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公开(公告)号：CN115332374A
公开(公告)日：2022-11-11
申请号：CN202210935224.6
申请日：2022-08-04
Applicant: 北京工业大学
IPC: H01L31/032 , H01L31/109 , H01L31/18
Abstract: 一种二类二维异质结层间激发态光吸收跃迁增强的器件，属光电探测技术领域。所述二类二维异质结包括两种上下两层二维材料叠加形成的异质结，在两层二维材料层间夹杂有金属单原子，支撑上述异质结的为衬底，二类二维异质结的上下两层二维材料分别设有实现光电信号抽取的金属电极即。利用金属原子可以促使电子‑空穴离域，增强电子‑空穴的功函数交叠，进而增大吸收跃迁偶极矩的对基于此能级跃迁偶极矩的特点，提升红外光响应度，有效克服了该类器件响应差的问题，在新型红外探测器技术领域具有潜在的应用价值。
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公开(公告)号：CN107579128B
公开(公告)日：2019-06-07
申请号：CN201710787812.9
申请日：2017-09-04
Applicant: 北京工业大学
IPC: H01L31/032 , H01L31/028 , H01L31/09 , H01L31/18 , B82Y30/00
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 一种基于石墨烯的焦平面成像器件及其制备方法，属于光电探测技术领域。基于石墨烯的焦平面成像器件，采用石墨烯和硫化铅量子点复合作为像元，其中高载流子迁移率的石墨烯为电荷传输层，硫化铅量子点为石墨烯基光敏吸收层，使器件在可见至近红外波段具有高灵敏和宽光谱的响应，同时焦平面像元的设计，使石墨烯在成像领域实现了应用。
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公开(公告)号：CN107634106A
公开(公告)日：2018-01-26
申请号：CN201710845729.2
申请日：2017-09-19
Applicant: 北京工业大学
IPC: H01L31/0232 , H01L31/028 , H01L31/0392 , H01L31/09
Abstract: 一种增强可见光和近红外波段光吸收的二维材料光电探测器，属于光电探测器领域。包括P型硅衬底、表面具有钛金的氧化硅光栅、单层的二维材料，两侧的金属电极；所述衬底为高掺杂的P型硅；所述表面有金属层的氧化硅光栅为亚波长结构的超材料，所述单层定点转移的单层二维材料；在光照下，在金属层表面形成局域的表面激元。在可见光和近红外波段会产生强烈的局域表面激元共振；二维材料可以充分吸收局域表面激元共振所产生的电场增强而增益的能量；所述电极用以连接外接直流电源可以提供源极与漏极之间的偏压，将增益的电子形成光电流，从而产生光响应，实现其光电探测的功能。
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公开(公告)号：CN107527968A
公开(公告)日：2017-12-29
申请号：CN201710578169.9
申请日：2017-07-16
Applicant: 北京工业大学
IPC: H01L31/113
CPC classification number: H01L31/1136
Abstract: 一种石墨烯-二硫化钼侧向异质结光电探测器结构，属于光电探测技术领域。光电探测器至少包括硅/二氧化硅衬底，薄层石墨烯材料以及薄层二硫化钼材料组成的沟道材料，还包括必要的金属电极及电极黏附层。在硅衬底上为二氧化硅层，二氧化硅层上为石墨烯-二硫化钼异质结，其中石墨烯-二硫化钼异质结中石墨烯和二硫化钼并行在二氧化硅层上，一侧为石墨烯一侧为二硫化钼，形成侧向连接石墨烯-二硫化钼结型二维材料；在石墨烯和二硫化钼上分别通过电极黏附层粘结有金属电极，形成源漏电极。石墨烯-二硫化钼侧向异质结光电探测器具有良好整流及光电特性。
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公开(公告)号：CN117855299A
公开(公告)日：2024-04-09
申请号：CN202410032858.X
申请日：2024-01-09
Applicant: 北京工业大学
IPC: H01L31/0232 , H01L31/036 , H01L31/101
Abstract: 一种放大光电响应偏振比的异质结器件结构，属于异质结器件领域。器件结构自下向上依次包括：基底、具有各向异性晶体结构的材料、绝缘层、具有各向同性晶体结构的材料、形成于所述具有各向同性晶体结构的材料两端相互对峙的源级和漏极。所述绝缘层的材料为氮化硼、氧化硅或者氮化硅，绝缘层厚度应为50nm以上，所述基底包括衬底以及生长于衬底表面的绝缘材料层。本发明提供的放大光电响应偏振比的异质结器件在不同线偏振态的线偏振光照射下，由于各向异性晶体结构的材料会产生各向异性的光吸收，从而产生不同大小的光致栅压，不同大小的光致栅压对沟道电流在亚阈值区域呈非线性变化，从而放大异质结器件的光电响应偏振比。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN116463720A
