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公开(公告)号：CN107342351B
公开(公告)日：2019-04-05
申请号：CN201710481596.5
申请日：2017-06-22
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 一种基于斜向ZnO纳米线/GaN pn结的LED及制备方法，涉及半导体的技术领域。本发明通过在半极性GaN外延层上生长斜向ZnO纳米线阵列，提高LED的光取出率和发光面积，实现在蓝紫光波段的高效发光。其中，半极性面(11‑22)的GaN层包括生长在m面Al2O3衬底上未掺杂的GaN层和其上掺Mg的p型GaN层；ZnO纳米线阵列直接由水热法生长在半极性GaN面上，为n型掺杂，斜向生长，与生长平面的夹角为30～35度；将斜向ZnO纳米线阵列用聚合物填充后，再在其上一层制作导电薄膜，作为负极，而正极位于GaN层上。
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公开(公告)号：CN107039558B
公开(公告)日：2018-08-31
申请号：CN201710281827.8
申请日：2017-04-26
Applicant: 北京工业大学
IPC: H01L31/112 , H01L31/0352 , H01L31/18
Abstract: 本发明提供了一种基于斜向ZnO纳米线阵列调制的AlGaN/GaN紫外探测器，包括无栅的AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管和生长在无栅的AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管栅极区域的斜向ZnO纳米线阵列；所述无栅的AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管中的GaN外延层为半极性面(11‑22)的GaN层；所述GaN外延层包括GaN缓冲层、GaN沟道层和GaN帽层；所述GaN沟道层位于GaN缓冲层的上表面；所述斜向ZnO纳米线阵列与栅极区域的平面夹角为30～35°。本发明通过在无栅的高电子迁移率晶体管的栅极区域斜向生长ZnO纳米线阵列，提高探测器的探测效率，实现对紫外光强度的实时、精准、高效检测。
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公开(公告)号：CN106409975A
公开(公告)日：2017-02-15
申请号：CN201611012268.2
申请日：2016-11-17
Applicant: 北京工业大学
IPC: H01L31/18 , H01L31/09 , H01L31/0296 , H01L31/0352
CPC classification number: Y02P70/521 , H01L31/1836 , H01L31/0296 , H01L31/035227 , H01L31/09
Abstract: 一种可定制的高增益ZnO纳米线阵列紫外探测器及其制备方法，涉及微电子工艺技术、纳米技术与紫外探测领域。本发明中，基于协同学理论，在涨落不稳定时，纳米线之间会彼此争夺反应溶质，在这种竞争机制下，种子层越薄，所需的溶质资源越少，生长时间由生长速率决定。基于此生长原理，本发明中，通过调整种子层厚度和溶液浓度、生长时间得到质量较高的纳米线，从而得到不同增益的紫外探测器件。本发明简单有效，定制不同增益的器件可适用于多种环境下的紫外光检测。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN108400180B
公开(公告)日：2020-06-16
申请号：CN201810073488.9
申请日：2018-01-25
Applicant: 北京工业大学
IPC: H01L31/0236 , H01L31/101
Abstract: 纹理衬底增强柔性器件在机械应力下的电学稳定性，涉及半导体技术领域。本发明以柔性ZnO纳米线阵列紫外探测器为示范性验证，研究衬底形貌对柔性电子器件机械应力作用下电学稳定性的影响。相对于平滑的有机薄膜，存在纹理结构的有机薄膜衬底具有与ZnO间更好的膜基结合强度，改善了柔性器件膜基结构容易出现的屈曲、开裂等问题，提高了器件在机械应力作用下的电学稳定性。
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公开(公告)号：CN108400180A
公开(公告)日：2018-08-14
申请号：CN201810073488.9
申请日：2018-01-25
Applicant: 北京工业大学
IPC: H01L31/0236 , H01L31/101
Abstract: 纹理衬底增强柔性器件在机械应力下的电学稳定性，涉及半导体技术领域。本发明以柔性ZnO纳米线阵列紫外探测器为示范性验证，研究衬底形貌对柔性电子器件机械应力作用下电学稳定性的影响。相对于平滑的有机薄膜，存在纹理结构的有机薄膜衬底具有与ZnO间更好的膜基结合强度，改善了柔性器件膜基结构容易出现的屈曲、开裂等问题，提高了器件在机械应力作用下的电学稳定性。
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公开(公告)号：CN108231955A
公开(公告)日：2018-06-29
申请号：CN201810013522.3
申请日：2018-01-07
Applicant: 北京工业大学
IPC: H01L31/18 , H01L31/0203 , H01L31/09
Abstract: 一种ZnO纳米线紫外探测器在N2氛围下的封装方法，涉及紫外探测技术领域与封装领域。具体地说是利用集成电路一级封装中的金属封装，针对ZnO纳米线紫外探测器在N2氛围下的封装，采用固定的带窗口的金属管底座和管帽，同时利用储能焊工艺及修饰液，保证ZnO纳米线紫外探测器的高增益特性和封装后器件整体的稳定性。
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公开(公告)号：CN106409975B
公开(公告)日：2018-06-01
申请号：CN201611012268.2
申请日：2016-11-17
Applicant: 北京工业大学
IPC: H01L31/18 , H01L31/09 , H01L31/0296 , H01L31/0352
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 一种可定制的高增益ZnO纳米线阵列紫外探测器及其制备方法，涉及微电子工艺技术、纳米技术与紫外探测领域。本发明中，基于协同学理论，在涨落不稳定时，纳米线之间会彼此争夺反应溶质，在这种竞争机制下，种子层越薄，所需的溶质资源越少，生长时间由生长速率决定。基于此生长原理，本发明中，通过调整种子层厚度和溶液浓度、生长时间得到质量较高的纳米线，从而得到不同增益的紫外探测器件。本发明简单有效，定制不同增益的器件可适用于多种环境下的紫外光检测。
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公开(公告)号：CN107634075A
公开(公告)日：2018-01-26
申请号：CN201710746185.4
申请日：2017-08-26
Applicant: 北京工业大学
IPC: H01L27/146 , H01L31/0236 , H01L31/0296 , H01L31/18 , B82Y30/00 , B82Y15/00
Abstract: 柔性背照全透式纳米紫外焦平面探测器芯片，涉及紫外焦平面探测器技术领域。在具有周期性纹理的聚酰亚胺柔性衬底上制备紫外探测器阵列，每个探测器作为感光像元。每个像元器件包括两个独立平行对称的ZnO薄膜，其上为金属电极薄膜。所述ZnO薄膜为ZnO纳米线生长的种子层。作为感光部分的纳米材料ZnO纳米线阵列在ZnO薄膜的侧壁自组织生长，桥接于两电极之间。紫外光由衬底背面入射。本发明以柔性材料为衬底，具有良好的柔韧性。同时，器件层结构简单，采用ZnO纳米材料，设计灵活，可实现高度的均匀性及探测效率。
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