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公开(公告)号：CN102367165A
公开(公告)日：2012-03-07
申请号：CN201110253613.2
申请日：2011-08-31
Applicant: 华东光电集成器件研究所
IPC: B81C1/00
Abstract: 本发明涉及一种基于SOI的MEMS器件电极互连方法，采用在硅盖板（2）上制作金属互连导线（2-8）、以及各种电隔离槽（2-5、2-6），然后通过金-硅共晶键合把MEMS器件结构层（3）与硅盖板（2）粘接在一起，从而实现MEMS器件的电极通过盖板上的金属导线互连在一起，并引出到金属压焊点上。本发明提供的方法克服了现有技术采用的介质填充、平坦化等工艺带来的技术难题，简化了工艺，易操作，适于各种SOIMEMS器件的制作。
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公开(公告)号：CN103529240A
公开(公告)日：2014-01-22
申请号：CN201310506796.3
申请日：2013-10-24
Applicant: 华东光电集成器件研究所
IPC: G01P15/00
Abstract: 本发明涉及一种抗高过载的加速度计，包括连接于玻璃衬底上的硅基体（1），硅基体中设有悬臂梁（2）及相连的质量块（3），其特征在于：在质量块的两侧硅基体中对称设有弹性梁（6），弹性梁（6）与硅基体间设有缓冲间隙（4）。本发明与现有的加速度计抗高过载结构相比具有如下优点：（1）本发明有效的将弹性碰撞面与缓冲间隙相结合，使得加速度计在高过载情况下，可动结构不易断裂，实现了器件的高可靠性。（2）本发明结构简单，采用单晶硅片材料，提高了加速度计产品的一致性和可靠性；加工工艺比较简单，全部利用公知的MEMS工艺技术加工，适合大批量生产。
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公开(公告)号：CN102862947A
公开(公告)日：2013-01-09
申请号：CN201210346195.6
申请日：2012-09-18
Applicant: 华东光电集成器件研究所
Abstract: 本发明涉及一种MEMS器件及其晶圆级真空封装方法，其特征在于：采用硅硅直接键合技术实现晶圆级真空封装，硅衬底（10）上键合的硅结构层（15）采用低阻硅片，直接在硅结构层上刻蚀形成电互联引线（5），在硅盖帽（12）中引线通孔（13）中的电互联引线压焊区（4）上溅射铝电极（14）。本发明具有如下优点：采用全硅结构，键合后无残余应力，能够大大提高器件工作性能；利用低阻硅作为电极引线，避免了硅硅直接键合过程中高温对金属电极的破坏；硅硅直接键合气密性极好，大大降低了封装成本；这种方法一致性和可靠性高，工艺易于实现。
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公开(公告)号：CN102862947B
公开(公告)日：2016-01-27
申请号：CN201210346195.6
申请日：2012-09-18
Applicant: 华东光电集成器件研究所
Abstract: 本发明涉及一种MEMS器件及其晶圆级真空封装方法，其特征在于：采用硅硅直接键合技术实现晶圆级真空封装，硅衬底（10）上键合的硅结构层（15）采用低阻硅片，直接在硅结构层上刻蚀形成电互联引线（5），在硅盖帽（12）中引线通孔（13）中的电互联引线压焊区（4）上溅射铝电极（14）。本发明具有如下优点：采用全硅结构，键合后无残余应力，能够大大提高器件工作性能；利用低阻硅作为电极引线，避免了硅硅直接键合过程中高温对金属电极的破坏；硅硅直接键合气密性极好，大大降低了封装成本；这种方法一致性和可靠性高，工艺易于实现。
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公开(公告)号：CN102967729A
公开(公告)日：2013-03-13
申请号：CN201210344083.7
申请日：2012-09-18
Applicant: 华东光电集成器件研究所
IPC: G01P15/12
Abstract: 本发明一种压阻式MEMS加速度计，其特征在于它由第一质量块（4）、第二质量块（6）以及玻璃衬底（10）通过键合连接组成，第一质量块（4）中设有悬臂梁（9），悬臂梁上制有压敏电阻（2）及铝引线（3），第二质量块（6）设有加强链（8）。本发明具有如下优点：将梁-岛式结构与加强链式结构结合在一起，实现了较高的灵敏度与较高的固有频率；加强链式结构有效的提高了加速度计的抗冲击能力，避免了恶劣环境下加速度计的失效问题，并能够承受更高的横向加速度，降低了交叉轴灵敏度，进一步提高了加速度计性能。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102967394A
