公开(公告)号：CN111223942B

公开(公告)日：2021-12-10

申请号：CN201911212069.X

申请日：2019-12-02

Applicant: 北京工业大学

Inventor： 高志远 ,  陆利伟 ,  赵立欢 ,  邹德恕

IPC: H01L31/0224 ,  H01L31/108

Abstract: 本发明公开一种锯齿状电极及提高纳米紫外探测器性能的方法，涉及半导体技术领域。该锯齿状电极的形状由两个对称设置的图形组成；图形由长方形和多个等腰梯形组成，等腰梯形的下底边与长方形的同一条长边相接，两个图形相对的一边为多个等腰梯形所在的一边；等腰梯形的等腰边和上底边用于生长纳米线；两个图形相对的一边对称的两个等腰梯形上底边生长的纳米线形成桥接。本发明锯齿状电极形状的两个图形相对的一边由多个重复的等腰梯形构成，锯齿状电极种子层生长的纳米线只在等腰梯形的上底边形成有效桥接，在生长纳米线后不需要去除多余的纳米线，减少了纳米线桥接的数量和工艺步骤，提高了纳米紫外探测器的响应速度和光增益。

公开(公告)号：CN111223942A

公开(公告)日：2020-06-02

申请号：CN201911212069.X

申请日：2019-12-02

Applicant: 北京工业大学

Inventor： 高志远 ,  陆利伟 ,  赵立欢 ,  邹德恕

IPC: H01L31/0224 ,  H01L31/108

Abstract: 本发明公开一种锯齿状电极及提高纳米紫外探测器性能的方法，涉及半导体技术领域。该锯齿状电极的形状由两个对称设置的图形组成；图形由长方形和多个等腰梯形组成，等腰梯形的下底边与长方形的同一条长边相接，两个图形相对的一边为多个等腰梯形所在的一边；等腰梯形的等腰边和上底边用于生长纳米线；两个图形相对的一边对称的两个等腰梯形上底边生长的纳米线形成桥接。本发明锯齿状电极形状的两个图形相对的一边由多个重复的等腰梯形构成，锯齿状电极种子层生长的纳米线只在等腰梯形的上底边形成有效桥接，在生长纳米线后不需要去除多余的纳米线，减少了纳米线桥接的数量和工艺步骤，提高了纳米紫外探测器的响应速度和光增益。

公开(公告)号：CN108400180B

公开(公告)日：2020-06-16

申请号：CN201810073488.9

申请日：2018-01-25

Applicant: 北京工业大学

Inventor： 高志远 ,  赵立欢 ,  张洁 ,  陆利伟 ,  邹德恕

IPC: H01L31/0236 ,  H01L31/101

Abstract: 纹理衬底增强柔性器件在机械应力下的电学稳定性，涉及半导体技术领域。本发明以柔性ZnO纳米线阵列紫外探测器为示范性验证，研究衬底形貌对柔性电子器件机械应力作用下电学稳定性的影响。相对于平滑的有机薄膜，存在纹理结构的有机薄膜衬底具有与ZnO间更好的膜基结合强度，改善了柔性器件膜基结构容易出现的屈曲、开裂等问题，提高了器件在机械应力作用下的电学稳定性。

公开(公告)号：CN108400180A

公开(公告)日：2018-08-14

申请号：CN201810073488.9

申请日：2018-01-25

Applicant: 北京工业大学

Inventor： 高志远 ,  赵立欢 ,  张洁 ,  陆利伟 ,  邹德恕

IPC: H01L31/0236 ,  H01L31/101

Abstract: 纹理衬底增强柔性器件在机械应力下的电学稳定性，涉及半导体技术领域。本发明以柔性ZnO纳米线阵列紫外探测器为示范性验证，研究衬底形貌对柔性电子器件机械应力作用下电学稳定性的影响。相对于平滑的有机薄膜，存在纹理结构的有机薄膜衬底具有与ZnO间更好的膜基结合强度，改善了柔性器件膜基结构容易出现的屈曲、开裂等问题，提高了器件在机械应力作用下的电学稳定性。

公开(公告)号：CN108231955A

公开(公告)日：2018-06-29

申请号：CN201810013522.3

申请日：2018-01-07

Applicant: 北京工业大学

Inventor： 高志远 ,  张洁 ,  赵立欢 ,  邹德恕 ,  陆利伟

IPC: H01L31/18 ,  H01L31/0203 ,  H01L31/09

Abstract: 一种ZnO纳米线紫外探测器在N2氛围下的封装方法，涉及紫外探测技术领域与封装领域。具体地说是利用集成电路一级封装中的金属封装，针对ZnO纳米线紫外探测器在N2氛围下的封装，采用固定的带窗口的金属管底座和管帽，同时利用储能焊工艺及修饰液，保证ZnO纳米线紫外探测器的高增益特性和封装后器件整体的稳定性。

公开(公告)号：CN114068764A

公开(公告)日：2022-02-18

申请号：CN202111448069.7

申请日：2018-01-07

Applicant: 北京工业大学

Inventor： 高志远 ,  张洁 ,  赵立欢 ,  邹德恕 ,  陆利伟

IPC: H01L31/18 ,  H01L31/0203 ,  H01L31/09

Abstract: 本发明涉及紫外探测技术领域与纳米材料技术领域，具体涉及一种氮气封装提高ZnO纳米线紫外探测器稳定性的方法，包括以下步骤：将ZnO纳米线紫外探测器用导电胶固定于金属管底座上，然后用修饰液进行修饰；将固定于金属管底座上的ZnO纳米线紫外探测器件放入充满干燥氮气的储能焊设备中；利用储能焊技术封装金属管帽与金属管底座，将氮气密闭于金属管帽与金属管底座之间。本发明针对ZnO纳米线表面稳定性的问题，采用储能焊将N2密闭于紫外探测器的封装结构中，既保证了ZnO纳米线紫外探测器的高增益特性，又提高了器件性能的长期稳定性。