公开(公告)号：CN118758710A

公开(公告)日：2024-10-11

申请号：CN202410747938.3

申请日：2024-06-11

Applicant: 北京工业大学

Inventor： 代岩伟 ,  武钰栋 ,  赵利波 ,  秦飞

IPC: G01N3/02 ,  G06F30/23 ,  G01N3/04 ,  G01N3/08 ,  G01N3/06 ,  G06F119/14

Abstract: 本发明公开了用于测试航空SiC/GaN功率器件芯片焊层临界断裂能装置和方法，该装置由带有压头的上联轴器通过销轴安装在微力机的控制器上，以及带有基座的下联轴器通过销轴安装在微力实验机的传感器上。其中基座上通过螺栓连接带有燕尾槽的滑轨，夹具底座通过螺栓与燕尾槽形状相同的滑块固定在其下方，来确保夹具底座的左右移动；夹具底座上刻有凹槽，前后两个夹具两侧具有螺栓孔，通过螺栓将其可沿着凹槽导轨进行固定，以满足不同尺寸的样品。本发明在微力实验机上实现试样的横向与纵向的移动对中，测量过程中，通过上压头的速率控制其位移，微力实验机的载荷‑位移传感器会输出其对应实验的载荷‑位移曲线，为得到材料内聚力参数提供依据。