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公开(公告)号：CN102901845B
公开(公告)日：2013-12-11
申请号：CN201210409192.2
申请日：2012-10-24
Applicant: 华东光电集成器件研究所
IPC: G01P21/00
Abstract: 本发明涉及一种压阻式加速度传感器零位补偿测试装置，由输入模块INP、程控电压源PVS、回路开关SW、差分放大器DA、数据采集单元ADC、主控制器MCU、开关网络MUX1、开关网络MUX2、固定补偿单元R、可调补偿单元DPOT和显示单元DIS组成。本发明优点在于固定、可调两种补偿回路并用，相对于单路补偿可降低传感器补偿回路硬件配置的要求，同时准确快速得到被测传感器达到规定电平输出状态时的补偿条件。
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公开(公告)号：CN117409849A
公开(公告)日：2024-01-16
申请号：CN202311106678.3
申请日：2023-08-30
Applicant: 华东光电集成器件研究所
IPC: G11C29/56
Abstract: 本发明涉及一种便携式串行存储器测试装置，主要由单片机控制电路、液晶显示屏，存储器夹具构成，单片机中设有SPI协议通信模块、读取对比模块和结果分析模块组成的测试系统，存储器夹具通过SPI接口与SPI协议通信模块相连，通过按键对测试系统进行操作，液晶显示屏接受结果分析模块的信号实时显示储存器测试状态。测试时系统状态由液晶显示屏显示，通过按键控制测试系统，当存储器被放置在夹具中，系统识别其IP显示其信息，通过对存储器芯片进行存储与读数操作，数据读出后系统自动与存取的数据进行对比，结果显示在液晶显示屏上。本发明的有益效果是，结构简单，可以快速便捷的对存储器的功能进行验证，为各类相关产品研发时错误分析提供排查手段。
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公开(公告)号：CN115453161A
公开(公告)日：2022-12-09
申请号：CN202211205256.7
申请日：2022-09-30
Applicant: 华东光电集成器件研究所
Abstract: 本发明公开一种惯性器件冲击测试夹具，属于半导体器件测试技术领域。它包括盒座和相铰接的盒盖，盒座与盒盖形成可开合结构，并通过锁合件闭合锁紧；在盒座开合面上设有与待测器件的封装体轮廓相适配的第一凹槽、与待测器件的每个引脚轮廓相适配的第二凹槽，第一、第二凹槽内设有绝缘层；盒盖开合面上设有与每个引脚弹性贴合的导电弹片，导电弹片与盒盖绝缘，导电弹片用于和外部的测试装置电性连接；当待测器件装入盒座内并与盒盖锁合时，通过第一凹槽轮廓定位和盒盖夹紧形成固定连接。本发明操作简便、快捷，装置结构简单，易加工制作，可稳固连接待测器件，避免焊脚焊接处出现短路、短路或接触不良的现象，可有效提升了检测质量和效率。
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公开(公告)号：CN113777393A
公开(公告)日：2021-12-10
申请号：CN202111111313.0
申请日：2021-09-23
Applicant: 华东光电集成器件研究所
IPC: G01R19/165
Abstract: 本发明涉及一种RS485接口通信欠幅检测电路，其特征在于，包括峰值采样保持电路、欠幅比较电路、欠幅保持电路、欠幅指示电路、释放电路；峰值采样保持电路的输入端与被测信号源相连、一个输出端与欠幅比较电路相连、另一个输出端与释放电路相连；欠幅比较电路一个输入端与测信号源相连、另一个输入端与峰值采样保持电路的输出端相连；欠幅保持电路的输入端与欠幅比较电路的输出端相连、一个输出端与欠幅指示电路连接、另一个输出端与与释放电路相连。本发明的有益效果是结构简单，能够快速、便捷地判断脉RS485接口通信电路的欠幅问题。
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公开(公告)号：CN110687424B
公开(公告)日：2021-05-18
申请号：CN201910956345.7
申请日：2019-10-10
Applicant: 华东光电集成器件研究所
IPC: G01R31/26
Abstract: 本发明公开一种雪崩二极管高频参数低温测试系统，包括测试腔室，测试腔室内的底部设有升降支架，升降支架顶端设有介质冷却台，介质冷却台上设有温度传感器以及用于加载待测雪崩二极管的振荡器，振荡器上方设有环形器；测试腔室的侧壁分别设有第一波导元件、第二波导元件、第一电连接器与第二电连接器；测试腔室外部设有注锁信号源、雪崩管反偏电源、功率计、高频测试环路、谐波混频检测单元、温度传感器电源、真空泵、液氮罐、程控阀门、流量计、液氮回收装置、微控制器与显示屏；本发明可有效抑制现有在雪崩二极管低温测试时传输回路出现冷凝结霜导致传输损耗增加进而影响毫米波雪崩管输出效率降低的技术缺陷，保证器件测试的准确性。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN112387904A
公开(公告)日：2021-02-23
申请号：CN202011165205.7
