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公开(公告)号：CN109093454A
公开(公告)日：2018-12-28
申请号：CN201811194808.2
申请日：2018-10-15
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 本发明提供了一种硅晶圆减薄亚表面损伤深度快速评估方法，属于半导体晶圆材料超精密加工领域。该方法包括确定晶圆磨削参数，计算单颗磨粒切削深度的建立，建立亚表面损伤深度与切削深度的关系，将单颗磨粒切削深度代入亚表面损伤深度与切削深度关系，得到磨削参数与亚表面损伤深度的关系，亚表面损伤深度快速评估。利用本发明提供的亚表面损伤深度快速评估方法，可以在磨削设计阶段针对不同磨削参数(磨轮目数、主轴进给速率、主轴转速、晶圆转速)硅晶圆亚表面损伤深度进行预测，提高晶圆磨削质量，降低晶圆磨削成本。
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公开(公告)号：CN118758710A
公开(公告)日：2024-10-11
申请号：CN202410747938.3
申请日：2024-06-11
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 本发明公开了用于测试航空SiC/GaN功率器件芯片焊层临界断裂能装置和方法，该装置由带有压头的上联轴器通过销轴安装在微力机的控制器上，以及带有基座的下联轴器通过销轴安装在微力实验机的传感器上。其中基座上通过螺栓连接带有燕尾槽的滑轨，夹具底座通过螺栓与燕尾槽形状相同的滑块固定在其下方，来确保夹具底座的左右移动；夹具底座上刻有凹槽，前后两个夹具两侧具有螺栓孔，通过螺栓将其可沿着凹槽导轨进行固定，以满足不同尺寸的样品。本发明在微力实验机上实现试样的横向与纵向的移动对中，测量过程中，通过上压头的速率控制其位移，微力实验机的载荷‑位移传感器会输出其对应实验的载荷‑位移曲线，为得到材料内聚力参数提供依据。
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公开(公告)号：CN118168375A
公开(公告)日：2024-06-11
申请号：CN202410503589.0
申请日：2024-04-25
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 本发明提供一种具有交叉流道的微通道换热器，涉及换热器设备领域。该具有交叉流道的微通道换热器，包括安装板，所述安装板的顶端两侧均固定设置有承重柱，两个所述承重柱的顶部分别卡接安装有第一水流筒和第二水流筒，所述第一水流筒和第二水流筒之间设置有偶数的多个散热板框，多个所述散热板框两两之间均设置有多个散热翼片。本发明两个水流筒呈反方向放置，使得整个微通道换热器有两个流向相反的冷却剂水流通道，从而使得冷却剂流体可以充分均匀地通过散热板框的两个交叉流道，从而可以有效地避免因为冷却剂流体因为前后的流程不一致导致每个散热板框的散热效果不一致从而导致换热不均匀的问题。
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公开(公告)号：CN114152863B
公开(公告)日：2023-12-08
申请号：CN202111426713.0
申请日：2021-11-27
Applicant: 北京工业大学
IPC: G01R31/28
Abstract: 本发明公开了一种智能可控温的GaN功率循环实验装置，该装置的主要功能是准确预测GaN芯片的使用寿命及其失效模式，并缩短实验时间，加快实验进程。通过箱体门上菜单键设置程序控制该装置加热冷却所需时间及循环次数，通过环境加热器为该装置内部提供恒定的环境温度，从而保证芯片功率测试在恒温环境下进行，通过芯片加热器来模拟GaN芯片工作时自身所产生的热量，通过冷却水箱来加速模拟GaN芯片冷却过程，从而完成一次功率循环，如此反复，实现芯片的功率循环测试，通过箱体门上显示屏观察装置内环境温度及芯片实时温度，通过箱体门上玻璃观察整个测试过程。
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公开(公告)号：CN111627947B
公开(公告)日：2023-09-01
申请号：CN202010472471.8
申请日：2020-05-29
Applicant: 北京工业大学
IPC: H01L27/146
Abstract: 本发明提供了一种CIS芯片的扇出型封装制作方法，该方法利用玻璃基体的透光特性，将CIS芯片倒置嵌入到带槽的玻璃基体中，对CIS芯片的正面和侧面进行包封，然后通过TSV工艺将导电结构引到包封侧壁玻璃基体上，实现扇出封装。本发明先将CIS芯片倒置嵌入玻璃基板上再进行面板级封装，增加了封装的可操作性，封装工艺过程简单，可靠性高。面板级封装的过程结合了晶圆级封装金属布线线宽，线间距小、精度高的优势和面板级封装倍增的封装数量，明显提高了封装质量和效率，大大降低了封装成本。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN111613566B
公开(公告)日：2023-07-28
申请号：CN202010472464.8