公开(公告)日：2023-07-21
申请号：CN202310613404.7
申请日：2023-05-27
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 一种制备InAs纳米片的方法，属于InAs纳米片制备领域。在生长基片表面沉积催化剂，并对生长基片进行退火处理；将生长基片置于管式炉中载气流向下游的低温区，将InAs粉末放置于坩埚中并置于管式炉的中心温度，通入载气；反应时管式炉的中心温度分为三个阶段，第一阶段去除前驱体中的结合水阶段，第二阶段InAs纳米片的生长阶段，第三阶段自然降温阶段。本方法采用化学气相沉积法制备出InAs纳米片，为实现低成本高有效地生长InAs纳米片提供了参考，为CVD法生长纳米片提供了指导意义。该实验方法工艺简单，重复性好，对环境友好，且成本低，适合大规模生产。
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公开(公告)号：CN119836017A
公开(公告)日：2025-04-15
申请号：CN202411976034.4
申请日：2024-12-30
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 一种具有动量匹配和各向异性层间激子的二维异质结器件，涉及光电探测技术领域。器件结构包括：衬底，形成于衬底上二维异质结包括上下两层具有各向异性晶格结构的二维材料，形成于所述二维异质结的源漏极分别对应与上述两层二维材料接触。两种各向异性材料组成了具有层间激子态的二类能带异质结，利用层间激子可以突破光敏材料的本征带隙限制实现红外光响应，且层间激子的动量匹配使得层间激子态的跃迁为直接跃迁，有利于增强异质结器件的光吸收效率，提高光响应度。同时层间激子的各向异性对红外偏振光敏感，最终异质结器件实现了突破光敏材料带隙限制的红外偏振响应。
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公开(公告)号：CN118299393A
公开(公告)日：2024-07-05
申请号：CN202410452577.X
申请日：2024-04-15
Applicant: 北京工业大学
IPC: H01L27/146
Abstract: 一种基于胶体量子点的红外焦平面阵列探测器及其制备方法，涉及红外成像技术领域。该焦平面阵列探测器包括读出电路基底、第一电极、第二电极、量子点吸收层、第三电极。读出电路基底存在像素区域和公共地电极区域，第一电极位于像素区域，第二电极位于公共地电极区域；所述第一、第二电极均可构成探测单元，提升像元利用率。所述第一、第二电极均被量子点吸收层覆盖。所述的制备方法与现有技术相比，加工工艺流程大大简化，具有生产简单、成本低、制备成功率高的特点，在实际生产中的应用具有广阔前景。
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公开(公告)号：CN117832304A
公开(公告)日：2024-04-05
申请号：CN202410028640.7
申请日：2024-01-08
Applicant: 北京工业大学
IPC: H01L31/032 , H01L31/0352 , H01L31/101 , H01L31/18
Abstract: 一种一步法制备的二维范德华半导体突触器件，属于半导体突触器件领域。所述二维范德华半导体突触器件，包括衬底、沟道、源电极和漏电极，设置绝缘层作为衬底，衬底上设置沟道，沟道由多层的二维半导体MoS2构成，源电极和漏电极分别位于沟道的两端，整体位于绝缘层上；所述沟道材料中含有可以存储电子或空穴的缺陷。所述沟道材料中的缺陷产生于电极沉积的过程。与现有技术相比，显著降低了二维半导体突触制备工艺的复杂度，精简化工艺的突触制备技术方法在实际生产中的应用具有广阔前景。
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公开(公告)号：CN107481924A
公开(公告)日：2017-12-15
申请号：CN201710578166.5
申请日：2017-07-16
Applicant: 北京工业大学
CPC classification number: H01L21/0405 , H01L21/34
Abstract: 一种薄层石墨烯/二硫化钼侧向异质结的制备方法，涉及到二维材料异质结制备领域。采用在硅/二氧化硅衬底上直接机械剥离制备薄层石墨烯材料，然后运用化学气相沉积的方法直接在上述衬底上沉积二硫化钼材料，实现由所述两种材料构成的侧向异质结的形成。本发明获得异质结材料的方法工艺简单，并且基础工艺成熟，能够避免传统方法中带来的一些对材料的污染，大大提高了石墨烯/二硫化钼异质结材料制备的成功率，减小了制备的难度，为将来异质结材料的量化生产提供了一种良好的思路和方法。
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