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公开(公告)号:CN100424503C
公开(公告)日:2008-10-08
申请号:CN200610019080.0
申请日:2006-05-16
Applicant: 华中科技大学
IPC: G01N27/18
Abstract: 热释电系数测量装置,属于电流测量设备,基于动态电流法,以提高测量准确度,并且简化操作。加热炉体内一端设有加热器、另一端装有样品夹具和热电阻感温器,温度控制器连接加热器控制加热炉体的内部温度;样品夹具和微电流放大器、皮安电流表、计算机依次电信号连接,样品的温度信号依次通过热电阻感温器、温度测试仪和计算机电信号连接;计算机编程计算获得样品的热释电系数。本发明测试周期短,温度和电流测量精度高,能测量具有热释电性能的单晶、陶瓷、厚膜及薄膜材料样品。测量操作简单,测量准确度较高。
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公开(公告)号:CN1277953C
公开(公告)日:2006-10-04
申请号:CN200410013161.0
申请日:2004-05-15
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明属于铁电薄膜材料制备方法,在传统Sol-Gel法的基础上,先在基片上提供一层种子层,在其上反复旋涂BST溶胶,以制成均匀的BST薄膜。本发明步骤:以醋酸铅Pb(C2H3O2)2溶于水和冰醋酸CH3COOH构成的溶剂中,以钛酸四丁酯Ti(OC4H9)4溶于乙二醇乙醚C2H5O(CH2)2OH溶剂中,两部分混合搅拌成为PbTiO3溶胶;PbTiO3溶胶加入N·N-甲酰胺C3H7NO和乙二醇C2H6O2为添加剂,组份充分均匀,形成PbTiO3种子层前驱体;在基片上旋转涂覆PbTiO3种子层前驱体,形成湿薄膜,紫外灯照射使之成为固体膜,热处理形成无机膜;重复旋转涂覆步骤2~4次,经热处理,即形成种子层;再采用传统Sol-Gel方法在种子层上制备BST薄膜。采用本发明制备的BST铁电薄膜无裂纹和孔洞,晶粒明显生长、分布均匀,可满足UFPA系统探测材料的要求。
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公开(公告)号:CN100361933C
公开(公告)日:2008-01-16
申请号:CN200610019451.5
申请日:2006-06-23
Applicant: 华中科技大学
IPC: C04B35/462 , C04B35/624 , C04B33/28
Abstract: 本发明公开了一种热释电陶瓷材料的制备方法,包括①将Pb3O4、La2O3、CaCO3和TiO2混合,再进行球磨,烘干,过筛,预烧,球磨,烘干和过筛制备成粉料;②将硅酸乙脂溶于去离子水和酒精的混合液中,再加入盐酸,混合搅拌,制备成水解液;③将粉料与水解液混合搅拌均匀制成浆料;④将浆料通过真空除泡,在模具内浇注;调节pH值,再将浆料快速凝固,干燥形成坯体;⑤将坯体进行高温烧结,烧结温度为1100~1200℃,保温制得所需的热释电陶瓷材料。采用本发明方法所制备的陶瓷材料具有低的相对介电常数、很高的热释电系数、高探测率优值,其性能能够满足制备高灵敏度单元热释电红外传感器和非致冷焦平面红外传感器对材料性能上的要求。
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公开(公告)号:CN1884194A
公开(公告)日:2006-12-27
申请号:CN200610019451.5
申请日:2006-06-23
Applicant: 华中科技大学
IPC: C04B35/462 , C04B35/624 , C04B33/28
Abstract: 本发明公开了一种热释电陶瓷材料,结构式为Pb1-x-yLaxCayTi1-x/4O3,x,y=0.1-0.2。上述材料的凝胶注模成型方法,包括①将Pb3O4、La2O3、CaCO3和TiO2混合,再进行球磨,烘干,过筛,预烧,球磨,烘干和过筛制备成粉料;②将硅酸乙酯溶于去离子水和酒精的混合液中,再加入盐酸,混合搅拌,制备成水解液;③将粉料与水解液混合搅拌均匀制成浆料;④将浆料通过真空除泡,在模具内浇注;调节pH值,再将浆料快速凝固,干燥形成坯体;⑤将坯体进行高温烧结,烧结温度为1100~1200℃,保温制得所需的热释电陶瓷材料。本发明陶瓷材料具有低的相对介电常数、很高的热释电系数、高探测率优值,其性能能够满足制备高灵敏度单元热释电红外传感器和非致冷焦平面红外传感器对材料性能上的要求。
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公开(公告)号:CN1242955C
公开(公告)日:2006-02-22
申请号:CN200310111534.3
申请日:2003-12-08
Applicant: 华中科技大学
IPC: C04B35/465 , C04B35/622 , C04B35/624 , C04B35/626
Abstract: 钛酸锶钡铁电薄膜材料及其制备方法,涉及非致冷红外探测器焦平面阵列敏感元铁电薄膜材料及其制备方法,目的是得到具有优良的热释电性、高电阻率和小的漏电流的薄膜材料。本发明的一种钛酸锶钡铁电薄膜材料,1mol(Ba1-xSrx)TiO3中Mn添加量0.0003-0.02mol,其中x为0.05-0.40;制备方法步骤为:(1)按mol比x∶1-x∶1取醋酸锶、醋酸钡和钛酸四丁酯,以乙二醇单乙醚为溶剂制成溶胶;(2)在溶胶中加入醋酸锰、催化剂和添加剂,制成MBST溶胶;(3)在基片上涂覆MBST溶胶至所需厚度,热处理成无机薄膜;(4)快速热处理,制成MBST铁电薄膜。该发明能得到电阻率高、漏电流小、热释性能优良的铁电薄膜,适于制备红外探测器焦平面阵列敏感元。
