-
公开(公告)号：CN101771115B
公开(公告)日：2011-11-09
申请号：CN200910076039.0
申请日：2009-01-06
Applicant: 北京大学
IPC: H01L33/00 , H01L21/306 , H01L21/3065
Abstract: 本发明提供了一种氮化镓基材料激光剥离后氮面的处理方法，先用盐酸溶液浸泡去除金属镓，然后依次进行反应气氛为氮气或惰性气体的ICP预处理，反应气氛为氯气、四氯化硅和氩气的ICP处理，以及反应气氛为氧气和三氟甲烷的ICP后处理。该方法用于激光剥离后的薄膜倒装结构、垂直注入结构和自支撑垂直结构GaN发光二极管的N面处理，克服了湿法腐蚀及化学机械抛光方法的不足，适合于大规模生产而且不产生副作用，解决了未处理表面降低出光效率的问题。
-
公开(公告)号：CN101488548B
公开(公告)日：2010-07-14
申请号：CN200910046837.9
申请日：2009-02-27
Applicant: 上海蓝光科技有限公司 , 彩虹集团公司 , 北京大学
IPC: H01L33/00
Abstract: 本发明揭示了一种高In组分多InGaN/GaN量子阱结构的LED，在蓝宝石衬底上依次向上生长有GaN成核层、非掺杂GaN层、n型GaN层、多量子阱有源层、p型AlGaN载流子阻挡层及p型GaN层，所述多量子阱有源层包括：用于释放应力的多量子阱InxGa1-xN/GaN层、在所述多量子阱InxGa1-xN/GaN层上生长的且用于提高晶体质量改善电学性质的多量子阱InyGa1-yN/GaN层、及在所述多量子阱InyGa1-yN/GaN层上生长的多量子阱InzGa1-zN/GaN发光层。本发明提供的高In组分多InGaN/GaN量子阱结构的LED能够改善结晶质量，较好地减少InGaN和GaN间的V型缺陷，提高LED的开启电压。
-
公开(公告)号：CN100580966C
公开(公告)日：2010-01-13
申请号：CN200810200457.1
申请日：2008-09-25
Applicant: 上海蓝光科技有限公司 , 彩虹集团公司 , 北京大学
IPC: H01L33/00
Abstract: 本发明提供了一种绿光发光二极管，包括含一插入层的InxGa1-xN/GaN多量子阱，其中0.15≤x≤0.35。所述插入层是InyGa1-yN，其中x＜y≤1或是AlyGa1-yN，其中0＜y≤1或是IncAl1-cN，其中x＜c≤1或是AlaInbGa1-a-bN，其中0＜a＜1，0＜b＜1，并且a，b的取值需满足AlaInbGa1-a-bN的势垒高于GaN的势垒；所述插入层的厚度是0.1～5nm；所述InxGa1-xN/GaN多量子阱的量子阱数目为1～20。此类二极管能减少InGaN和GaN间的V型缺陷，并减少In组分的析出，是一种高亮度、抗静电能力强的绿光发光二极管。
-
公开(公告)号：CN101359710A
公开(公告)日：2009-02-04
申请号：CN200810200456.7
申请日：2008-09-25
Applicant: 上海蓝光科技有限公司 , 彩虹集团公司 , 北京大学
IPC: H01L33/00
Abstract: 本发明涉及一种绿光发光二极管的制造方法，其主要通过在外延生长InGaN/GaN量子阱中引入一层插入层的方法减少InGaN和GaN间的V型缺陷，并减少In组分的析出，从而获得高亮度的，抗静电能力强的绿光发光二极管。引入插入层后，300微米×300微米的520nm的绿光LED芯片的20mA下的亮度由100mcd升高至250mcd，芯片的抗静电能力由人体模式500V提高至人体模式4000V。
-
公开(公告)号：CN101719466A
公开(公告)日：2010-06-02
申请号：CN200910197418.5
申请日：2009-10-20
Applicant: 上海蓝光科技有限公司 , 北京大学 , 彩虹集团公司
IPC: H01L21/205 , H01L21/324 , H01L33/00
Abstract: 本发明涉及一种在图形衬底上生长氮化物薄膜外延层的方法，利用在图形衬底上的低温层处理技术解决衬底台面上侧向外延生长的问题，进一步改善整个外延层的晶体质量，从而有效的提高外延层内量子效率。本发明能有效控制台面上的侧向外延生长，有利于图形衬底上的漏电、抗静电ESD等电性参数性能提高，最终相对在图形衬底上一般正常结构生长的外延层结构，亮度可提高15～25％，ESD可以从HM1000V提高到HM8000V以上。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101593801A
公开(公告)日：2009-12-02
申请号：CN200910057583.0
申请日：2009-07-09
Applicant: 上海蓝光科技有限公司 , 彩虹集团公司 , 北京大学
IPC: H01L33/00 , H01L21/782 , H01L21/784 , H01L27/15