申请日：2020-05-29
Applicant: 北京工业大学
IPC: H01L21/683
Abstract: 本发明提供了一种超薄晶圆转运装置，涉及半导体制造设备技术领域。该晶圆转运装置包括负压转运托盘和负压发生装置两部分。其特征在于：所述负压转运托盘和负压发生装置通过气压阀和压力枪活动接触方式连接，可分离。利用本发明提供的超薄晶圆转运装置和方法，可以实现超薄晶圆的加工、转运和晶圆级封装过程，对提高超薄晶圆的可制造性、降低晶圆加工损伤有重要意义。本发明具有如下特点：晶圆与转运托盘结合与分离采用真空吸附设计，实施方便，可重复利用，节约成本。负压转运托盘厚度较小，可应用于晶圆加工、转运和晶圆级封装过程，可有效提高超薄晶圆的可制造性。
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公开(公告)号：CN115420980A
公开(公告)日：2022-12-02
申请号：CN202211067558.2
申请日：2022-09-01
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 本发明公开了一种智能的SiC功率模块冷热冲击实验装置，该装置的主要功能是测试SiC功率模块短时间内经极高温与极低温连续环境下因热胀冷缩而引起的变化，对安全测试提供可靠性试验。整个箱体包括高温区、转换区、低温区，通过箱体门上菜单键完成对装置的启动、急停和温度曲线及循环次数的设置，通过箱门上显示屏显示高温区、低温区的环境温度和SiC功率模块的实时温度，通过转换区的载物台完成对SiC功率模块的装夹，通过环境加热器为高温区提供所需热量，通过风冷窗口为低温区提供恒定的环境温度，通过传递轴实现高温区和低温区的快速转换完成一次冷热冲击，通过箱体背部叶片透出冷风和热风，通过箱体门上可视玻璃观察整个测试过程。
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公开(公告)号：CN110854103A
公开(公告)日：2020-02-28
申请号：CN201911090622.7
申请日：2019-11-09
Applicant: 北京工业大学
IPC: H01L23/538 , H01L25/18 , H01L23/367 , H01L21/60
Abstract: 本发明公开了一种嵌入式双面互连功率模块封装结构和制作方法，由IGBT功率芯片，二极管芯片，上DBC基板，下DBC基板，中间转接板，介电填充层，焊料层，再布线层，过孔导电金属和功率端子组成。本发明通过焊料层将IGBT功率芯片及二极管芯片和下DBC基板连接。同时在中间转接板上制作矩形框架，并通过填充介电材料，将IGBT功率芯片和二极管芯片嵌入在中间转接板内。芯片和转接板的上表面覆有导电金属层，中间转接板的上下表面分别和上下DBC基板互连，各功率端子分别从上下DBC基板的导电覆铜层引出，得到嵌入式双面互连功率模块。该发明可以实现IGBT功率模块的双面散热，提高了散热效率。而且不使用键合线，减小了模块的寄生电感。
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公开(公告)号：CN117766973B
公开(公告)日：2024-12-10
申请号：CN202410019956.X
申请日：2024-01-06
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 本发明提供一种基于有源相控阵天线散热的微流道散热器。该基于有源相控阵天线散热的微流道散热器，液体盛放箱体，所述液体盛放箱体的上表面固定连接有转动球。该基于有源相控阵天线散热的微流道散热器，通过微流道散热器的液体盛放箱体和换热管道结构有助于有效地散热，使得能够快速冷却热源，防止过热，包括温度传感器，可实时监测温度变化，以确保热源保持在合适的工作温度范围内，上侧分隔板、中间分隔板和下侧分隔板的设置有助于将液体分隔开，以改善热传导和温度均匀性，外侧圆形分流用转动环和内部分离网帮助将液体均匀地甩出，提高了散热效果，并通过在使用过程中关闭阀门，增加打开的阀门对应管道内部水压。
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公开(公告)号：CN118258253A
公开(公告)日：2024-06-28
申请号：CN202410519276.4
申请日：2024-04-28
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 本发明提供一种流道内置阻块的微通道板式换热器板，涉及微通道换热技术领域。该流道内置阻块的微通道板式换热器板，包括板体，所述板体的左侧外表面固定连接有榫头，所述板体的右侧外表面开设有卯槽，所述板体的两侧外表面开设有流道槽，所述流道槽的内部设置有阻块体，所述阻块体包括第一阻块和第二阻块，每个所述流道槽内包含两组第一阻块，所述第一阻块呈波折状排布；每个所述流道槽内包含两组第二阻块，所述第二阻块呈三角状排布，且以“一二一”式排列。本发明通过对原有微通道板式换热器板进行改进，在流道槽中内置阻块体，流体流过阻块体附近产生的漩涡或者紊流，使得流体间相互碰撞形成二次流，可显著增强换热性能。
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