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公开(公告)号：CN116334750A
公开(公告)日：2023-06-27
申请号：CN202310253893.X
申请日：2023-03-15
Applicant: 北京大学东莞光电研究院
Abstract: 本发明公开一种利用浮力维持HVPE反应炉预反应速率稳定的镓舟反应器，包括用于盛放镓金属的腔室及内置于腔室并依靠镓金属浮力漂浮于镓金属液面上方的活动盖板；腔室包括进气通道、出气通道和镓源存放区；活动盖板包括顶盖及与顶盖共同形成气路通道的侧壁，侧壁的下方设有基座。本发明盛放镓金属的腔室与活动盖板不连通，因此依靠镓金属浮力漂浮于镓金属液面上方的活动盖板可以随着镓金属消耗随着镓金属液面上下运动。由于活动盖板的重量和位于镓金属内部的底部基座体积固定，因此所受到的浮力固定，使侧壁与顶盖形成的气路通道体积固定，可保证镓金属液面下降但是预反应通道固定，以此实现预反应不随镓金属消耗发生变化。
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公开(公告)号：CN116206946A
公开(公告)日：2023-06-02
申请号：CN202211096206.X
申请日：2022-09-08
Applicant: 北京大学东莞光电研究院
IPC: H01L21/02 , H01L23/367 , H01L23/373 , C23C16/40 , C23C16/50 , C23C16/56 , C30B25/18 , C23C14/48 , C23C16/01
Abstract: 本发明公开一种大尺寸高热导率衬底的制备方法，包括以下步骤：准备基础衬底和高导热衬底；在基础衬底上进行离子注入，将基础衬底依次分为功能衬底薄层、离子掩埋层和分离层；在功能衬底薄层上键合第一SiO2介质层；在高导热衬底上键合第二SiO2介质层；将基础衬底的第一SiO2介质层面和高导热衬底的第二SiO2介质层面键合，形成键合体；对键合体进行加热处理，将功能衬底薄层从基础衬底上分离，形成功能衬底薄层/SiO2介质层/高导热衬底的复合衬底。本发明实现大尺寸均匀复合衬底材料制备，解决现有氮化物光电器件散热及复合衬底应力过高的问题。
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公开(公告)号：CN114292087A
公开(公告)日：2022-04-08
申请号：CN202111633016.2
申请日：2021-12-28
Applicant: 北京大学东莞光电研究院
IPC: C04B35/01 , C04B35/50 , C04B35/622 , H01L33/50
Abstract: 本发明公开了一种无需封装的白光LED外延材料制备方法，所述制备方法包括如下步骤：原料选择；压片处理；二维材料结构制备和工艺处理。该种制备方法把荧光粉和陶瓷混合高温烧结成外延LED材料所需要的外延基板，在其上面制备氮化镓蓝光等发光外延材料，氮化镓蓝光对陶瓷基板上荧光进行激发，根据荧光粉的种类，基板发出相当波长的光，根据调色源原理实现白光LED外延材料，解决传统白光LED需要荧光粉封装技术导致可靠性问题，可以实现无荧光粉封装技术的白光LED芯片。
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公开(公告)号：CN112531015A
公开(公告)日：2021-03-19
申请号：CN202011387036.1
申请日：2020-12-02
Applicant: 北京大学东莞光电研究院
IPC: H01L29/06 , H01L29/778 , H01L21/335
Abstract: 本发明涉及半导体技术领域，尤指一种低损耗氮化镓射频材料外延结构及制备方法，在硅衬底依次外延生长有缓冲层、氮化镓沟道层、N型低掺杂氮化镓层、势垒层及氨化物帽层即得到低损耗氮化镓射频材料外延结构。本发明在势垒层下面增加的N型低掺杂氮化镓层，由于N型低掺杂氮化镓层的方阻比二维电子气的方阻低，在正常开态情况下，参与导通的功能很弱，但从关态到开态的过程，此层的电子可以补充二维电子气浓度的降低；其次从缓冲层的回迁到异质界面的电子能快速通过此层，达到快速补充异质结界面二维电子气的作用；故通过增加N型低掺杂氮化镓层可以最大限度降低动态过程中二维电子气浓度，从而达到了降低射频损耗。
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公开(公告)号：CN119433486A
公开(公告)日：2025-02-14
申请号：CN202411606062.7
申请日：2024-11-12
Applicant: 北京大学东莞光电研究院
IPC: C23C16/02 , C23C16/27 , C23C16/455
Abstract: 本发明公开一种金刚石薄膜及其制备方法和可重复利用的衬底材料，金刚石薄膜的制备方法包括：选取表面光滑的异质衬底，对异质衬底进行预处理；在异质衬底上生长所需厚度的金刚石薄膜，在金刚石薄膜的形核成膜阶段，工艺气体中通入适量的氮气；通过物理方法将金刚石薄膜从异质衬底上剥离，得到金刚石薄膜和衬底材料；将衬底材料进行表面处理，形成表面光滑的异质衬底，重复使用。本发明金刚石薄膜的制备方法既可以保持金刚石薄膜完整无裂纹，又可以通过简单的物理方法将金刚石薄膜从衬底材料上剥离，获得完整的金刚石薄膜和衬底材料，衬底材料经过简单的清洁、抛光等处理方法后即可重复使用，节约了金刚石薄膜制造过程中的材料成本。
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公开(公告)号：CN117954331A
公开(公告)日：2024-04-30
