-
公开(公告)号：CN118047599A
公开(公告)日：2024-05-17
申请号：CN202410042349.5
申请日：2024-01-11
Applicant: 华中科技大学 , 华中科技大学温州先进制造技术研究院
IPC: C04B35/195 , C04B35/622 , H01B3/12
Abstract: 本发明属于微波介质陶瓷技术领域，公开了一种硅基微波介质陶瓷温频特性调控剂，具体的，提供了一种微波介质陶瓷材料作为微波介质陶瓷温频特性调节剂的应用，该微波介质陶瓷材料的化学式为(BaxSryCaz)3MgSi2O8，其中，0＜x＜1，0≤y＜1，0≤z＜1，且x+y+z＝1；并且，当z＝0时，0.25≤x≤0.75，0.25≤y≤0.75；当z≠0时，0.33≤x≤0.34，0≤y≤0.66。本发明通过对材料的组成进行改进，得到的(BaxSryCaz)3MgSi2O8材料，具有介电常数低，介电损耗低，谐振频率温度系数可调的特点，尤其可作为微波介质陶瓷温频特性调节剂。
-
公开(公告)号：CN118084458A
公开(公告)日：2024-05-28
申请号：CN202311645734.0
申请日：2023-12-04
Applicant: 华中科技大学 , 华中科技大学温州先进制造技术研究院
IPC: C04B35/01 , C04B35/622
Abstract: 本发明属于微波介质陶瓷技术领域，公开了一种微波介质陶瓷材料及其应用，其中应用具体为微波介质陶瓷材料作为LTCC材料的应用，微波介质陶瓷材料的化学式满足BaxSr1‑x(CuyMg1‑y)2Ge2O7，其中，0.7≤x≤1，0.7≤y≤1；该微波介质陶瓷材料的共烧温度不超过950℃；或者，微波介质陶瓷材料的化学式满足BaxSr1‑x(CuzCo1‑z)2Ge2O7，其中，0≤x≤1；当x＝0时，0≤z≤1；当0
-
公开(公告)号：CN117550884A
公开(公告)日：2024-02-13
申请号：CN202311283653.0
申请日：2023-10-07
Applicant: 华中科技大学 , 华中科技大学温州先进制造技术研究院
IPC: C04B35/16 , C04B35/622 , H01G4/12
Abstract: 本发明属于微波介质陶瓷技术领域，公开了一种抗还原的微波介质陶瓷温频特性调节剂，其中，微波介质陶瓷材料作为微波介质陶瓷温频特性调节剂的应用，微波介质陶瓷材料的化学式满足(AO)3(BO)(XO2)2，A＝BaxSry，B＝MnhMgk，X＝SimTin；x+y＝1，h+k＝1，m+n＝1，0≤x≤1，0.6≤h≤1，0.8≤m≤1；并且，当h＝1且m＝1时，x≠0；该微波介质陶瓷材料能够通过添加从而调节陶瓷体系整体的谐振频率温度系数。本发明通过对材料的组成进行改进，得到的微波介质陶瓷材料具有介电常数可调，介电损耗低，谐振频率温度系数正值高的特点，尤其可作为微波介质陶瓷温频特性调节剂，调控作用强。
-
公开(公告)号：CN113161725B
公开(公告)日：2024-04-30
申请号：CN202110266697.7
申请日：2021-03-11
Applicant: 华中科技大学温州先进制造技术研究院
Abstract: 本发明公开了一种金属腔体毫米波天线，其包括，金属盖板，金属盖板上开有四个辐射口；金属腔体，用于接收电磁波产生谐振；四个金属块体，均匀地置于金属腔内，与腔体底面相连接，与上方四个辐射口共用同一个腔体，形成四个辐射单元，每个金属块的上表面有沿X轴方向的电流，形成一个面电流辐射结构；通过在腔体上方添加金属盖板，每个金属块平行于Y轴的两边与辐射口形成辐射双缝，等效为两个磁流辐射结构。四个辐射单元共用同一个腔体和一个馈电耦合缝隙，使天线结构得到简化；天线的厚度小于一个波长，具有低剖面的特性；整个天线为纯金属结构，避免了介质损耗问题，本发明天线具有低剖面、高增益、低损耗和高效率的特性。