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公开(公告)号:CN1580322A
公开(公告)日:2005-02-16
申请号:CN200410013161.0
申请日:2004-05-15
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明属于铁电薄膜材料制备方法,在传统Sol-Gel法的基础上,先在基片上提供一层种子层,在其上反复旋涂BST溶胶,以制成均匀的BST薄膜。本发明步骤:以醋酸铅Pb(C2H3O2)2溶于水和冰醋酸CH3COOH构成的溶剂中,以钛酸四丁酯Ti(OC4H9)4溶于乙二醇乙醚C2H5O(CH2)2OH溶剂中,两部分混合搅拌成为PbTiO3溶胶;PbTiO3溶胶加入N·N-甲酰胺C3H7NO和乙二醇C2H6O2为添加剂,组份充分均匀,形成PbTiO3种子层前驱体;在基片上旋转涂覆PbTiO3种子层前驱体,形成湿薄膜,紫外灯照射使之成为固体膜,热处理形成无机膜;重复旋转涂覆步骤2~4次,经热处理,即形成种子层;再采用传统Sol-Gel方法在种子层上制备BST薄膜。采用本发明制备的BST铁电薄膜无裂纹和孔洞,晶粒明显生长、分布均匀,可满足UFPA系统探测材料的要求。
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公开(公告)号:CN1865965A
公开(公告)日:2006-11-22
申请号:CN200610019080.0
申请日:2006-05-16
Applicant: 华中科技大学
IPC: G01N27/18
Abstract: 热释电系数测量装置,属于电流测量设备,基于动态电流法,以提高测量准确度,并且简化操作。加热炉体内一端设有加热器、另一端装有样品夹具和热电阻感温器,温度控制器连接加热器控制加热炉体的内部温度;样品夹具和微电流放大器、皮安电流表、计算机依次电信号连接,样品的温度信号依次通过热电阻感温器、温度测试仪和计算机电信号连接;计算机编程计算获得样品的热释电系数。本发明测试周期短,温度和电流测量精度高,能测量具有热释电性能的单晶、陶瓷、厚膜及薄膜材料样品。测量操作简单,测量准确度较高。
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公开(公告)号:CN1546426A
公开(公告)日:2004-11-17
申请号:CN200310111534.3
申请日:2003-12-08
Applicant: 华中科技大学
IPC: C04B35/465 , C04B35/622 , C04B35/624 , C04B35/626
Abstract: 钛酸锶钡铁电薄膜材料及其制备方法,涉及非致冷红外探测器焦平面阵列敏感元铁电薄膜材料及其制备方法,目的是得到具有优良的热释电性、高电阻率和小的漏电流的薄膜材料。本发明的一种钛酸锶钡铁电薄膜材料,1mol(Ba1-xSrx)TiO3中Mn添加量0.0003-0.02mol,其中x为0.05-0.40;制备方法步骤为:(1)按mol比x∶1-x∶1取醋酸锶、醋酸钡和钛酸四丁酯,以乙二醇单乙醚为溶剂制成溶胶;(2)在溶胶中加入醋酸锰、催化剂和添加剂,制成MBST溶胶;(3)在基片上涂覆MBST溶胶至所需厚度,热处理成无机薄膜;(4)快速热处理,制成MBST铁电薄膜。该发明能得到电阻率高、漏电流小、热释性能优良的铁电薄膜,适于制备红外探测器焦平面阵列敏感元。
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公开(公告)号:CN201011515Y
公开(公告)日:2008-01-23
申请号:CN200620157562.8
申请日:2006-11-24
Applicant: 华中科技大学
IPC: G01N27/00
Abstract: 热释电系数测量装置,属于电流测量设备,基于动态电流法,以提高测量准确度,并且简化操作。加热炉体内一端设有加热器、另一端装有样品夹具和热电阻感温器,温度控制器连接加热器控制加热炉体的内部温度;样品夹具和微电流放大器、皮安电流表、计算机依次电信号连接,样品的温度信号依次通过热电阻感温器、温度测试仪和计算机电信号连接;计算机编程计算获得样品的热释电系数。本实用新型测试周期短,温度和电流测量精度高,能测量具有热释电性能的单晶、陶瓷、厚膜及薄膜材料样品。测量操作简单,测量准确度较高。
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公开(公告)号:CN2747587Y
公开(公告)日:2005-12-21
申请号:CN200420072099.8
申请日:2004-07-26
Applicant: 深圳华中科技大学研究院
IPC: G01R31/00
Abstract: 一种铁电材料参数测试仪,用于铁电材料的电滞回线、I-V特性和开关特性测量,包括机壳,面板和位于机壳内的电路,所述面板上包括用于与示波器相连的X接线柱、Y接线柱以及接地柱,用于与被测铁电材料相连的一对接线柱,该对接线柱分别与所述X接线柱和Y接线柱短接,所述Y接线柱与接地柱之间串有用于电滞回线测量的标准电容/用于I-V特性和开关特性测量的标准电阻;所述机壳内的电路包括电压源、模拟信号产生电路、功率驱动电路、高压驱动电路、高压选择开关、正矩形脉冲产生电路、负矩形脉冲产生电路、双极性双脉冲合成电路和模拟/脉冲信号选择开关。本测试仪,能够满足一般工程技术人员的实际需要,并且构建成本低。
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