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公开(公告)号：CN107579128A
公开(公告)日：2018-01-12
申请号：CN201710787812.9
申请日：2017-09-04
Applicant: 北京工业大学
IPC: H01L31/032 , H01L31/028 , H01L31/09 , H01L31/18 , B82Y30/00
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 一种基于石墨烯的焦平面成像器件及其制备方法，属于光电探测技术领域。基于石墨烯的焦平面成像器件，采用石墨烯和硫化铅量子点复合作为像元，其中高载流子迁移率的石墨烯为电荷传输层，硫化铅量子点为石墨烯基光敏吸收层，使器件在可见至近红外波段具有高灵敏和宽光谱的响应，同时焦平面像元的设计，使石墨烯在成像领域实现了应用。
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公开(公告)号：CN107181453A
公开(公告)日：2017-09-19
申请号：CN201710410523.7
申请日：2017-06-03
Applicant: 北京工业大学
CPC classification number: Y02B10/14 , Y02B10/22 , Y02B10/70 , Y02E10/566 , Y02E10/60 , H02S30/00 , H02J7/35 , H02S40/425 , H02S40/44
Abstract: 一种风冷型光伏光热一体化系统，属于太阳能发电设备领域。包括风冷型光伏光热一体化构件、太阳能控制器、蓄电池、直流负荷、逆变器、交流负荷和无动力风机。风冷型光伏光热一体化构件，包括用于发电的光伏电池单元，通过粘合剂封装在钢化玻璃与金属型材基底之间，型材内部中空，用于空气流通对光伏电池散热；风冷型光伏光热一体化构件与太阳能控制器和无动力风机相连接；可将风冷型光伏光热一体化构件产生的电能存储在蓄电池中，也可以直接供给直流负荷使用；还可以通过与逆变器连接，转换为交流电，供给交流负荷使用，多余部分可实现并网售电；无动力风机可利用建筑室内热气流上升，冷气流下降原理实现室内通风换气，提供建筑供暖或制冷效果。
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公开(公告)号：CN115332375B
公开(公告)日：2024-08-02
申请号：CN202210941018.6
申请日：2022-08-04
Applicant: 北京工业大学
IPC: H01L31/032 , H01L31/102 , H01L31/18
Abstract: 一种基于二维材料异质结的微型红外光谱仪芯片及方法，属于光电探测领域。光敏区材料位于栅极介电层上，是由两层二维材料垂直叠加构成的异质结；源漏电极分别与两种二维材料接触；二维材料异质结的能带结构为第Ⅱ类异质结能带；变化的栅极电压可以对所述第Ⅱ类能带结构进行调控，在一系列变化的栅极电压下，每变化一个电压值，该电压调控下的探测器单元产生一组光谱响应电流值；等同于随着栅极电压变化，提供了一系列具有不同光谱响应特性的探测器单元。对待测的未知的入射光进行检测得到对应的未知入射光的光谱信息，然后结合标定值，得到光强度；然后对未知入射光光谱信息进行还原，得到未知入射光的波长。可实现红外波段光谱识别，是创新性设计的微型光谱仪芯片。
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公开(公告)号：CN117669224A
公开(公告)日：2024-03-08
申请号：CN202311680093.2
申请日：2023-12-08
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 基于漂移扩散模型仿真调控钙钛矿突触器件离子分布的方法，包括以下步骤：步骤1：建立钙钛矿突触器件的二维仿真模型；步骤2：对钙钛矿突触器件进行漂移扩散方程求解；步骤3：将器件施加预制偏压和光脉冲；步骤4：仿真计算得到器件中钙钛矿层离子分布变化；步骤5：得到输出电流，确定实现突触功能。本方法使用漂移扩散模型对钙钛矿突触器件进行仿真，器件结构新颖，涉及到的材料层电学参数广泛可查，建模效率高，光脉冲参数可调，钙钛矿突触器件内部离子分布随外界光脉冲激励发生变化，实现突触功能。本方法对突触器件的离子调控提供方案，为相关实验提供理论指导作用。
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公开(公告)号：CN114015442B
公开(公告)日：2023-07-21
申请号：CN202111367678.X
申请日：2021-11-17