-
公开(公告)号：CN113725599B
公开(公告)日：2024-02-02
申请号：CN202111038764.6
申请日：2021-09-06
Applicant: 华中科技大学温州先进制造技术研究院
Abstract: 电。该天线结构简单，设计容易，成本低廉，适合本发明专利公开了一种用于毫米波汽车雷 用于毫米波段汽车雷达。达的组合天线，由三层介质材料和四层金属构成。金属层包括辐射层，天线反射层，带状线馈电层和底部地板层。辐射层刻蚀有两个以上等距离排列的相同的网格辐射单元，网格单元的非辐射边由弯曲弧线代替了传统的直线。辐射边由渐变微带线代替了传统的同宽度微带线，单元之间的连接段与网格单元辐射边长宽一致，降低了天线设计难度。在网格单元中间的空白区域添加了贴片单元，并通过微带线与网格非辐射边相连，与单元间连接段组成了串联贴片天线，有效利用了天线面积。由于网格单元中间的区域较小，贴片天线产生的谐振模式频率略高于网格天线，因此两种形式的辐射单元形成了组合天线效果，产生的两组谐振模式辐射拓宽了天线工作带宽。天线采用过孔馈电，馈电点关于线阵中心左右对称，过孔穿过天线反射地层上的通孔与带状线馈电
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN114156618B
公开(公告)日：2022-08-09
申请号：CN202111505919.2
申请日：2021-12-10
Applicant: 华中科技大学
IPC: H01P1/208
Abstract: 本发明公开了一种单腔三模陶瓷波导谐振器及滤波器，属于微波通信技术领域。谐振器包括：陶瓷波导谐振器本体，以及位于本体表面的三个调谐盲孔和三个耦合盲孔，其中，调谐盲孔A1和耦合盲孔B1、B2相对设置在本体的上下表面，调谐盲孔A2、A3及耦合盲孔B3设置在四个侧面；所述耦合盲孔B3的深度小于调谐盲孔A2、A3的深度；所述调谐盲孔A1用以调整该谐振器TE101模式的谐振频率，所述调谐盲孔A2、A3分别用于调整两个准TEM模的谐振频率；所述耦合盲孔B1、B2分别用来调整该谐振器TE101模式与两个准TEM模的耦合带宽，所述耦合盲孔B3用来调整两个准TEM模之间的耦合带宽。本发明缩小了陶瓷波导滤波器的体积，并提高了滤波器的带外抑制特性。
-
公开(公告)号：CN114156618A
公开(公告)日：2022-03-08
申请号：CN202111505919.2
申请日：2021-12-10
Applicant: 华中科技大学
IPC: H01P1/208
Abstract: 本发明公开了一种单腔三模陶瓷波导谐振器及滤波器，属于微波通信技术领域。谐振器包括：陶瓷波导谐振器本体，以及位于本体表面的三个调谐盲孔和三个耦合盲孔，其中，调谐盲孔A1和耦合盲孔B1、B2相对设置在本体的上下表面，调谐盲孔A2、A3及耦合盲孔B3设置在四个侧面；所述耦合盲孔B3的深度小于调谐盲孔A2、A3的深度；所述调谐盲孔A1用以调整该谐振器TE101模式的谐振频率，所述调谐盲孔A2、A3分别用于调整两个准TEM模的谐振频率；所述耦合盲孔B1、B2分别用来调整该谐振器TE101模式与两个准TEM模的耦合带宽，所述耦合盲孔B3用来调整两个准TEM模之间的耦合带宽。本发明缩小了陶瓷波导滤波器的体积，并提高了滤波器的带外抑制特性。
-
公开(公告)号：CN112299825B
公开(公告)日：2021-12-17
申请号：CN202011072582.6
