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公开(公告)号：CN101923865A
公开(公告)日：2010-12-22
申请号：CN201010216961.8
申请日：2010-06-23
Applicant: 北京科技大学
IPC: G11B5/84
Abstract: 一种电流直接驱动磁记录介质薄膜的原子有序的方法，属于高密度磁记录介质材料技术领域。本发明利用磁控溅射方法，在玻璃基片上依次沉积铁铂FePt原子和钽Ta原子，其厚度范围为50～，本底真空度为1×10-5～7×10-5Pa，溅射时氩气(99.99％)压为0.4～1.2Pa；基片温度为20～800℃。沉积完毕后，将薄膜降至室温，在薄膜的两端引出Cu电极，并与恒流源连接。将样品放入真空炉中，等到炉内真空度为2×10-5～7×10-5Pa时，在薄膜两端通入电流，电流大小为50mA～1000mA，通电时间为5秒～300秒。本发明通过薄膜自身的电阻产生热量并驱动Fe、Pt原子的有序化运动，大大减小传统退火过程中的热量损耗，提高了热量的有效利用率；结构简单，成本低廉，适用于未来的生产。
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