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 真空辅助大尺寸硫化铅量子点大批量多次注射合成方法，属于纳米材料技术领域。包括前驱体溶液、一次成核注射以及多次成长注射，此技术通过大体积前驱体溶液减弱生长过程中的奥斯瓦尔德效应以减小尺寸分布差异、通过多次注射使量子点生长得到尺寸分布均匀的大尺寸(粒径8nm以上)PbS量子点。设计一种合成装置，包括一套加热控温搅拌设备(磁力搅拌器、热电偶、加热套)、一个三颈烧瓶、一根冷凝管以及一种专门设计的分液漏斗，其中热电偶、冷凝管、漏斗与三颈烧瓶直接连接，真空泵通过橡皮管与冷凝管连接以维持三颈烧瓶内部的高真空度。装置接口处用封口膜隔绝外部氛围维持真空度并放置于手套箱中。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN115440844A
公开(公告)日：2022-12-06
申请号：CN202210894940.4
申请日：2022-07-27
IPC: H01L31/112 , H01L31/18
Abstract: 一种基于氧等离子体处理的二维半导体铁电栅型晶体管结构光电探测器件，属于光电探测技术领域。以硅/二氧化硅为衬底，二氧化硅上为二维铁电半导体材料选用α‑In2Se3，二维铁电材料α‑In2Se3上表面经过氧等离子体处理后形成界面绝缘介质层，绝缘介质层上边用机械剥离方法制备二维过渡金属硫族化合物；在二维铁电半导体材料和二维过渡金属硫族化合物上分别通过电极粘附层粘结金属电极。所述器件在二维铁电栅的作用下，得到暗电流低，响应度高的光电探测性能；该器件还有一定光记忆功能，适用于探测记忆一体的多功能器件；本发明的栅介质层制备方法简易，适用于大规模制备，成本低；可应用于光电探测技术领域和人工视觉仿生领域。
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公开(公告)号：CN115332375A
公开(公告)日：2022-11-11
申请号：CN202210941018.6
申请日：2022-08-04
Applicant: 北京工业大学
IPC: H01L31/032 , H01L31/102 , H01L31/18
Abstract: 一种基于二维材料异质结的微型红外光谱仪芯片及方法，属于光电探测领域。光敏区材料位于栅极介电层上，是由两层二维材料垂直叠加构成的异质结；源漏电极分别与两种二维材料接触；二维材料异质结的能带结构为第Ⅱ类异质结能带；变化的栅极电压可以对所述第Ⅱ类能带结构进行调控，在一系列变化的栅极电压下，每变化一个电压值，该电压调控下的探测器单元产生一组光谱响应电流值；等同于随着栅极电压变化，提供了一系列具有不同光谱响应特性的探测器单元。对待测的未知的入射光进行检测得到对应的未知入射光的光谱信息，然后结合标定值，得到光强度；然后对未知入射光光谱信息进行还原，得到未知入射光的波长。可实现红外波段光谱识别，是创新性设计的微型光谱仪芯片。
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公开(公告)号：CN111921557A
公开(公告)日：2020-11-13
申请号：CN202010570603.0
申请日：2020-06-19
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 纳米摩擦电荷增强锰氧化物/高分子复合材料去除甲醛的装置和方法，属于甲醛去除技术领域。通过电纺丝+水热技术制备大面积锰氧化物/高分子纳米复合材料(MnOx/PI&PA纳米复合结构纤维网)，并通过增加催化剂表面电荷方面来协同锰氧化物催化氧化，提高氧气向活性氧的转化产率，促进中间产物分解，从而提升甲醛催化分解速率和催化稳定性。
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公开(公告)号：CN111041450A
公开(公告)日：2020-04-21
申请号：CN202010007011.8
申请日：2020-01-03
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 本发明公开一种碱辅助化学气相沉积生长大面积单层二硫化钨的制备方法，属于纳米材料领域。本方法采用在化学气相沉积法生长过程中，通过碱作为促进剂，辅助生长单层二硫化钨。其中氧化钨源与碱的质量比为8:1-2:1。本发明利用碱辅助生长二硫化钨，可以有效地降低生长温度，在常压下，实现快速生长和制备大面积单层二硫化钨样品，且制备的二硫化钨具有高的光致发光强度。该实验方法工艺简单，重复性好，对环境友好，且原料成本低，适合大规模生产。
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公开(公告)号：CN108054086B
公开(公告)日：2020-01-17
申请号：CN201711277106.6
申请日：2017-12-06
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 一种基于聚苯乙烯小球的超短沟道及制备方法，纳米科技领域和半导体技术领域。本发明利用单层自组装的聚苯乙烯小球,原子层沉积可控制生长厚度的氧化铝，可获得亚十纳米长度的超短沟道。工艺步骤简单、成本低廉、易于大面积制备超短沟道，具有较好的实用价值。
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