申请日：2020-10-09
Applicant: 华中科技大学
IPC: C04B35/10 , C04B35/622 , C04B35/634 , C04B35/64 , C03C12/00 , C03C3/068 , C03C6/04 , C03B5/16
Abstract: 本发明属于微波介质材料技术领域，公开了一种低介低温共烧陶瓷材料的制备方法，包括以下步骤：S1：将Al2O3陶瓷粉和LCBS玻璃的玻璃粉按照xAl2O3‑(100‑x)LCBS的名义化学计量配比混合后加入粘结剂造粒，压制成型得到坯体，其中50≤x≤65；LCBS玻璃具有如下摩尔百分比的组分：(5‑10)mol％La2O3，(20‑28)mol％CaO，(45‑65)mol％B2O3，(5‑25)mol％SiO2；S2：将坯体于800℃‑900℃烧结0.5‑1小时，即可得到xAl2O3‑(100‑x)LCBS低介低温共烧陶瓷材料。本发明通过对微晶玻璃的组分进行优化与改进，将特定组分的LCBS玻璃与具有良好微波介电性能的微波介质陶瓷复合，使得到的复合材料满足900℃以下烧结的同时，能够有效降低烧结的处理时间要求，且相应得到的低温共烧陶瓷材料具有优异的介电性能、热学性能和力学性能。
-
公开(公告)号：CN113362981A
公开(公告)日：2021-09-07
申请号：CN202110659303.4
申请日：2021-06-15
Applicant: 华中科技大学温州先进制造技术研究院
IPC: H01B1/16 , H01B1/22 , H01L31/0224 , C03C12/00
Abstract: 本发明公开了一种N型硅太阳能电池的P型发射区银铝电极浆料用无机玻璃粘结剂，属于光伏发电太阳能电池技术领域。该无机玻璃粘结剂为钒酸盐玻璃，其主要材料为V2O5‑B2O3‑ZnO‑Li2O系，按质量百分比，主要成分包括：V2O5占20‑60％，B2O3占10‑40％，ZnO占5‑30％，Li2O占3‑20％。用该玻璃粘结剂制备的银铝浆对N型电池钝化层(Al2O3+SiNx)有良好的腐蚀效果，并且在烧结时，银电极不会破坏电池片的P型发射区，使银电极与硅能形成良好的欧姆接触，接触电阻小于0.5Ω.cm‑2；玻璃熔点为：450‑600℃，与银铝浆的烧结工艺匹配，电极烧结温区宽，满足电池烧结工艺的要求，可实现电池转化效率≥23.5％。
-
公开(公告)号：CN112299837A
公开(公告)日：2021-02-02
申请号：CN202011175349.0
申请日：2020-10-28
Applicant: 华中科技大学
IPC: C04B35/457 , C04B35/622
Abstract: 本发明属于微波介质陶瓷技术领域，公开了一种低介微波介质陶瓷材料及其温频特性调控方法，其中低介微波介质陶瓷材料，其主晶相的化学通式为CaO‑SnO2‑xSiO2‑yGeO2，其中，0≤x≤1.0，0≤y≤1.0，且主晶相为马来石相，该微波介质陶瓷材料为低介微波介质陶瓷材料，相对介电常数εr＝10.37～11.7。本发明通过调控Ca:Sn:Si:Ge的摩尔比1:1:x:y，相应得到的微波介质陶瓷材料，能够在避免Ti元素使用的情况下，获得相对介电常数低至10.37～11.7且谐振频率温度系数τf可自调节的低介微波介质陶瓷材料，有效拓宽了低介电常数微波介质陶瓷材料的选择范围。并且，通过调控SiO2、GeO2的比例，利用离子取代，能够调控微波介质陶瓷材料的谐振频率温度系数τf。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
125
records
(took 0.025 seconds)