申请日：2020-10-27
Applicant: 华东光电集成器件研究所
Abstract: 本发明提供一种单片器件切筋整形装置，它包括机架（1），在机架（1）上滑动配合的上模座（2），在上模座（2）上安装有切刀（3），在切刀（3）下方的机架（1）上设有与上模座（2）对应分布的下模座（4），在下模座（4）上设有放置槽（9），在放置槽（9）上设有与切刀（3）对应配合的台阶（5），在下模座（4）上还设有与单片器件封装（6）对应配合的气孔（7），在下模座（4）上设有与气孔（7）连通的气管接头孔（8）。本发明结构简单、使用方便，单独封装体切筋整形一体化操作，并避免切筋整形过程中出现的封装体损伤等问题。
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公开(公告)号：CN112310577A
公开(公告)日：2021-02-02
申请号：CN202011026602.6
申请日：2020-09-25
Applicant: 华东光电集成器件研究所
IPC: H01P1/04
Abstract: 本发明涉及微波元件应用及微波器件测量领域，特别涉及微波波导元件的紧固连接装置，将波两个夹片（Z1）的卡位内槽（K4）卡在两个对准配合的波导元件端面内侧，此时夹片与波导元件连接端口为面接触模式，转动手柄螺栓（Z2），其上部锥形体（K5）将两个夹片的上端部撑开，以定位螺栓（K4）为中心轴，两个夹片的下部的矩形板向内收缩，矩形板上的卡位内槽（K4）尺寸与波导元件连接端面外形尺寸相适，将两个波导元件平行夹紧。在紧固连接过程中，两个波导元件连接端口始终与两个夹片（Z1）中的卡位内槽（K4）处于面接触状态，因此波导元件连接端面在紧固过程中为均匀受力状态，在实现紧固连接的同时有效的避免了电磁泄漏的问题。
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公开(公告)号：CN105004362B
公开(公告)日：2017-06-13
申请号：CN201510375989.9
申请日：2015-06-27
Applicant: 华东光电集成器件研究所
IPC: G01D18/00
Abstract: 本发明公开一种电容式传感器静电力驱动装置，包括MCU模块、交流信号发生模块、直流偏压单元、程控放大单元、第一数据采集单元、第二数据采集单元与选择开关，程控放大单元由增益调节单元、第一仪表放大器与第二仪表放大器相连并构成增益可调的同相放大器与反相放大器；MCU模块分别控制交流信号发生模块与直流偏压单元产生交流信号与直流信号，并由增益调节单元进行增益调节；采用数据采集单元获取输入电容式传感器的双路驱动信号，并根据反馈值对同相放大器与反相放大器的输入信号进行调整修正，避免因增益过大或直流偏压不当导致的驱动信号失真现象，能够适应不同电容式传感器的要求，输出满足要求的各种静电力驱动信号，通用性强。
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公开(公告)号：CN117748951A
公开(公告)日：2024-03-22
申请号：CN202311614524.5
申请日：2023-11-29
Applicant: 华东光电集成器件研究所
Abstract: 本发明涉及一种便携低成本PWM变压变频控制系统，其特征在于由升压模块、控制模块和单片机构成的数字模块三部分组成，其中升压模块用来将5V的低电压升至所需的30V‑60V高电压，控制模块通过双三极管MMDT5551的输出信号控制模拟开关的开启与关闭的方式，将升压模块得到的高电压按照模拟开关开的开启与关闭的频率进行输出，数字控制部分的单片机产生3.3V的PWM方波信号通过Drive‑fast端口输入，控制双三极管MMDT5551模拟开关的开启与关断，使升压部分输入的高压信号转变为相同频率和占空比一致的高压PWM波。
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公开(公告)号：CN113823626B
公开(公告)日：2023-10-31
申请号：CN202111111193.4
申请日：2021-09-23
Applicant: 华东光电集成器件研究所
IPC: H01L25/16 , H01L23/31 , H01L23/29 , H01L21/50 , H01L21/56 , B81B7/00 , B81B7/02 , B81C1/00 , G01P1/12 , G01P15/08
Abstract: 本发明涉及基于Fanout技术制造侵彻测量用加速度值记录装置，将放大器裸芯片（4）、滤波器裸芯片、处理器裸芯片（6）、电源电路裸芯片、存储器裸芯片集成在塑封成型体（7）内，通过BGA球（5）引出并与基板（14）上的线路对应连接；MEMS加速度计（11）粘接在基板上，通过BGA球将MEMS加速度计与基板上线路连接；MEMS另一面使用绝缘胶（12）粘接至管壳（1）底部；MEMS与管壳底部之间采用硬胶（10）保护灌封，基板另一面用软胶（8）保护灌封。本发明的有益效果是：克服了目前单纯由实验或理论分析评价弹体侵彻过载的不足，具有评价结果精准快速的特点，有助于降低试验成本，缩短研究周期，不仅可应用于侵彻过载的评价，还可应用于侵彻实验弹体的设计。
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