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公开(公告)号：CN111009365A
公开(公告)日：2020-04-14
申请号：CN201911280695.2
申请日：2019-12-13
Applicant: 北京科技大学
Abstract: 一种调控反铁磁薄膜材料的磁矩排列的方法，属于信息存储及传感技术领域。对钛镍铌TiNiNb形状记忆合金基片进行预拉伸处理、表面抛光以及表面的氩离子轰击处理；然后，在上述TiNiNb记忆合金基片上沉积钽Ta/镍铁NiFe/铁锰FeMn/钽Ta多层膜；沉积完毕后，在真空环境下并同时施加磁场时，对其进行热处理最后，冷却至室温即可。其原理是：通过温控TiNiNb基底的逆马氏体相变产生显著的晶格应变作用在多层膜上，通过这种应变可以控制NiFe/FeMn界面处的交换弹簧结构，从而引起FeMn的Néel矢量转动，并有效调控FeMn的磁矩排列。本发明通过简单的温度控制就能实现对交换弹簧结构的调节，进而实现对FeMn磁矩排列的有效调控，具有制备简单、控制方便、能耗低、效率高、成本低等优点。
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公开(公告)号：CN110021702A
公开(公告)日：2019-07-16
申请号：CN201910164964.2
申请日：2019-03-05
Applicant: 北京科技大学
Abstract: 本发明提供一种快速提高垂直磁各向异性的方法，属于磁性材料技术领域，先通过磁控溅射仪器在室温下氩气环境下磁控溅射沉积制备CoFeB/MgO结构的薄膜磁性异质结材料；然后将制备的薄膜磁性异质结材料在超高真空的反应装置内快速退火，最终获得良好垂直磁各向异性的薄膜磁性异质结材料。本发明通过对简单膜层结构的薄膜磁性异质结材料Ta(1～5nm)/Co40Fe40B20(0.5～1.4nm)/MgO(1～2nm)/Ta(1～3nm)在超高真空1×10-7～9×10-7Torr、温度范围250～350℃、30～60秒时间内快速退火，由于在CoFeB/MgO界面，电荷在高温下发生瞬间的轨道杂化，Fe的3d轨道和O的2p轨道杂化，从而获得良好垂直磁各向异性；该操作方法简便易行，适用于大规模连续化的具有良好垂直磁各向异性的薄膜磁性异质结材料生产。
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公开(公告)号：CN109972104A
公开(公告)日：2019-07-05
申请号：CN201910164965.7
申请日：2019-03-05
Applicant: 北京科技大学
Abstract: 本发明提供一种弥补Co靶材质量缺陷的方法，属于磁性材料技术领域，包括以下步骤：首先选用市面上常见的高透磁率的Co靶材，并对Co靶材表面进行清洗；其次将清洗后的Co靶材放入磁控溅射仪中溅射，溅射过程中在磁控溅射仪内的基片位置平行于膜面处施加均匀磁场，最后磁控溅射沉积制得高镀膜质量、高剩磁比的5‑10nm厚的Co薄膜。本发明通过在Co薄膜沉积过程中在基片位置平行于膜面处施加600～1000Oe的均匀磁场；在磁控溅射沉积过程中Co原子被前述平行施加的均匀磁场磁化，从而使得沉积后的Co薄膜具有较好的磁性，操作简单，极大地降低了生产成本，利于规模化连续化的工业生产。
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公开(公告)号：CN102290193B
公开(公告)日：2012-11-07
申请号：CN201110124341.6
申请日：2011-05-13
Applicant: 北京科技大学
Abstract: 本发明属于磁性薄膜材料领域，特别提供了一种高磁电阻值的NiFe薄膜材料及其制备方法。该薄膜材料结构为：缓冲层/MgO/纳米金属颗粒/MgO/NiFe/MgO/纳米金属颗粒/MgO/保护层；然后在磁场中高温退火。本发明的有益效果是：该材料具有磁电阻值高、退磁场小、制备方便和热稳定性好等优点，同时在很大程度上解决了NiFe薄膜材料在超薄情况下磁电阻值比较低的问题，可用于制作计算机硬盘读头、磁性随机存储器和各类磁传感器等。
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公开(公告)号：CN102290193A
公开(公告)日：2011-12-21
申请号：CN201110124341.6
申请日：2011-05-13
Applicant: 北京科技大学
Abstract: 本发明属于磁性薄膜材料领域，特别是提供了一种高磁电阻值的NiFe薄膜材料及其制备方法。该薄膜材料结构为：缓冲层/MgO/纳米金属颗粒/MgO/NiFe/MgO/纳米金属颗粒/MgO/保护层；然后在磁场中高温退火。本发明的有益效果是：该材料具有磁电阻值高、退磁场小、制备方便和热稳定性好等优点，同时在很大程度上解决了NiFe薄膜材料在超薄情况下磁电阻值比较低的问题，可用于制作计算机硬盘读头、磁性随机存储器和各类磁传感器等。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101148751A
公开(公告)日：2008-03-26
申请号：CN200710176699.7
