公开(公告)号：CN1271644C

公开(公告)日：2006-08-23

申请号：CN200410013448.3

申请日：2004-07-10

Applicant: 华中科技大学

Inventor： 姜胜林 ,  曾亦可 ,  李秀峰 ,  刘梅冬

IPC: H01B1/08 ,  C04B35/453 ,  C04B35/624

Abstract: 本发明公开了一种ZnO陶瓷薄膜的制备方法，包括：采用传统的溶胶-凝胶法制备ZnO溶胶，取上述60～80%的溶胶烘干后，升温至550℃～650℃，使有机物分解，得到ZnO晶体，再碾磨制备成ZnO纳米粉体，其粒径在30nm～70nm；在上述ZnO粉体中加入分散剂，分散剂的质量为ZnO粉体的1～4%，经混合后，加入到剩余的溶胶中；在载体上采用通常的方法制备所需厚度的薄膜，薄膜的退火温度为500℃～850℃。通过该方法可制备从2000nm～5000nm的薄膜，该薄膜无裂纹、致密型好、晶粒分布较均匀。

公开(公告)号：CN1595551A

公开(公告)日：2005-03-16

申请号：CN200410013447.9

申请日：2004-07-10

Applicant: 华中科技大学

Inventor： 姜胜林 ,  曾亦可 ,  李秀峰 ,  刘梅冬

IPC: H01C7/112 ,  H01C7/10 ,  H01C17/00

Abstract: 本发明公开了一种ZnO陶瓷薄膜低压压敏电阻的制备方法，包括：在ZnO溶胶中，掺杂铋离子Bi3+、锑离子Sb3+、锰离子Mn2+、铬离子Cr3+和钴离子Co3+，其摩尔比为：Zn2+∶Bi3+∶Sb3+∶Mn2+∶Cr3+∶Co3+＝100∶(0.6～1.4)∶(1.6～3.0)∶(0.2～1.0)∶(0.5～3.0)∶(1.0～3.0)；取上述60～80％的溶胶烘干后，升温至550℃～650℃，使有机物分解，得到ZnO晶体，再碾磨制备成ZnO纳米粉体，其粒径在30nm～70nm；在上述ZnO粉体中加入分散剂，经混合后，加入到剩余的溶胶中；在单晶硅基片上，制备ZnO陶瓷薄膜低压压敏电阻。本发明制备的ZnO低压压敏电阻具有优良电性能，其压敏电压低于4V，非线性系数可达22，漏电流密度小于0.4μA/mm2。

公开(公告)号：CN100394517C

公开(公告)日：2008-06-11

申请号：CN200410013447.9

申请日：2004-07-10

Applicant: 华中科技大学

Inventor： 姜胜林 ,  曾亦可 ,  李秀峰 ,  刘梅冬

IPC: H01C7/112 ,  H01C7/10 ,  H01C17/00

Abstract: 本发明公开了一种ZnO陶瓷薄膜低压压敏电阻的制备方法，包括：在ZnO溶胶中，掺杂铋离子Bi3+、锑离子Sb3+、锰离子Mn2+、铬离子Cr3+和钴离子Co3+，其摩尔比为：Zn2+∶Bi3+∶Sb3+∶Mn2+∶Cr3+∶Co3+＝100∶(0.6～1.4)∶(1.6～3.0)∶(0.2～1.0)∶(0.5～3.0)∶(1.0～3.0)；取上述溶胶的60～80%烘干后，升温至550℃～650℃，使有机物分解，得到ZnO晶体，再碾磨制备成ZnO纳米粉体，其粒径在30nm～70nm；在上述ZnO粉体中加入分散剂，经混合后，加入到剩余的溶胶中；在单晶硅基片上，制备ZnO陶瓷薄膜低压压敏电阻。本发明制备的ZnO低压压敏电阻具有优良电性能，其压敏电压低于4V，非线性系数可达22，漏电流密度小于0.4μA/mm2。

公开(公告)号：CN1594202A

公开(公告)日：2005-03-16

申请号：CN200410013448.3

申请日：2004-07-10

Applicant: 华中科技大学

Inventor： 姜胜林 ,  曾亦可 ,  李秀峰 ,  刘梅冬

IPC: C04B35/453 ,  C04B35/624

Abstract: 本发明公开了一种ZnO陶瓷薄膜的制备方法，包括：采用传统的溶胶－凝胶法制备ZnO溶胶，取上述60～80％的溶胶烘干后，升温至550℃～650℃，使有机物分解，得到ZnO晶体，再碾磨制备成ZnO纳米粉体，其粒径在30nm～70nm；在上述ZnO粉体中加入分散剂，经混合后，加入到剩余的溶胶中；在载体上采用通常的方法制备所需厚度的薄膜，薄膜的退火温度为500℃～850℃。通过该方法可制备从2000nm～5000nm的薄膜，该薄膜无裂纹、致密型好、晶粒分布较均匀。