压低于4V，非线性系数可达22，漏电流密度小于0.4μA/mm2。
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公开(公告)号：CN100394517C
公开(公告)日：2008-06-11
申请号：CN200410013447.9
申请日：2004-07-10
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明公开了一种ZnO陶瓷薄膜低压压敏电阻的制备方法，包括：在ZnO溶胶中，掺杂铋离子Bi3+、锑离子Sb3+、锰离子Mn2+、铬离子Cr3+和钴离子Co3+，其摩尔比为：Zn2+∶Bi3+∶Sb3+∶Mn2+∶Cr3+∶Co3+＝100∶(0.6～1.4)∶(1.6～3.0)∶(0.2～1.0)∶(0.5～3.0)∶(1.0～3.0)；取上述溶胶的60～80%烘干后，升温至550℃～650℃，使有机物分解，得到ZnO晶体，再碾磨制备成ZnO纳米粉体，其粒径在30nm～70nm；在上述ZnO粉体中加入分散剂，经混合后，加入到剩余的溶胶中；在单晶硅基片上，制备ZnO陶瓷薄膜低压压敏电阻。本发明制备的ZnO低压压敏电阻具有优良电性能，其压敏电压低于4V，非线性系数可达22，漏电流密度小于0.4μA/mm2。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1242955C
公开(公告)日：2006-02-22
申请号：CN200310111534.3
申请日：2003-12-08
Applicant: 华中科技大学
IPC: C04B35/465 , C04B35/622 , C04B35/624 , C04B35/626
Abstract: 钛酸锶钡铁电薄膜材料及其制备方法，涉及非致冷红外探测器焦平面阵列敏感元铁电薄膜材料及其制备方法，目的是得到具有优良的热释电性、高电阻率和小的漏电流的薄膜材料。本发明的一种钛酸锶钡铁电薄膜材料，1mol(Ba1-xSrx)TiO3中Mn添加量0.0003-0.02mol，其中x为0.05-0.40；制备方法步骤为：(1)按mol比x∶1-x∶1取醋酸锶、醋酸钡和钛酸四丁酯，以乙二醇单乙醚为溶剂制成溶胶；(2)在溶胶中加入醋酸锰、催化剂和添加剂，制成MBST溶胶；(3)在基片上涂覆MBST溶胶至所需厚度，热处理成无机薄膜；(4)快速热处理，制成MBST铁电薄膜。该发明能得到电阻率高、漏电流小、热释性能优良的铁电薄膜，适于制备红外探测器焦平面阵列敏感元。
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公开(公告)号：CN1419263A
公开(公告)日：2003-05-21
申请号：CN02147882.1
申请日：2002-12-17
Applicant: 华中科技大学
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 一种制备Si基铁电薄/厚膜型微绝热结构阵列的方法。采用“填充—掏空”技术制备Si基铁电薄/厚膜型微绝热结构阵列，避免了国外制备铁电陶瓷薄片混合式红外探测器焦平面阵列需将陶瓷切片、减薄、抛光、网格化及微组装等复杂工序。与常规薄膜型红外探测器焦平面阵列相比较优势又体现在不需为降低衬底的热容量防止热扩散和提高敏感元的探测灵敏度而制备微桥阵列，其设计思想突破了传统的思维方式。
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公开(公告)号：CN100341119C
公开(公告)日：2007-10-03
申请号：CN200410061402.9
申请日：2004-12-20
Applicant: 华中科技大学
IPC: H01L21/306 , H01L21/3063 , H01L31/18 , G01J5/10 , B81C1/00
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 一种铁电薄膜红外探测器硅微桥腐蚀装置，属于单晶硅基片制备的有关设备，目的在于有效地防止腐蚀液渗漏，使得薄膜沉积工艺先于微桥制备工艺成为可能，提高器件的质量及成品率。本发明加热器上安置水浴缸，水浴缸中置有烧杯，冷凝器通过密封盖设置于烧杯上，水浴缸中同时置有温度计，温度计、温控仪和加热器串联构成温度控制回路；其特征在于烧杯中设有不锈钢圆筒，该不锈钢圆筒由不同直径的两个不锈钢圆筒构成一体、直径较大的不锈钢圆筒内壁旋有固紧螺栓；该固紧螺栓为带外螺纹的圆环状螺栓。应用该装置，能有效地保护硅基片正面图形，使薄膜沉积工艺先于微桥制备工艺进行，提高器件的质量及成品率。
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公开(公告)号：CN1594202A
公开(公告)日：2005-03-16
申请号：CN200410013448.3
申请日：2004-07-10
Applicant: 华中科技大学
IPC: C04B35/453 , C04B35/624
Abstract: 本发明公开了一种ZnO陶瓷薄膜的制备方法，包括：采用传统的溶胶－凝胶法制备ZnO溶胶，取上述60～80％的溶胶烘干后，升温至550℃～650℃，使有机物分解，得到ZnO晶体，再碾磨制备成ZnO纳米粉体，其粒径在30nm～70nm；在上述ZnO粉体中加入分散剂，经混合后，加入到剩余的溶胶中；在载体上采用通常的方法制备所需厚度的薄膜，薄膜的退火温度为500℃～850℃。通过该方法可制备从2000nm～5000nm的薄膜，该薄膜无裂纹、致密型好、晶粒分布较均匀。
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公开(公告)号：CN1546426A
公开(公告)日：2004-11-17
申请号：CN200310111534.3
申请日：2003-12-08
Applicant: 华中科技大学
IPC: C04B35/465 , C04B35/622 , C04B35/624 , C04B35/626
Abstract: 钛酸锶钡铁电薄膜材料及其制备方法，涉及非致冷红外探测器焦平面阵列敏感元铁电薄膜材料及其制备方法，目的是得到具有优良的热释电性、高电阻率和小的漏电流的薄膜材料。本发明的一种钛酸锶钡铁电薄膜材料，1mol(Ba1－xSrx)TiO3中Mn添加量0.0003－0.02mol，其中x为0.05－0.40；制备方法步骤为：(1)按mol比x∶1－x∶1取醋酸锶、醋酸钡和钛酸四丁酯，以乙二醇单乙醚为溶剂制成溶胶；(2)在溶胶中加入醋酸锰、催化剂和添加剂，制成MBST溶胶；(3)在基片上涂覆MBST溶胶至所需厚度，热处理成无机薄膜；(4)快速热处理，制成MBST铁电薄膜。该发明能得到电阻率高、漏电流小、热释性能优良的铁电薄膜，适于制备红外探测器焦平面阵列敏感元。
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