-
公开(公告)号：CN115224113B
公开(公告)日：2023-01-20
申请号：CN202211124222.5
申请日：2022-09-15
Applicant: 北京芯可鉴科技有限公司 , 北京智芯微电子科技有限公司
IPC: H01L29/40 , H01L29/06 , H01L29/739 , H01L21/331
Abstract: 本发明提供一种横向超结器件、横向绝缘栅双极晶体管及制造方法，属于芯片领域。该横向超结器件包括：P型衬底、P柱、N柱、栅极结构、源极结构和漏极结构；栅极结构包括多晶硅栅，多晶硅栅与漏极结构之间设置有场氧化层；场氧化层上方还设置有多晶硅场板，多晶硅场板上方设置有金属场板；多晶硅场板包括多段多晶硅微场板，金属场板包括多段金属微场板，多段金属微场板对应设置在多段多晶硅微场板上方，首级金属微场板通过接触孔与多晶硅栅相连，后一级金属微场板通过接触孔与前一级多晶硅微场板相连，末级金属微场板通过接触孔与漏极结构相连。横向超结器件中的电容耦合结构能减弱表面电荷对横向超结器件电场的影响。
-
公开(公告)号：CN117317025A
公开(公告)日：2023-12-29
申请号：CN202311589953.1
申请日：2023-11-27
Applicant: 北京智芯微电子科技有限公司 , 中国科学院半导体研究所 , 国网重庆市电力公司营销服务中心 , 国家电网有限公司
IPC: H01L29/78 , H01L29/06 , H01L21/336
Abstract: 本发明涉及半导体领域，提供一种碳化硅MOSFET器件及制造方法、功率芯片。碳化硅MOSFET器件包括：碳化硅衬底、形成于碳化硅衬底的第一导电类型外延层和第二导电类型保护层、栅极、源极以及漏极，第二导电类型保护层包括第一保护层和第二保护层，第一保护层包括纵向延伸区和横向延伸区，第一保护层的纵向延伸区与源极相接，第一保护层的横向延伸区横向延伸至第一导电类型外延层，第二保护层与第一保护层的纵向延伸区横向相接，第二保护层通过沟道区与源极相连，在第一保护层和第二保护层的作用下使第一导电类型外延层内形成纵向耗尽和横向耗尽的漂移区。本发明可以提高器件击穿电压同时降低导通电阻，提升器件的动态可靠性。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN115267477A
公开(公告)日：2022-11-01
申请号：CN202210995289.X
申请日：2022-08-18
Applicant: 北京芯可鉴科技有限公司 , 北京智芯微电子科技有限公司
IPC: G01R31/26
Abstract: 本发明涉及电路部件的测评领域，公开了一种用于对电路中的组成部件进行测评的方法和装置及电路，该方法包括：针对所述电路中六个组成部件支路中的任一所述组成部件，根据以下内容进行测评且进行测评之前所述六个组成部件支路处于正向不导通的状态：控制测评组成部件支路正向导通且持续第一预设时间，以对测评充放电模块进行充电；控制所述测评组成部件支路正向不导通且持续第二预设时间，以使得所述测评充放电模块进行放电；获取被测评的所述组成部件的测评参数；以及根据所获取的测评参数和预设测评参数，判断被测评的所述组成部件的状态，以对被测评的所述组成部件进行测评。藉此，实现了无需将组成部件拆卸下来即可对组成部件进行测评。
-
公开(公告)号：CN115078955B
公开(公告)日：2022-10-25
申请号：CN202210994445.0
申请日：2022-08-18
Applicant: 北京芯可鉴科技有限公司 , 北京智芯微电子科技有限公司