Abstract: 本发明公开了一种倒装发光二极管的制备方法，包括如下步骤：1)先在衬底表面制造出周期性排列的微结构图形；2)在具有微结构图形的衬底表面制备发光二极管结构，之后分别制备P电极和N电极；3)从衬底的背面采用激光照射衬底，使衬底与发光二极管结构分离，此时即将微结构图形转移至发光二极管结构中靠近N层的一侧表面。采用本发明的方法，先在衬底上制备图形，之后制备发光二极管及P/N电极，并最终通过激光照射将图形转移到发光二极管结构中靠近N层的一侧表面，使倒装焊接后作为出光面的该侧表面形成图形结构，从而提高发光二极管的出光效率。
-
公开(公告)号：CN101488548A
公开(公告)日：2009-07-22
申请号：CN200910046837.9
申请日：2009-02-27
Applicant: 上海蓝光科技有限公司 , 彩虹集团公司 , 北京大学
IPC: H01L33/00
Abstract: 本发明揭示了一种高In组分多InGaN/GaN量子阱结构的LED，在蓝宝石衬底上依次向上生长有GaN成核层、非掺杂GaN层、n型GaN层、多量子阱有源层、p型ALGaN载流子阻挡层及p型GaN层，所述多量子阱有源层包括：用于释放应力的多量子阱InxGa1－xN/GaN层、在所述多量子阱InxGa1－xN/GaN层上生长的且用于提高晶体质量改善电学性质的多量子阱InyGa1－yN/GaN层、及在所述多量子阱InyGa1－yN/GaN层上生长的多量子阱InzGa1－zN/GaN发光层。本发明提供的高In组分多InGaN/GaN量子阱结构的LED能够改善结晶质量，较好地减少InGaN和GaN间的V型缺陷，提高LED的开启电压。
-
公开(公告)号：CN101359711A
公开(公告)日：2009-02-04
申请号：CN200810200457.1
申请日：2008-09-25
Applicant: 上海蓝光科技有限公司 , 彩虹集团公司 , 北京大学
IPC: H01L33/00
Abstract: 本发明提供了一种绿光发光二极管，包括含一插入层的InxGa1－xN/GaN多量子阱，其中0.15≤x≤0.35。所述插入层是InyGa1－yN，其中x＜y≤1或是AlyGa1－yN，其中0＜y≤1或是IncAl1－cN，其中x＜c≤1或是AlaInbGa1－a－bN，其中0＜a＜1，0＜b＜1，并且a，b的取值需满足AlaInbGa1－a－bN的势垒高于GaN的势垒；所述插入层的厚度是0.1～5nm；所述InxGa1－xN/GaN多量子阱的量子阱数目为1～20。此类二极管能减少InGaN和GaN间的V型缺陷，并减少In组分的析出，是一种高亮度、抗静电能力强的绿光发光二极管。
-
公开(公告)号：CN101343733A
公开(公告)日：2009-01-14
申请号：CN200810042187.6
申请日：2008-08-28
Applicant: 上海蓝光科技有限公司 , 北京大学 , 上海半导体照明工程技术研究中心
IPC: C23C16/34 , C23C16/455 , C23C16/52
Abstract: 一种用MOVCD生长氮化物外延层和氮化物发光二极管结构外延片的方法，它采用MOCVD技术，利用高纯NH3做N源，高纯H2或N2做载气，三甲基镓(TMGa)或三乙基镓(TEGa)和三甲基铟(TMIn)和三甲基铝(TMAl)分别做Ga源和In源和Al源；衬底为蓝宝石(Al2O3)；该方法包括在MOCVD反应室中把蓝宝石衬底加热到500℃，在H2气氛下，通入三甲基镓(TMGa)生长一GaN层，在高温(～1200℃)H2气氛下，GaN和衬底表层的蓝宝石(Al2O3)发生反应，可以更好地清除蓝宝石表面的损伤层及其表面的污染，也可以在蓝宝石表面腐蚀出纳米量级的微坑，这些微坑对改善外延层的质量有好处，更重要的是可以增加LED的出光效率。
-
公开(公告)号：CN101593801B
公开(公告)日：2011-04-06
申请号：CN200910057583.0
申请日：2009-07-09
Applicant: 上海蓝光科技有限公司 , 彩虹集团公司 , 北京大学
IPC: H01L33/00 , H01L21/782 , H01L21/784 , H01L27/15
Abstract: 本发明公开了一种倒装发光二极管的制备方法，包括如下步骤：1)先在衬底表面制造出周期性排列的微结构图形；2)在具有微结构图形的衬底表面制备发光二极管结构，之后分别制备P电极和N电极；3)从衬底的背面采用激光照射衬底，使衬底与发光二极管结构分离，此时即将微结构图形转移至发光二极管结构中靠近N层的一侧表面。采用本发明的方法，先在衬底上制备图形，之后制备发光二极管及P/N电极，并最终通过激光照射将图形转移到发光二极管结构中靠近N层的一侧表面，使倒装焊接后作为出光面的该侧表面形成图形结构，从而提高发光二极管的出光效率。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
18
records
(took 0.013 seconds)