申请号：CN202410353818.5
申请日：2024-03-27
Applicant: 北京大学东莞光电研究院
IPC: H01L21/48 , H01L23/367 , H01L23/373 , H01L21/683 , C23C16/27 , B82Y30/00
Abstract: 本发明公开了一种金刚石复合散热基板的制备方法及金刚石复合散热基板，包括以下步骤：S1、取异质衬底，活化异质衬底抛光面，在异质衬底抛光面旋涂纳米金刚石分散液并甩干；S2、用CVD金刚石生长设备在异质衬底的抛光面上生长多晶金刚石膜；S3、将多晶金刚石膜进行剥离；S4、在导热基片上涂覆纳米浆料，然后将多晶金刚石膜的生长面粘贴在纳米浆料；S5、粘贴有多晶金刚石膜的导热基片进行热压烧结，形成金刚石复合散热基板。上述制备方法中，复合异质衬底的多晶金刚石膜成核面不需要抛光即可达到纳米级粗糙度，方便与器件的结合。其次，使用超薄的多晶金刚石膜与导热基片进行结合，可以在导热效果与制造成本方面获得高的性价比。
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公开(公告)号：CN115881863B
公开(公告)日：2023-10-13
申请号：CN202211655380.3
申请日：2022-12-22
Applicant: 北京大学东莞光电研究院
Abstract: 本发明公开一种三色氮化物发光二极管的制造方法，包括在衬底上进行外延生长功能层和发光层；通过区域选择性刻蚀，形成第一区域、第二区域和第三区域，分别使第一区域、第二区域和第三区域为第一发光层、第二发光层和第三发光层；在第一区域、第二区域和第三区域上分别沉积透明导电薄膜层；对第一区域、第二区域和第三区域进行刻蚀形成台面结构；在第一区域、第二区域和第三区域上分别沉积电介质层，电介质层不完全覆盖透明导电薄膜层；分别在第一区域、第二区域和第三区域的未被电介质层覆盖的透明导电薄膜层的表面沉积电极。本发明使一种芯片具有三种不同的发光区域，减少芯片尺寸缩小后的芯片拣选次数，实现更小型的LED显示应用。
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公开(公告)号：CN116017821A
公开(公告)日：2023-04-25
申请号：CN202211595399.3
申请日：2022-12-13
Applicant: 北京大学东莞光电研究院 , 东莞市中皓照明科技有限公司
IPC: H05B47/125 , G06V10/764 , G06V10/82 , H05B47/165 , H05B45/10 , H05B45/20 , G06N3/04 , G06N3/08
Abstract: 本发明公开一种AI图像识别智能控制植物光照装置，包括图像采集组件、图像识别与处理系统、数据存储与样本匹配模块、智能驱动模块及电源系统、植物光照LED光源系统组件、LED光照装置外壳及散热系统。本发明植物光照装置通过采集的植物图像通过识别与处理系统智能模块的数据处理，再传输复制到数据存储与样本匹配模块进行植物种类和生长形态的识别和判定处理，再输出相对应的数字信号到智能驱动模块及电源系统进行植物照明PWM调光调色，调节白光、蓝光、红光和紫外光的光谱、光强、光质。利用LED植物灯的融入的植物图像识别与处理系统来控制该植物的各种光照参数信息，使植物光合作用的需求的参数更加的精确、高效。
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公开(公告)号：CN115881863A
公开(公告)日：2023-03-31
申请号：CN202211655380.3
申请日：2022-12-22
Applicant: 北京大学东莞光电研究院
Abstract: 本发明公开一种三色氮化物发光二极管的制造方法，包括在衬底上进行外延生长功能层和发光层；通过区域选择性刻蚀，形成第一区域、第二区域和第三区域，分别使第一区域、第二区域和第三区域为第一发光层、第二发光层和第三发光层；在第一区域、第二区域和第三区域上分别沉积透明导电薄膜层；对第一区域、第二区域和第三区域进行刻蚀形成台面结构；在第一区域、第二区域和第三区域上分别沉积电介质层，电介质层不完全覆盖透明导电薄膜层；分别在第一区域、第二区域和第三区域的未被电介质层覆盖的透明导电薄膜层的表面沉积电极。本发明使一种芯片具有三种不同的发光区域，减少芯片尺寸缩小后的芯片拣选次数，实现更小型的LED显示应用。
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公开(公告)号：CN115831746A
公开(公告)日：2023-03-21
申请号：CN202211630556.X
申请日：2022-12-19
Applicant: 北京大学东莞光电研究院
IPC: H01L21/335 , H01L29/778 , H01L21/265 , H01L23/373 , H01L21/683
Abstract: 本发明公开一种金刚石上薄层器件及其制备方法，包括如下步骤：在蓝宝石衬底上生长薄层器件外延结构；利用离子注入形成离子掩埋层；进行源电极和漏电极制作；进行栅电极制作；淀积氮化硅介质层；沉积金刚石材料层，加热过程中，外延材料从离子掩埋层中分离开，形成金刚石/氮化镓薄层器件；利用激光方法在源漏栅区进行开窗口，用于电路引线，形成正装结构、正向引线的氮化镓薄层器件。本发明精确控制剥离氮化物外延层器件的厚度，实现薄层器件直接转移器件到金刚石材料上，利用金刚石材料直接生长与结合离子注入分离传统衬底，解决现在薄层氮化镓材料或者器件与金刚石材料结合技术路线中应力大、剥离精度不高、不合适量产、散热不好的问题。
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