Abstract: 本发明涉及电路部件的测评领域，公开了一种用于对电路中的组成部件进行测评的方法和装置及电路，该方法包括：针对电路中的任一所述组成部件，根据以下内容进行测评且在进行测评之前四个支路处于正向不导通的状态：控制组成部件所在的支路和组成部件的对侧支路正向导通且持续第一预设时间，以对充放电模块进行充电；控制组成部件所在的支路正向不导通但组成部件的对侧支路正向导通且持续第二预设时间，以使得充放电模块进行放电；获取组成部件的测评参数；以及根据所获取的测评参数和预设测评参数，判断组成部件的状态，以对组成部件进行测评。藉此，实现了在电路的实际工况中无需将组成部件拆卸下来即可对组成部件进行测评。
-
公开(公告)号：CN115224113A
公开(公告)日：2022-10-21
申请号：CN202211124222.5
申请日：2022-09-15
Applicant: 北京芯可鉴科技有限公司 , 北京智芯微电子科技有限公司
IPC: H01L29/40 , H01L29/06 , H01L29/739 , H01L21/331
Abstract: 本发明提供一种横向超结器件、横向绝缘栅双极晶体管及制造方法，属于芯片领域。该横向超结器件包括：P型衬底、P柱、N柱、栅极结构、源极结构和漏极结构；栅极结构包括多晶硅栅，多晶硅栅与漏极结构之间设置有场氧化层；场氧化层上方还设置有多晶硅场板，多晶硅场板上方设置有金属场板；多晶硅场板包括多段多晶硅微场板，金属场板包括多段金属微场板，多段金属微场板对应设置在多段多晶硅微场板上方，首级金属微场板通过接触孔与多晶硅栅相连，后一级金属微场板通过接触孔与前一级多晶硅微场板相连，末级金属微场板通过接触孔与漏极结构相连。横向超结器件中的电容耦合结构能减弱表面电荷对横向超结器件电场的影响。
-
公开(公告)号：CN115078955A
公开(公告)日：2022-09-20
申请号：CN202210994445.0
申请日：2022-08-18
Applicant: 北京芯可鉴科技有限公司 , 北京智芯微电子科技有限公司
Abstract: 本发明涉及电路部件的测评领域，公开了一种用于对电路中的组成部件进行测评的方法和装置及电路，该方法包括：针对电路中的任一所述组成部件，根据以下内容进行测评且在进行测评之前四个支路处于正向不导通的状态：控制组成部件所在的支路和组成部件的对侧支路正向导通且持续第一预设时间，以对充放电模块进行充电；控制组成部件所在的支路正向不导通但组成部件的对侧支路正向导通且持续第二预设时间，以使得充放电模块进行放电；获取组成部件的测评参数；以及根据所获取的测评参数和预设测评参数，判断组成部件的状态，以对组成部件进行测评。藉此，实现了在电路的实际工况中无需将组成部件拆卸下来即可对组成部件进行测评。
-
公开(公告)号：CN114628247A
公开(公告)日：2022-06-14
申请号：CN202210515987.5
申请日：2022-05-12
Applicant: 北京芯可鉴科技有限公司 , 北京智芯微电子科技有限公司
IPC: H01L21/28 , H01L21/331 , H01L29/423 , H01L29/49 , H01L29/739
Abstract: 本申请涉及半导体器件领域，提供一种IGBT器件的制造方法及IGBT器件。所述IGBT器件的制造方法包括：在硅衬底中形成深沟槽；在深沟槽内形成附着于深沟槽的槽壁的栅氧化层薄膜；在深沟槽内形成附着于栅氧化层薄膜的金属薄膜种子层；在具有金属薄膜种子层的深沟槽内填充金属钨形成钨栅极及钨栅极总线。本申请采用金属钨材料作为栅极材料，由于金属钨材料的电阻率比多晶硅材料的电阻率低两个数量级，利用钨栅极和钨栅极总线替代多晶硅栅极和栅极总线，显著降低IGBT器件的栅极电阻，从而降低栅极总线的电阻延迟，避免IGBT器件开关不一致的问题。
-
-
-
-
-
-
Search Results
17
records
(took 0.03 seconds)
