公开(公告)号：CN115912054A

公开(公告)日：2023-04-04

申请号：CN202211395786.2

申请日：2022-11-09

Applicant: 北京无线电测量研究所

Inventor： 廖梦雅 ,  董鹏 ,  边旭明 ,  徐浩 ,  曹佳 ,  王琦

IPC: H01S5/22 ,  H01S5/30 ,  H01S5/34 ,  H01S5/40 ,  H01S5/02 ,  H01S5/026 ,  H01S5/028 ,  H01S5/065 ,  H01S5/10

Abstract: 本发明实施例公开了一种硅基FP激光器件、集成可调谐激光器及其制备方法。在一具体实施方式中，该器件包括硅衬底；形成在衬底上的第一导电类型的第一接触层；形成在第一接触层上的第一电极和耦合腔结构；所述耦合腔结构包括形成在第一接触层上的下波导光限制层和III‑V族量子点有源层，以及形成在量子点有源层上的第一脊型波导和第二脊型波导以及其间的隔离槽，每一脊型波导包括依次形成的上波导光限制层、第二导电类型的第二接触层和第二电极。该实施方式工艺简单，避免了使用传统分布式反馈激光器的布拉格光栅和二次外延技术，可实现较大的激光阵列波长覆盖范围，适用于低成本大规模硅光集成芯片生产。

公开(公告)号：CN115498034A

公开(公告)日：2022-12-20

申请号：CN202211118526.0

申请日：2022-09-13

Applicant: 北京无线电测量研究所

Inventor： 窦永铭 ,  边旭明 ,  陈瑞 ,  董鹏 ,  徐浩 ,  廖梦雅 ,  刘满满 ,  杨云畅

IPC: H01L29/778 ,  H01L29/40 ,  H01L21/335

Abstract: 本发明实施例公开了一种GaN HEMT器件及其制备方法。在一具体实施方式中，包括缓冲层；在缓冲层上方形成的GaN沟道层；在GaN沟道层上方形成的势垒层；在势垒层上方形成的栅极、源极和漏极；第一钝化层，其形成在栅极和漏极之间的区域以及栅极和源极之间的区域中；以及栅极场板，其电连接到栅极并形成在第一钝化层上方，该栅极场板上形成有图形化开孔。该实施方式通过图形化的场板结构，直接控制场板产生电场的强度大小、强度的均匀性和面积大小，能够平均峰值电场；同时也可以最大面积上抑制虚栅形成，有利于器件更稳定工作；而且可以有效提升场板金属的制程良率，也可以降低贵金属的使用量，降低生产成本。