申请日：2007-11-01
Applicant: 北京科技大学
Abstract: 本发明提供了一种用反铁磁材料提高金属磁性多层膜矫顽力的方法，利用磁控溅射仪，在清洗干净的玻璃基片沉积铂Pt/[钴铬CoCr/铂Pt]5/铁锰FeMn/铂Pt多层膜。本发明的优点在于：薄膜的厚度较小，同时又具有良好的垂直磁各向异性和较高的矫顽力，比较适合应用于CoCr合金薄膜的超高密度垂直磁记录。此外，沉积后的薄膜无需进行后退火处理，所以它还具有成本低，制备简单等优点，适用于未来的生产。
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公开(公告)号：CN108831741B
公开(公告)日：2020-02-21
申请号：CN201810620121.4
申请日：2018-06-15
Applicant: 北京科技大学
Abstract: 一种增加铁磁金属/氧化物双层膜的界面磁各向异性能的方法，属于高密度信息存储及传感技术领域。在经过表面酸化处理的硅Si基片上，沉积铬Cr/铁氮FeNx/氧化镁MgO/钽Ta多层膜，沉积完毕后进行热处理，促进N原子在间隙位置处的均匀占据。N原子能够改变Fe的配位环境，引起Fe/MgO界面处的电荷重新分布，有效地调节Fe的能带结构，大大增加dz2轨道上的电子占据，进而能够调节Fe 3dz2–O 2pz轨道杂化状态，使得薄膜的界面磁各向异性能显著增加。本发明只需要在制备Fe薄膜的过程中，通入氮气，就能够直接调节Fe‑O的轨道杂化强度，并增加界面磁各向异性能，不需要高成本的稀有金属或昂贵的附加装置，具有制备简单、控制方便的特点；具有效率高、成本低等优点，适合应用于未来自旋电子学技术中。
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公开(公告)号：CN103194727A
公开(公告)日：2013-07-10
申请号：CN201310082139.0
申请日：2013-03-14
Applicant: 北京科技大学
Abstract: 一种磁电阻薄膜的制备及平面霍尔效应提高的方法，属于磁性薄膜领域。其特征是在基片/NiFe或NiCo和NiFe或NiCo/Ta界面上插入MgO、Al2O3、SiO2、ZnOPt、Ir、Au等。利用强“镜面散射”的纳米氧化物材料和强自旋-轨道耦合的材料改善薄膜中输运电子的散射途径，延长电子的自由程，进而达到提高Ni81Fe19和NiCo薄膜的PHE灵敏度、改善其热稳定性的目的，以满足磁传感器的性能和产品需求。薄膜结构为：基片/（1.0～20.0nm）MgO或Al2O3、SiO2、ZnO、Pt、Ir、Au等/（1.0～200.0nm）Ni81Fe19或NiCo/（1.0～20.0nm）MgO或Al2O3、SiO2、ZnO、Pt、Ir、Au等/（1.0～20.0nm）Ta。
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公开(公告)号：CN101923865A
公开(公告)日：2010-12-22
申请号：CN201010216961.8
申请日：2010-06-23
Applicant: 北京科技大学
IPC: G11B5/84
Abstract: 一种电流直接驱动磁记录介质薄膜的原子有序的方法，属于高密度磁记录介质材料技术领域。本发明利用磁控溅射方法，在玻璃基片上依次沉积铁铂FePt原子和钽Ta原子，其厚度范围为50～，本底真空度为1×10-5～7×10-5Pa，溅射时氩气(99.99％)压为0.4～1.2Pa；基片温度为20～800℃。沉积完毕后，将薄膜降至室温，在薄膜的两端引出Cu电极，并与恒流源连接。将样品放入真空炉中，等到炉内真空度为2×10-5～7×10-5Pa时，在薄膜两端通入电流，电流大小为50mA～1000mA，通电时间为5秒～300秒。本发明通过薄膜自身的电阻产生热量并驱动Fe、Pt原子的有序化运动，大大减小传统退火过程中的热量损耗，提高了热量的有效利用率；结构简单，成本低廉，适用于未来的生产。
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公开(公告)号：CN119306214A
公开(公告)日：2025-01-14
申请号：CN202411464529.9
申请日：2024-10-18
Applicant: 北京科技大学
Abstract: 本发明实施例提供的基于气体高速卸荷及气体推动的石墨制品或石墨矿物制备石墨烯的方法，涉及石墨烯制备领域。其制备成本低廉，效率高，易于适合大规模生产。包括：将石墨制品或石墨矿物放置于高压料仓中，并通过卸荷装置连接封闭所述高压料仓一端；所述高压料仓与所述卸荷装置的内部连通；向所述高压料仓中充装预定压力的气体，所述气体为二氧化碳、氮气或空气；将所述的卸荷装置和邻接卸荷装置的高压料仓部分结构置于收集仓中；启动卸荷装置，打开卸荷装置的出口，从所述出口瞬间释放料仓中的具有高压的气体，在气体释放的过程中，石墨制品或石墨矿物随着高压气体一同喷出，石墨制品或石墨矿物的外部的气体压力迅速下降，而石墨矿物内部仍然保持高压，在内外压力差的作用下，石墨或石墨矿物粉碎成粉末，从所述出口进入收集仓中，从这些粉末中即可提取到石墨烯。
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