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公开(公告)号：CN101771115A
公开(公告)日：2010-07-07
申请号：CN200910076039.0
申请日：2009-01-06
Applicant: 北京大学
IPC: H01L33/00 , H01L21/306 , H01L21/3065
Abstract: 本发明提供了一种氮化镓基材料激光剥离后氮面的处理方法，先用盐酸溶液浸泡去除金属镓，然后依次进行反应气氛为氮气或惰性气体的ICP预处理，反应气氛为氯气、四氯化硅和氩气的ICP处理，以及反应气氛为氧气和三氟甲烷的ICP后处理。该方法用于激光剥离后的薄膜倒装结构、垂直注入结构和自支撑垂直结构GaN发光二极管的N面处理，克服了湿法腐蚀及化学机械抛光方法的不足，适合于大规模生产而且不产生副作用，解决了未处理表面降低出光效率的问题。
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公开(公告)号：CN101702422A
公开(公告)日：2010-05-05
申请号：CN200910197886.2
申请日：2009-10-29
Applicant: 上海蓝光科技有限公司 , 北京大学 , 彩虹集团公司
Abstract: 本发明涉及一种在图形衬底上生长氮化物薄膜外延层的方法，通过引入一层低温氮化镓应力控制层，在有效的控制最终产品的漏电，抗静电ESD等电性参数的同时，实现了量子阱结构中的应力控制，达到进一步的提高外延层的内量子效率。
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公开(公告)号：CN101488550A
公开(公告)日：2009-07-22
申请号：CN200910046841.5
申请日：2009-02-27
Applicant: 上海蓝光科技有限公司 , 彩虹集团公司 , 北京大学
IPC: H01L33/00 , H01L21/205
Abstract: 本发明揭示了一种高In组分多InGaN/GaN量子阱结构的LED的制造方法，包括一下步骤：步骤1.在MOCVD反应室中加热蓝宝石衬底，然后降温生长GaN成核层，接着在高温下生长GaN缓冲层；步骤2.降低温度，在所述缓冲层上生长1至6个InxGa1－xN/GaN量子阱，接着生长1至6个InyGa1－yN/GaN量子阱，再生长4至15个InzGa1－zN/GaN量子阱；步骤3.在高温下，再顺次生长p型AlGaN层和p型GaN层。本发明提供的高In组分多InGaN/GaN量子阱结构的LED能够改善结晶质量，较好地减少InGaN和GaN间的V型缺陷，提高LED的开启电压。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101702422B
公开(公告)日：2012-07-04
申请号：CN200910197886.2
申请日：2009-10-29
Applicant: 上海蓝光科技有限公司 , 北京大学 , 彩虹集团公司
Abstract: 本发明涉及一种在图形衬底上生长氮化物薄膜外延层的方法，通过引入一层低温氮化镓应力控制层，在有效的控制最终产品的漏电，抗静电ESD等电性参数的同时，实现了量子阱结构中的应力控制，达到进一步的提高外延层的内量子效率。
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公开(公告)号：CN101359710B
公开(公告)日：2011-12-28
申请号：CN200810200456.7
申请日：2008-09-25
Applicant: 上海蓝光科技有限公司 , 彩虹集团公司 , 北京大学
IPC: H01L33/00
Abstract: 本发明涉及一种绿光发光二极管的制造方法，其主要通过在外延生长InGaN/GaN量子阱中引入一层插入层的方法减少InGaN和GaN间的V型缺陷，并减少In组分的析出，从而获得高亮度的，抗静电能力强的绿光发光二极管。引入插入层后，300微米×300微米的520nm的绿光LED芯片的20mA下的亮度由100mcd升高至250mcd，芯片的抗静电能力由人体模式500V提高至人体模式4000V。
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公开(公告)号：CN101719466B
公开(公告)日：2011-11-30
申请号：CN200910197418.5
申请日：2009-10-20
Applicant: 上海蓝光科技有限公司 , 北京大学 , 彩虹集团公司
IPC: H01L21/205 , H01L21/324 , H01L33/00
Abstract: 本发明涉及一种在图形衬底上生长氮化物薄膜外延层的方法，利用在图形衬底上的低温层处理技术解决衬底台面上侧向外延生长的问题，进一步改善整个外延层的晶体质量，从而有效的提高外延层内量子效率。本发明能有效控制台面上的侧向外延生长，有利于图形衬底上的漏电、抗静电ESD等电性参数性能提高，最终相对在图形衬底上一般正常结构生长的外延层结构，亮度可提高15～25％，ESD可以从HM1000V提高到HM8000V以上。
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公开(公告)号：CN101488550B
公开(公告)日：2010-10-13
申请号：CN200910046841.5
申请日：2009-02-27
Applicant: 上海蓝光科技有限公司 , 彩虹集团公司 , 北京大学
IPC: H01L33/00 , H01L21/205
Abstract: 本发明揭示了一种高In组分多InGaN/GaN量子阱结构的LED的制造方法，包括一下步骤：步骤1、在MOCVD反应室中加热蓝宝石衬底，然后降温生长GaN成核层，接着在高温下生长GaN缓冲层；步骤2、降低温度，在所述缓冲层上生长1至6个InxGa1-xN/GaN量子阱，接着生长1至6个InyGa1-yN/GaN量子阱，再生长4至15个InzGa1-zN/GaN量子阱；步骤3、在高温下，再顺次生长p型AlGaN层和p型GaN层。本发明提供的高In组分多InGaN/GaN量子阱结构的LED能够改善结晶质量，较好地减少InGaN和GaN间的V型缺陷，提高LED的开启电压。
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公开(公告)号：CN101343733B
公开(公告)日：2010-08-25
申请号：CN200810042187.6
申请日：2008-08-28
Applicant: 上海蓝光科技有限公司 , 北京大学 , 上海半导体照明工程技术研究中心
IPC: C23C16/34 , C23C16/455 , C23C16/52
Abstract: 一种用MOCVD生长氮化物外延层和氮化物发光二极管结构外延片的方法，它采用MOCVD技术，利用高纯NH3做N源，高纯H2或N2做载气，三甲基镓(TMGa)或三乙基镓(TEGa)和三甲基铟(TMIn)和三甲基铝(TMAl)分别做Ga源和In源和Al源；衬底为蓝宝石(Al2O3)；该方法包括在MOCVD反应室中把蓝宝石衬底加热到500℃，在H2气氛下，通入三甲基镓(TMGa)生长一GaN层，在高温(～1200℃)H2气氛下，GaN和衬底表层的蓝宝石(Al2O3)发生反应，可以更好地清除蓝宝石表面的损伤层及其表面的污染，也可以在蓝宝石表面腐蚀出纳米量级的微坑，这些微坑对改善外延层的质量有好处，更重要的是可以增加LED的出光效率。
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