公开(公告)日：2013-03-13
申请号：CN201210340680.2
申请日：2012-09-15
Applicant: 华东光电集成器件研究所
Abstract: 本发明涉及微电子机械领域中的一种对称电容式压力传感器，采用MEMS体硅工艺进行加工制作，其特征在于包括：硅片制作的基体（6），基体（6）两面分别设有完全对称的检测电容腔（3）和参考电容腔（4），基体（6）背面键合连接硅盖板（5），基体（6）正面键合连接由SOI硅片制成的压力敏感膜（1），压力敏感膜（1）一侧的基体上设有电极（7）。
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公开(公告)号：CN102401841A
公开(公告)日：2012-04-04
申请号：CN201110253586.9
申请日：2011-08-31
Applicant: 华东光电集成器件研究所
Abstract: 一种多悬臂梁加速度传感器，包括质量块，质量块的侧面设有悬臂梁，悬臂梁上设有压敏电阻，其特征在于：所述悬臂梁由两个及两个以上的与质量块等高的子悬臂梁组成。本发明的多个子悬臂梁结构，其可以在不改变结构对非敏感方向载荷抑制的条件下，极大的提高结构的灵敏度；在结构灵敏度不变的情况下，极大的提高结构的抑制交叉耦合能力。同时悬臂梁采用与质量块等高结构，易于实现加工。
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公开(公告)号：CN102079502A
公开(公告)日：2011-06-01
申请号：CN201010571925.3
申请日：2010-12-03
Applicant: 华东光电集成器件研究所
Abstract: 一种MEMS器件及其圆片级真空封装方法，由玻璃基片(1)、带有密封环(2)的硅片敏感结构层和硅帽(9)组成，其特征在于：硅片敏感结构层中设有至少两个硅岛(11)，每个硅岛(11)的下面与玻璃基片(1)以及电极引线(8)连接，每个硅岛(11)上面分别设有压焊点(6)；硅帽上与每个硅岛对应位置分别设有一个压焊点空腔(7)，使压焊点(6)处于压焊点空腔(7)内，压焊点空腔外围设有压焊点密封环(12)与硅岛上面连接配合，压焊点密封环外围设有压焊点隔离槽(5)。本发明的优点在于：避免了电极从衬底基板引入到器件结构层表面，对压焊点的密封结构与压焊点间的电隔离技术问题。使得本发明真空封装结构设计合理、工艺简单、真空保持时间长、性能可靠、具有通用性，降低了真空封装成本。
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公开(公告)号：CN103557853B
公开(公告)日：2017-03-01
申请号：CN201310505577.3
申请日：2013-10-24
Applicant: 华东光电集成器件研究所
IPC: G01C19/5656
Abstract: 本发明涉及一种抗高过载的MEMS陀螺，硅片中设有质量块（6），它通过连接梁（1）固支于锚点7），在质量块（6）的四周对称分布着带有防撞凸点（4）的固定块（3），质量块（6）中心掏空区域设置有带防撞凸点（5）的中心固定块（2），其特征在于：所述质量块（6）上设有一组网格空腔（6a）。本发明具有如下优点：网格空腔质量块的侧壁在碰撞过程中起到了弹性过载保护面的作用，它和防撞凸点共同作用可以释放高冲击产生的高冲击力，有效保护器件敏感结构，提高了器件抗高过载能力。本发明结构简单，采用单晶硅片材料，提高了MEMS陀螺产品的一致性和可靠性，加工工艺比较简单，适合大批量生产。
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公开(公告)号：CN103600287B
公开(公告)日：2015-12-09
申请号：CN201310589123.9
申请日：2013-11-21
Applicant: 华东光电集成器件研究所
IPC: B24B37/34
Abstract: 机电设备管线固定装置，其特征在于它包括：底座（1），立柱（2）、横梁（3）、锁紧螺母（4）、转子座（5）、固定销（7）、转子（8）、挂钩（9），立柱下端连接在底座上，上侧与横梁配合，锁紧螺母分别将它们固定锁紧，转子座固定在横梁的一侧，转子与转子座配合，挂钩连接在转子上。由于采用了上述技术方案，使得本发明结构简单，解决了加工过程中因管线无法固定造成的影响，具有方便加工和操作，提高工作效率等优点。
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